国家高技术研究发展计划(2001AA325110)

作品数：21被引量：60H指数：5
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相关期刊：《中国陶瓷》《功能材料》《电子元件与材料》《压电与声光》更多>>
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微波烧结法制备Bi2O3-ZnO-Ta2O5陶瓷被引量：8
《压电与声光》2008年第3期319-321,共3页康利平 沈波 姚熹 
国家高新技术发展计划基金资助项目(2001AA325110);国家重点基础研究计划基金资助项目(2002CB613302);郑州轻工业学院硕士研究基金资助项目
研究了三元体系Bi2O3-ZnO-Ta2O5微波陶瓷的微波烧结情况,从烧结机理、陶瓷结构、显微形貌和介电性能等方面对微波烧结的样品和常规烧结样品进行了比较。实验结果表明,微波烧结大幅度缩短了烧结时间,并且很好地促进了Bi2O3-ZnO-Ta2O5陶...
关键词：无机非金属材料 Bi2O3-ZnO-Ta2O5 微波烧结 烧结温度 介电性能 
钛酸钙对BZN-CaTiO_3系统介电性能的影响被引量：1
《电子元件与材料》2006年第2期35-37,共3页赵康健 吴顺华 孙萍 
国家863计划资助项目(2001AA325110)
研究了利用电子陶瓷工艺制得的主晶相为Ba（Zn1/3Nb2/3）O3（BZN）和CaTiO3的新型陶瓷，BZN具有立方钙钛矿结构。通过烧结温度的改变得到不同介电性能的陶瓷材料，发现CaTiO3的添加量对系统介电性能有显著影响。在1395℃烧结的BZN-CaTiO...
关键词：无机非金属材料 Ba(Zn1/3Nb2/3)O3-CaTiO3 高介电常数 低介质损耗 热稳定 烧结温度 
掺杂和气氛烧结对BiNbO_4材料性能的影响被引量：6
《压电与声光》2006年第1期79-81,共3页毛羽 丁士华 姚熹 张良莹 
国家高新技术发展计划资助项目(2001AA325110);国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB613302);上海市重点学科建设项目资助项目
研究了掺杂Nd和在不同气氛中烧结对BiNbO4材料烧结特性及微波介电性能的影响。结果表明,掺杂Nd虽然会提高BiNbO4材料的介电常数εr,但会降低材料的微波介电性能。在O2和N2中烧结可获得烧结致密和较高εr的材料,但微波介电性能显著下降...
关键词：BINBO4 微波介电性能 缺陷偶极子 
硼硅对BST薄膜结构和性能的影响被引量：1
《电子元件与材料》2005年第12期32-34,共3页丁士华 杨晓静 姚熹 张良莹 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB613302;2002CB613304);国家高新技术发展计划资助项目(2001AA325110);上海市重点学科资助项目
用sol-gel法制备0.5mol/L钛酸锶钡(Ba0.7Sr0.3TiO3)前驱溶液,并在其中加入硼、硅成功地制备了室温下具有优良铁电性质的BSTS薄膜。XRD及DSC分析显示,BSTS薄膜呈现钙钛矿结构。测试结果表明,随着硼、硅的加入量增加,其εr和tgδ明显降低...
关键词：无机非金属材料 BSTS薄膜 SOL-GEL法 硼硅掺杂 介电常数 介质损耗 
TiO_2添加对Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5系介质材料结构和性能的影响被引量：12
《压电与声光》2005年第4期395-397,共3页彭邓山 沈波 张良莹 姚熹 
国家高新技术发展计划资助项目(2001AA325110);国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB613302);上海市重点学科建设资助项目
研究了添加不同含量的T iO2到-βB i2O3-ZnO-N b2O5(-βBZN)中,同时减少相应的B i2O3的含量对BZN介质材料结构和性能的影响。研究表明,T iO2添加到β-BZN中,材料的结构和性能都有很大的变化,主要表现在随着T iO2添加量的增加,材料的相...
关键词：Bi2O3-ZnO-Nb2O5 系陶瓷 温度系数 相结构 微波介电性能 
微波陶瓷测试技术的神经网络实现
《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》2005年第8期735-739,共5页王国庆 吴顺华 王伟 李媛 孙萍 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2001AA325110).
针对微波陶瓷的开式腔谐振法算法复杂、计算量大、计算速度慢的问题,提出了一种基于神经网络的替代算法.对完全神经网络模型和部分神经网络模型进行了对比,并讨论了网络拓扑结构对在线训练效果、训练时间和离线计算精度的影响.研究表明...
关键词：人工神经网络 回归分析 开式腔谐振法 介电性能 
CuO-MoO_3联合添加对BZT结构和性能的影响被引量：4
《压电与声光》2005年第4期404-407,共4页康利平 沈波 张良莹 姚熹 
国家高新技术发展计划基金资助项目(2001AA325110);国家重点基础研究计划基金资助项目(2002CB613302);上海市重点学科建设基金项目资助
研究了在三元系微波介质陶瓷B i2O3-ZnO-T a2O5的单斜类锆钙钛矿相化合物中添加不同量的CuO-M oO3的混合物对材料结构和微波介电性能的影响。研究发现,添加CuO-M oO3能有效地降低烧结温度约100°C,但是材料结构允许的添加范围很小,随着...
关键词：Bi2O3-ZnO-Ta2O5系陶瓷 单斜类锫钙钛矿 烧结温度 微波介电性能 
BaSnO_3纳米粉改性Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3介质陶瓷的研究被引量：2
《压电与声光》2005年第4期412-414,共3页王伟 吴顺华 
"八六三"基金资助项目(2001AA325110)
以BaSnO3纳米粉体作为添加剂制备(1-x)B a(M g1/3T a2/3)O3-xB aSnO3陶瓷,并与以SnO2为起始原料直接合成的BM T-BS陶瓷作了对比研究。当x(Sn)=12%时,两种工艺在1 500°C保温4 h均能使材料烧结致密。不同的工艺对材料介电常数(rε)和谐...
关键词：Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 纳米粉体 BaSnO3 烧结性能 微波介电性能 
MoO_3掺杂对BiNbO_4陶瓷微波介电性能的影响被引量：1
《电子元件与材料》2005年第6期12-14,共3页毛羽 丁士华 张良莹 姚熹 
国家高新技术发展计划资助项目(2001AA325110);国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB613302);上海市重点学科建设资助项目
采用固相反应法,研究了MoO3掺杂对BiNbO4陶瓷微结构、烧结特性和微波介电性能的影响。对相对介电常数εr和品质因数Q随烧结温度的变化以及谐振频率温度系数随MoO3掺杂量的变化也进行了研究。MoO3的掺杂量x低于0.05时,实现了BiNbO4陶瓷在...
关键词：无机非金属材料 微波介质陶瓷 介电性能 掺杂 缺陷偶极子 
CuO、V_2O_5掺杂(1-x)BiNbO_(4-x)ZnTaO_6的介电性能被引量：1
《电子元件与材料》2005年第3期20-22,共3页袁力 丁士华 姚熹 
国家高新技术发展计划资助项目(2001AA325110);国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB613302);上海市重点建设学科资助项目
对CuO、V2O5掺杂的(1–x)BiNbO4-xZnTaO6(x=0.05～0.15)陶瓷体系结构和介电性能进行了研究。试验结果表明,940℃以下,体系为斜方BiNbO4和斜方ZnTaO6的复相结构;掺杂CuO、V2O5使得体系在较低温度下即可烧结成瓷,随着(1–x)BiNbO4-xZnTaO...
关键词：无机非金属材料 微波介质陶瓷 介电性能 低温烧结 复相 
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