江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(CX10B260Z)

作品数：10被引量：25H指数：3
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泡生法蓝宝石不同生长阶段热应力的数值模拟研究被引量：11
《材料导报》2012年第22期134-137,共4页杨琳 左然 苏文佳 娄中士 
国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
利用计算机模拟对泡生法蓝宝石单晶各生长阶段的热应力进行了分析,发现晶体中最大热应力位于籽晶与新生晶体交界处或靠近固液界面的晶体边缘,其次位于晶体肩部。在此基础上,针对某一生长阶段讨论了加热器位置和坩埚形状对晶体中热应力...
关键词：泡生法 蓝宝石单晶 数值模拟 固液界面热应力 
原子层外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜机理的研究进展
《材料导报》2012年第17期16-20,共5页何晓崐 左然 徐楠 于海群 
国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2...
关键词：原子层外延 GAAS 表面化学反应 
GaN沉积的化学反应动力学进展被引量：4
《材料导报》2012年第17期21-24,35,共5页于海群 
国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
依据文献中的气相反应路径,特别是寄生反应模型和刻蚀反应模型,指出对于存在冷壁面的水平式,加合物的反应路径对沉积起重要作用。在加合物路径中,对薄膜生长起决定作用的是TMGa和TMGa∶NH3,而环状化合物[(CH3)2Ga∶NH2]3形成的可能性很...
关键词：反应路径MOCVD 动力学 
自由基对气相化学反应生长GaN的影响研究被引量：3
《人工晶体学报》2012年第S1期344-348,共5页徐楠 左然 何晓崐 于海群 
国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
结合化学反应动力学模型,对MOCVD反应器中自由基对GaN生长的化学反应路径的影响进行数值模拟研究。通过对比加入自由基前后RDR反应器中Ga浓度变化,来分析自由基对化学反应热解路径的影响。同时改变压强,分析操作参数的变化对自由基活性...
关键词：MOCVD GAN 化学反应 数值模拟 
垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究被引量：3
《人工晶体学报》2012年第4期1107-1112,共6页徐楠 左然 何晓焜 于海群 
国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
对垂直转盘式MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行研究。结合反应动力学模型,分别采用预混合进口但改变反应腔高度,以及采用环形分隔进口,对反应器的温场、流场和浓度场进行CFD数值模拟,由此确定反应器结构参数对化学反应路径的...
关键词：生长速率 MOCVD GAN 反应路径 
垂直式MOCVD反应器中热泳力对浓度分布的影响分析被引量：2
《人工晶体学报》2012年第4期1059-1065,共7页于海群 左然 徐楠 何晓崐 
国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
从分子动力学理论出发,推导出垂直式MOCVD反应器中热泳力和热泳速度与温度、温度梯度、压强、粒子直径的关系式,以及热泳速度与扩散速度、动量速度平衡时的关系式。在典型的生长条件下,计算得到在温度T=605K时,热泳速度与扩散速度、动...
关键词：MOCVD GAN 热泳力 数值模拟 
垂直喷淋式原子层沉积反应器设计及数值模拟被引量：1
《科学技术与工程》2011年第30期7334-7338,7343,共6页于海群 左然 
国家自然科学基金(60376006);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)资助
提出垂直喷淋式原子层沉积(vertical showehead atom layer depositon reactor,VS-ALDR)反应器的概念。依据原子层沉积的基本原理,对VS-ALDR进行了四种形式的进口设计方案,分别为(1)无间隙扇形分隔进口设计;(2)带中心孔的无间隙扇形分...
关键词：垂直喷淋 ALD 扇形进口 
MOCVD水平式反应器中热泳力对沉积过程中反应前体浓度分布的影响分析及数值模拟被引量：4
《人工晶体学报》2011年第4期1033-1038,共6页于海群 左然 陈景升 彭鑫鑫 
国家自然科学基金(No.60376006);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
在MOCVD反应器中,针对GaN生长中的TMGa分子,推导出热泳力、热泳速度以及扩散速度的计算公式。在低温区,热泳速度大于扩散速度;在高温区则相反。影响热泳力的主要因素为温度梯度和分子直径。水平式反应器内,粒子同时受到热泳速度和扩散...
关键词：MOCVD 热泳力 温度梯度 生长速率 数值模拟 
一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟被引量：3
《人工晶体学报》2011年第4期1065-1070,1082,共7页于海群 左然 陈景升 
国家自然科学基金(60376006);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
提出了一种多喷淋头式MOCVD反应器。针对新型反应器,对GaN生长的MOCVD过程进行了数值模拟,模拟考虑了热辐射和化学反应,计算了反应器内流场、温场和浓度场,导流筒壁面的寄生沉积以及GaN生长速率,并分析了反应室几何因素对生长均匀性的...
关键词：多喷淋头 MOCVD 反应器设计 GAN生长 数值模拟 
多片式热壁MOCVD反应器的设计与数值模拟分析被引量：1
《人工晶体学报》2011年第1期207-212,共6页彭鑫鑫 左然 于海群 陈景升 
国家自然科学基金(No.60376006)资助项目;江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
本文提出一种多反应腔并联的水平热壁MOCVD反应器,反应器上下(左右)壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的TMG浓度。由于取消了传统反应器的冷壁,减少了寄生产物的凝结,提高了反应前体的利用率和GaN的生长速率。可以...
关键词：MOCVD GAN生长 热壁反应器 数值模拟 
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