国家自然科学基金(69976003)

作品数：5被引量：2H指数：1
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相关作者：邢启江徐万劲高文胜唐昕龙袁志军更多>>
相关机构：北京大学中国科学院力学研究所更多>>
相关期刊：《红外与毫米波学报》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》《功能材料与器件学报》更多>>
相关主题：光弹效应GAN材料GAN光电子器件光电子集成更多>>
相关领域：电子电信更多>>
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GaN材料键合技术研究进展被引量：1
《半导体光电》2003年第6期377-381,共5页袁志军 高文胜 唐昕龙 邢启江 
国家自然科学基金资助项目(69976003)
　GaN材料及其有关光电子器件的研制是近年来光电子研究领域内的研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术也可以研制出一些新型的光电子器件,这些器件用其他生长技术是不可能实现的。概括地介...
关键词：GAN 外延片键合 光电子集成 
光弹效应在光电子器件中的应用被引量：1
《红外与毫米波学报》2002年第z1期1-6,共6页邢启江 徐万劲 高文胜 袁志军 孙锴 王爱民 
国家自然科学基金(批准号69976003)资助项目
在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样压应...
关键词：WNi/半导体接触 光弹效应 光弹波导结构 平面型光弹光电子器件. 
在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用
《Journal of Semiconductors》2001年第7期846-852,共7页邢启江 徐万劲 武作兵 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :699760 0 3 )
从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引...
关键词：侧向光 光弹效应 InGaAsP/InP双异质结构 半导体材料 
由W_(0.95)Ni_(0.05)金属薄膜形成光弹波导结构的热稳定性
《半导体光电》2001年第1期21-25,37,共6页邢启江 徐万劲 
国家自然科学基金!资助项目 (6 9976 0 0 3)
InGaAsP/InP双异质结构外延片在直流负偏压 12 0V作用下 ,利用射频溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为 110nm的W0 .95Ni0 .0 5金属薄膜应变条 ,并在该应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹...
关键词：光弹效应 热稳定性 金属薄膜 波导结构 
高温退火对InGaAsP/InP双异质结光弹波导结构的影响
《功能材料与器件学报》2000年第3期266-269,共4页邢启江 
国家自然科学基金资助项目!(69976003)
光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下,利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条。在W0.95－Ni0.05金属薄膜应变条...
关键词：平面型波导器件 INGAASP/INP 高温退火 
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