重庆市自然科学基金(AC4034)

作品数：6被引量：21H指数：2
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Zn_(1-x)Mg_xO薄膜及其p型掺杂的研究进展
《材料导报》2011年第17期28-32,41,共6页黄桂娟 孔春阳 秦国平 
重庆市自然科学基金(AC4034)
Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应...
关键词：Zn1-xMgxO薄膜 宽禁带半导体材料 P型掺杂 
p型ZnO∶Mn-N薄膜的制备及特性研究被引量：1
《重庆师范大学学报（自然科学版）》2009年第3期82-85,共4页阮海波 孔春阳 秦国平 南貌 
重庆市自然科学基金(No.AC4034)
用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了较高结晶质量的ZnO：Mn薄膜，继而进行N离子注入和退火处理，成功实现了ZnO薄膜的Mn—N两步法共掺杂和P型转变。利用X射线衍射（XRD）、Hall测试、分光光度计、X射线光电子能谱（XPS）等测试手...
关键词：射频测控溅射 离子注入 Mn—N共掺 退火 电激活 P型ZNO 
粉末溅射制备N-In共掺p型ZnO薄膜
《重庆师范大学学报（自然科学版）》2009年第2期108-110,124,共4页南貌 阮海波 秦国平 孔春阳 
重庆市自然科学基金(No.AC4034)
在石英玻璃衬底上以ZnO∶In2O3粉末为靶材,采用射频磁控溅射法制备出具有良好c轴择优取向的ZnO∶In薄膜,继而对样品进行二次N离子注入掺杂,成功实现N-In共掺p型ZnO薄膜。借助XRD、Hall测试、XPS和透射谱测试手段研究分析了共掺ZnO薄膜...
关键词：N—In共掺杂 离子注入 P型ZNO 透射谱 
退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响被引量：9
《重庆师范大学学报（自然科学版）》2008年第1期64-66,72,共4页秦国平 孔春阳 阮海波 南貌 朱仁江 
重庆市自然科学基金(No.AC4034);重庆市教委项目(No.KJ050812)
利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600...
关键词：N-In共掺杂 P型ZNO 退火 透射谱 
p型ZnO薄膜的制备及特性被引量：11
《物理学报》2007年第10期5974-5978,共5页王楠 孔春阳 朱仁江 秦国平 戴特力 南貌 阮海波 
重庆市自然科学基金(批准号:AC4034);重庆市教委项目(批准号:KJ050812)资助的课题~~
采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征,结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向,退火后p型ZnO薄...
关键词：离子注入 P型ZNO薄膜 退火 射频磁控溅射 
P型ZnO薄膜的制备及特性研究被引量：2
《重庆师范大学学报（自然科学版）》2007年第2期21-21,共1页孔春阳 王楠 朱仁江 秦国平 戴特力 南貌 阮海波 
重庆市自然科学基金(No.AC4034);重庆市教委科研基金项目(N0.KJ050812)
ZnO是一种新型的自激活宽带隙半导体材料，是一种理想的短波长发光器件材料，在光电子、高温大功率器件、高频微波器件以及信息技术领域等方面有着广阔的应用前景，实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜光电子应用的关键。本文用射频磁控...
关键词：离子注入 P型ZNO薄膜 退火 射频磁控溅射 
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