GAN生长

作品数：22被引量：63H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：左然徐茵顾彪陈景升于海群更多>>
相关机构：中国科学院东莞市中镓半导体科技有限公司大连理工大学江苏大学更多>>
相关期刊：《微纳电子技术》《功能材料与器件学报》《高技术通讯》《半导体技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长
《半导体技术》2025年第5期481-487,共7页高楠 房玉龙 王波 张志荣 尹甲运 韩颖 刘超 
GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H,刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AIN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬...
关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶 高温刻蚀 半高宽(FWHM) 
SiO_(2)图形化蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响被引量：2
《发光学报》2021年第4期526-533,共8页李思宏 侯想 罗荣煌 刘杨 钟梦洁 罗学涛 
厦门大学与福建中晶科技有限公司合作项目(XDHT2018582A)资助。
为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO_(2)薄膜,经过光刻和干法刻蚀技术制备了SiO_(2)图形化蓝宝石衬底(SiO_(2)patterned sapphire substrate,SPSS),利用LED器...
关键词：SiO_(2)蓝宝石复合衬底 LED芯片 位错密度 GaN 光提取效率 
HVPE GaN生长中TiN网栅的制备和作用
《微纳电子技术》2018年第10期768-774,共7页张嵩 齐成军 王再恩 孙科伟 
利用退火工艺在MOCVI）_GaN基片表面制作TiN网栅，同时基片可形成疏松的多孔GaN结构。退火过程中温度越高、氢气分压越大，所形成的孔隙越大越深。高温下GaN分解的Ga因与H结合成为气相而使多孔结构沟槽内无残余Ga滴，可作为之后GaN外延...
关键词：MoCVD—GaN TiN网栅 多孔GaN 退火 氢化物气相外延(HVPE) 热应力 
加高喷头MOCVD压强对生长影响的研究
《人工晶体学报》2015年第11期2994-2999,共6页徐龙权 唐子涵 曹盛 张建立 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA041002);江西省科技厅重大科技专项(20114ABF06102)
以低速旋转、加高喷头、垂直喷淋的MOCVD反应室为对象,运用三维数学输运模型分析与计算。在模拟过程中分析了压强的变化对高喷头反应室流场的影响,着重分析与讨论了操作压强变化与Ga N薄膜的沉积一致性及平均生长速率的关系,其次探讨了...
关键词：MOCVD 加高喷头 GAN生长 均匀性 数值模拟 
一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟被引量：3
《人工晶体学报》2011年第4期1065-1070,1082,共7页于海群 左然 陈景升 
国家自然科学基金(60376006);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
提出了一种多喷淋头式MOCVD反应器。针对新型反应器,对GaN生长的MOCVD过程进行了数值模拟,模拟考虑了热辐射和化学反应,计算了反应器内流场、温场和浓度场,导流筒壁面的寄生沉积以及GaN生长速率,并分析了反应室几何因素对生长均匀性的...
关键词：多喷淋头 MOCVD 反应器设计 GAN生长 数值模拟 
多片式热壁MOCVD反应器的设计与数值模拟分析被引量：1
《人工晶体学报》2011年第1期207-212,共6页彭鑫鑫 左然 于海群 陈景升 
国家自然科学基金(No.60376006)资助项目;江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
本文提出一种多反应腔并联的水平热壁MOCVD反应器,反应器上下(左右)壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的TMG浓度。由于取消了传统反应器的冷壁,减少了寄生产物的凝结,提高了反应前体的利用率和GaN的生长速率。可以...
关键词：MOCVD GAN生长 热壁反应器 数值模拟 
Si图形衬底的制备及半极性GaN生长
《华南师范大学学报（自然科学版）》2010年第4期60-63,共4页苏军 李述体 尹以安 曹健兴 
国家自然科学基金项目(50602018);广东省自然科学基金项目(06025083)
利用KOH溶液的各向异性腐蚀,通过研究温度、异丙醇(IPA)及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响,在Si(001)平面衬底上刻蚀出侧面为(111)面的槽状图形衬底.在此基础上,实现了GaN在Si图形衬底(111)侧面的生长.X射线双晶衍射测量GaN薄膜的Bragg角...
关键词：KOH溶液 各向异性腐蚀 异丙醇 超声波振动 半极性GaN Si图形衬底 
氮化镓生长反应模型与数值模拟研究(I)被引量：5
《人工晶体学报》2010年第B06期160-163,共4页王国斌 张永红 王怀兵 
对氮化镓(GaN)生长的化学反应过程进行了全面的阐述。从两条基本的反应路径出发,对各反应的机理进行了剖析,并结合近期的研究发现,提出了MOCVD生长GaN的核心反应模型。该化学反应动力学模型综合考虑了有效气相反应和表面反应,适用范围...
关键词：GAN生长 反应模型 反应路径 化学反应动力学 
MOCVD化学反应路径分析及数值模拟
《科学技术与工程》2010年第16期3951-3953,3957,共4页陈景升 左然 于海群 彭鑫鑫 
针对GaN薄膜沉积过程中涉及到的复杂的化学反应,依据GaN沉积的4个基本要素,提出MMG是GaN薄膜沉积的主要反应前体,并在TMG的气相分解路径中引入NH2基团。通过对表面反应机理的分析,提出了4条简化的表面反应路径。利用上述反应路径,对典...
关键词：GAN生长 MMG 反应路径 数值模拟 
氮化物MOCVD反应室流场的仿真与分析被引量：8
《人工晶体学报》2010年第1期226-231,共6页李志明 郝跃 张进成 许晟瑞 毕志伟 周小伟 
国家自然科学基金(No.60736033;60890191);国家科技重大专项(No.2008ZX01002-002)
在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关。通过分析涡旋产生的原因,...
关键词：GAN生长 MOCVD 数值仿真 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部