国家部委预研基金(41308060105)

作品数：5被引量：2H指数：1
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相关期刊：《微电子学》《西北大学学报（自然科学版）》《西南交通大学学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
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高温6H-SiC CMOS运算放大器的设计被引量：2
《西北大学学报（自然科学版）》2010年第2期219-223,共5页刘莉 杨银堂 
教育部重点科技基金资助项目(02074);国家部委预研基金资助项目(41308060105)
目的设计可工作在高温下的6H-SiC CMOS运算放大器。方法该电路基于标准的PMOS输入两级运放而成,考虑泄漏电流匹配添加Dcomp二极管。利用零温度系数理论和泄漏电流匹配的原则对电路管子的尺寸进行确定。通过求解SiMOS管和6H-SiC MOS管零...
关键词：6H-SIC CMOS OPAMP 零温度系数 泄漏电流匹配 温度稳定性 
SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真
《西南交通大学学报》2010年第2期278-283,共6页杨银堂 刘莉 
教育部重点科技项目(02074);国家部委预研项目(41308060105)
为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor transistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并...
关键词：SIC CMOS OPAMP 高温模型 HSPICE仿真 
具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器的设计
《微电子学》2008年第5期697-702,共6页刘莉 杨银堂 柴常春 
教育部重点科技项目资助(02074);国家部委预研项目资助(41308060105)
设计了具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器。根据所希望的IDSat(ZTC)和任一节点泄漏电流为零的原则设计偏置电路;输入采用差分输入,同时按照泄漏电流匹配的原则,合理选取Dcomp的面积。Si MOS器件电源电压为5V,采用TSMC 0.25μm工艺制...
关键词：SIC CMOS 运算放大器 零温度系数 
掺氮锯齿型单壁碳纳米管的电子结构
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1584-1588,共5页宋久旭 杨银堂 柴常春 李跃进 
国家部委预研基金资助项目(批准号:41308060105)~~
基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,...
关键词：掺氮 电子结构 锯齿型单壁碳纳米管 第一性原理 
带温度补偿的6H-SiC PMOS模拟与分析
《固体电子学研究与进展》2007年第1期7-12,共6页韩茹 杨银堂 
教育部重点科技项目(批准号:02074);国家部委预研项目(批准号:41308060105)
提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H-SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源,并计入界面态电荷高斯分布模型及体内Poole-Frenkel效应。模拟结果表明,阈...
关键词：碳化硅 补偿电流源 体漏电流 普尔-弗兰克效应 
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