云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(G2000068303)

国家重点基础研究发展计划(G2000068303): 作品数：12被引量：37H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：王占国张春玲赵凤瑷陈涌海刘峰奇更多>>; 相关机构：中国科学院兰州大学武警医学院北京工业大学更多>>; 相关期刊：《物理学报》《物理》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》更多>>; 相关主题：GAAS量子点半导体量子点半导体分子束外延更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

解理面预处理方法对二次外延的影响被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第3期544-548,共5页张春玲唐蕾徐波陈涌海王占国; 国家自然科学基金((批准号:60390071;60276014;90101004);国家重点基础研究专项基金(批准号:G2000068303);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070)资助项目~~; 利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法...; 关键词：分子束外延量子线表面结构

GaAs基上的InAs量子环制备: 《固体电子学研究与进展》2006年第4期432-435,共4页李凯叶小玲金鹏王占国; 国家重点基础研究专项经费(No.G2000068303);国家自然科学基金(No.90301007;90101004;60290084);国家高技术研究与发展项目(No.2002AA311170); 在分子束外延系统中,利用3nmGaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500°C以及As2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环。这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量。InAs在GaAs表面的扩散...; 关键词：砷化铟量子环分子束外延砷化铟量子点覆盖

量子点的原子力显微镜测试结果分析:数学形态学的实现: 《Journal of Semiconductors》2005年第11期2120-2126,共7页金峰鲁华祥李凯陈涌海王占国; 国家自然科学基金(批准号:90207008);国家重点基础研究专项基金(批准号:G2000068303)资助项目~~; 提出了从原子力显微镜(AFM)照片中分割出量子点的算法,可以利用程序自动地统计照片中量子点的各种数据.该算法基于数学形态学的方法,包括三个步骤:首先根据照片中每个局部最高点的dynamics值,利用标记分水岭分割方法初步将每个量子点分...; 关键词：数学形态学分水岭变换量子点检测自动统计

Wet Oxidation of Al_x Ga_(1-x)As/GaAs Distributed Bragg Reflectors: 《Journal of Semiconductors》2005年第8期1519-1523,共5页李若园王占国徐波金鹏张春玲郭霞陈敏; 国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000068303,2002CB311905);国家自然科学基金(批准号:60390071,60276014,90101002,90101004,90201033);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070,2002AA311020,2002AA311170)资助项目~~; The wet oxidation of AlGaAs with high Al content in a distributed Bragg reflectors （DBR） is studied by scanning electron microscopy （SEM） and transmission electron microscopy （TEM）. Some voids distribute along t...; 关键词：wet oxidation vertical cavity surface emitting laser distributed Bragg reflectors AL2O3 INTERFACE

InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期184-188,共5页钱家骏叶小玲陈涌海徐波韩勤王占国; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068303),国家自然科学基金(批准号:60076024和90101002)和中国科学院"纳米科学与技术"(批准号:KJCX1-06-06)资助项目; 利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射...; 关键词：应变自组装量子点 InAs/GaAs多层堆垛量子点量子点激光器 MBE生长

利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2004年第12期1647-1651,共5页张春玲赵凤瑷徐波金鹏王占国; 国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000068303);国家自然科学基金(批准号:60290071;60276014;90101004;90201033);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070;2002AA311170)资助项目~~; 在 Ga As基 Inx Ga1 - x As(x=0 .15 )应变层上生长了 In As量子点 (QD)层 ,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程 ,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监测 ,并观察生长后的表面形貌 ,发现可以通过控制应变层厚...; 关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体材料应力量子点有序生长

半导体量子点及其应用(Ⅱ)被引量：1: 《物理》2004年第5期327-334,共8页赵凤瑷张春玲王占国; 国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 0 4;60 2 90 0 81);国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 3 );国家高技术研究发展计划(批准号 :2 0 0 2AA3 110 70 )资助项目; 关键词：半导体量子点半导体物理学量子器件半导体量子点激光器量子点红外探测器单光子光源

InP基应变自组装纳米材料及其光电子器件研究进展: 《微纳电子技术》2004年第4期8-17,共10页雷文陈涌海程伟明车晓玲刘俊歧黄秀颀王占国; 国家重点基础规划项目(G2000068303);国家自然科学基金项目(60290084); 半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值。本文对应变自组装InP基量子线(点)材料的生长制备、光学和电学特性及其在半导体激光器、红外探测器及其他光电子和微电子...; 关键词：INP 应变自组装光电子器件纳米材料半导体低维结构材料量子线材料红外探测器

半导体量子点及其应用(Ⅰ)被引量：28: 《物理》2004年第4期249-256,共8页赵凤瑷张春玲王占国; 国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 0 4;60 2 90 0 81);国家重点基础研究发展计划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 3 );国家高技术研究发展计划(批准号 :2 0 0 2AA3 110 70 )资助项目; 量子点 ,又称“人造原子” ,它是纳米科学与技术研究的重要组成部分 .由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的优异性能 ,构成了量子器件和电路的基础 ,在未来的纳米电子学、光电子学 ,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要...; 关键词：半导体量子点量子点制备量子点结构量子点检测纳米科学

InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究被引量：4: 《物理学报》2004年第1期301-305,共5页朱天伟徐波何军赵凤瑷张春玲谢二庆刘峰奇王占国; 国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000068303);国家自然科学基金(批准号:60076024;90101002;90201033);国家高技术研究发展计划项目(批准号:2002AA311070);中国科学院知识创新重大项目(批准号:KJCX10606)资助的课题~~; 利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子力显微镜 (AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀 ;...; 关键词：砷化铟砷化镓柱形岛生长停顿间隔层厚度 PL谱分子束外延量子点发光波长

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