辽宁省教育厅高等学校科学研究项目(L2010152)

作品数：10被引量：11H指数：2
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相关机构：辽宁大学郑州航空工业管理学院合肥科盛微电子科技有限公司中原工学院更多>>
相关期刊：《电子技术应用》《真空科学与技术学报》《物理学报》《电子器件》更多>>
相关主题：热电子碳纳米管场效应晶体管短沟道效应输运特性CNTFET更多>>
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一种支持外部控制的动态电源管理方法被引量：1
《电子技术应用》2017年第3期137-140,144,共5页宋云雷 刘兴辉 阎斌 金传恩 
辽宁省教育厅高等学校科研基金(L2010152)
为降低微控制器(MCU)应用系统的功耗,节省硬件资源,提出了一种新型的动态电源管理方法。该动态电源管理方法在支持内部软件控制MCU系统内部电源域的基础上,扩展支持了外部设备对MCU系统内部电源域的控制;外部设备能够根据实际的应用场...
关键词：内部电源域控制 IO端口复用 动态电源管理 低功耗MCU 
一种快速模乘运算器的设计被引量：1
《电子器件》2014年第3期435-440,共6页曹军 刘兴辉 张文婧 赵宏亮 姜长仁 
国家自然科学基金项目(21171081);辽宁省科技厅自然科学基金项目(20082050);辽宁省教育厅高等学校科研基金项目(L2010152)
设计了一种257 bit快速Montgomery模乘器。针对Montgomery算法中大数乘法操作存在耗时过长问题,采用二次Booth32编码与Wallace树压缩思想,将三次乘法做成三级流水结构,并将加法和可能的减法巧妙的结合在第3次乘法中,最大限度地提高计算...
关键词：MONTGOMERY模乘 大数乘法器 有限状态机 流水线技术 
PCI Express多链路的De-Skew逻辑设计
《辽宁大学学报（自然科学版）》2014年第1期13-20,共8页刘兴辉 姜长仁 张冬苓 曹军 罗烨辉 
辽宁省教育厅高等学校科研基金(L2010152);辽宁大学博士启动基金(2006009)
对于PCI Express(PCIE)多链路通道来说,发送端使用相同的时钟源同时发送数据时,通常会出现相位偏移(skew)的问题.解决链路中的相位偏移问题,能够保证所有链路中的接收端同时接收并正确处理接收到的数据,这在高速多链路串行电路中尤为重...
关键词：相位偏移 选择器 多链路 逻辑电路 
基于异质双栅电极结构提高碳纳米管场效应晶体管电子输运效率被引量：3
《物理学报》2013年第14期433-440,共8页刘兴辉 赵宏亮 李天宇 张仁 李松杰 葛春华 
国家自然科学基金(批准号:21171081);辽宁省科技厅自然科学基金(批准号:20082050);辽宁省教育厅高等学校科研基金(批准号:L2010152)资助的课题~~
为改善碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)器件性能,提高电子输运效率,提出了一种异质双金属栅(HDMG)电极结构CNTFET器件.通过对单金属栅(SMG)-CNTFET器件输运模型的适当修改,实现了对HDMG-CNTFET器件电子输运特性的研究.研究结果表明,对于...
关键词：CNTFET 异质双栅 电子输运效率 双极导电性 
沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET输运特性的影响
《真空科学与技术学报》2013年第6期535-541,共7页刘兴辉 李玉魁 陆妍 林雨佳 李宇 王绩伟 李松杰 
国家自然科学基金项目(批准号:10974075;21171081);辽宁省科技厅自然科学基金项目(批准号:20082050);辽宁省教育厅高等学校科研基金(批准号:L2010152)资助的课题
碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等;横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数。本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程...
关键词：非平衡格林函数 MOS—CNTFET 输运特性 短沟道效应 
单壁碳纳米管作沟道的场效应晶体管输运特性理论研究被引量：3
《真空科学与技术学报》2012年第7期636-641,共6页刘兴辉 张俊松 王绩伟 曾凡光 李新 敖强 王震 王振世 马迎 王瑞玉 
国家自然科学基金资助项目(21171081;10974075;51072184);辽宁省教育厅科研基金资助项目(L2010152);辽宁省科技厅自然科学基金资助项目(20082050)
为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了...
关键词：碳纳米管 场效应晶体管 环绕栅 漏感应势垒降低 热电子 
基于非平衡Green函数理论的峰值掺杂-低掺杂漏结构碳纳米管场效应晶体管输运研究被引量：3
《物理学报》2012年第10期384-390,共7页刘兴辉 张俊松 王绩伟 敖强 王震 马迎 李新 王振世 王瑞玉 
国家自然科学基金(批准号:10974075;21171081);辽宁省教育厅科学研究基金(批准号:L2010 152);辽宁省科技厅自然科学基金(批准号:20082050)资助的课题~~
为改善碳纳米管场效应晶体管的性能,将一种峰值掺杂-低掺杂漏(HALO-LDD)掺杂结构引入碳纳米管沟道.在量子力学非平衡Green函数理论框架内,通过自洽求解Poisson方程和Schr(o|¨)dinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的碳纳米管场效应管的...
关键词：非平衡Green函数 碳纳米管场效应晶体管 短沟道效应 热电子 
LCD偏置电压的数字建模方法
《辽宁大学学报（自然科学版）》2011年第4期303-306,共4页李新 尹东燕 刘兴辉 齐文 
辽宁省教育厅科研项目(L2010152)资助;辽宁省科技厅自然科学基金(20082050)资助;辽宁大学博士启动基金(2006009)资助
在液晶显示屏驱动电路中,偏置电压具有多个取值,而其他信号均仅用"0"、"1"两个数字量表示,通常的液晶显示屏驱动电路建模需要采用verilog-A建模方法.根据COM和SEG建模后的数字量的状态去判断液晶显示屏是否处于显示状态,把COM和SEG的偏...
关键词：液晶显示屏 偏置电压 数字建模 
基于极点分析方法的晶体振荡器电路设计及仿真被引量：1
《辽宁大学学报（自然科学版）》2011年第4期307-310,共4页敖强 尹东燕 王震 刘兴辉 
辽宁省教育厅科研项目(L2010152)资助;辽宁省科技厅自然科学基金(20082050)资助;辽宁大学博士启动基金(2006009)资助;辽宁大学青年科研基金(2008LDQN03)资助
提出了一种利用Hspice软件进行极点数据分析去设定振荡器电路参数值的方法.利用极点与系统稳定性的关系,结合振荡器的工作过程,只要选取合适的电路参数将整个系统的极点设置在一个恰当的位置,振荡器在最终瞬态仿真中的参数就比较理想....
关键词：振荡器 极点 CMOS 功耗 
Ge组分对Si_(1-x)Ge_x HBT反向击穿特性影响的研究
《辽宁大学学报（自然科学版）》2011年第1期1-4,共4页刘兴辉 王立伟 刘爽 林洪春 何学宇 
辽宁省教育厅科研项目资助(L2010152);辽宁大学博士启动基金(2006009)资助;辽宁大学青年科研基金资助
构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ge组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,...
关键词：SiGe 异质结双极晶体管 ISE_TCAD 反向击穿特性 
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