国家自然科学基金(60406001)

作品数:6被引量:1H指数:1
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多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟
《Journal of Semiconductors》2008年第5期954-959,共6页杨震宇 王明湘 王槐生 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60406001)~~
采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布.通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响.确认了改善器件自加热退化的有效途径,同...
关键词:有限元分析 温度分布 薄膜晶体管 自加热退化 稳态及瞬态模拟 
影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究被引量:1
《半导体技术》2007年第4期349-353,共5页邢洁 王明湘 何健 
国家自然科学基金资助项目(60406001)
静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整...
关键词:静电放电 荷电器件放电模型 测试探针 LRC模型 
金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热载流子应力退化特性及模型研究
《苏州大学学报(工科版)》2007年第1期7-11,共5页朱臻 
国家自然科学基金项目(编号60406001)
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)广泛应用于平板显示。从开态和关态两个方面,研究了热载流子(HC)应力下,N型金属诱导横向结晶(MILC)LTPS TFT器件退化特性及模型。
关键词:多晶硅薄膜晶体管 金属诱导横向结晶 热载流子退化 可靠性 开态特性 关态特性 
TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析(英文)
《半导体技术》2007年第1期68-73,共6页杨震宇 王明湘 许华平 
Supported by National Natural Science Foundation of China(60406001)
针对TSOP封装在塑封工艺中脱模时可能发生的芯片碎裂,利用有限元法模拟封装脱模过程阐明了芯片碎裂失效的机制。研究表明,模具内表面有机物形成的局部沾污可能阻碍芯片的顺利脱模,导致硅片内产生较大的局部应力并碎裂失效。通过模拟在...
关键词:硅片碎裂 有限元分析 塑封 应力 可靠性 
多晶硅薄膜晶体管器件退化机制研究进展
《电子器件》2006年第3期654-659,共6页薛敏 王明湘 
国家自然科学基金资助(60406001)
结合近几年来国际上对于低温多晶硅薄膜晶体管器件可靠性开展的一些有代表性的研究工作,对其中几种常见的退化现象:自加热、热载流子和负偏置温度不稳定性做了分析和归纳,介绍了其退化机制及退化模型,并总结了它们在一般情况下对器件性...
关键词:低温多晶硅薄膜晶体管 可靠性 自加热退化 热载流子退化 
DDDMOS特性研究与建模
《苏州大学学报(工科版)》2006年第3期9-13,共5页管小进 王子欧 帅柏林 
国家自然科学基金资助(编号60406001)
从TCAD实验出发,研究Double Diffused Drain MOSFET(简称DDDMOS)漂移区电阻与终端电压的非线性关系以及大电流效应等;以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础,得出漂移区电阻的解析模型。DDDMOS可以简化成低压MOSFET与漂移区电阻的串...
关键词:DDDMOS 漂移电阻 宏模型 
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