国家自然科学基金(10990102)

作品数：6被引量：16H指数：3
导出分析报告
相关作者：张宝顺刘帆苑进社王玮李海军更多>>
相关机构：中国科学院重庆师范大学无锡晶凯科技有限公司中国科学院研究生院更多>>
相关期刊：《光学学报》《半导体技术》《物理学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关主题：GAN表面等离子体激元ICP刻蚀SPR传感器氮化镓更多>>
相关领域：理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
金属-半导体-金属结构A1GaN／GaN异质结紫外探测器技术及特性被引量：3
《光学学报》2014年第13期37-39,共3页杨乐臣 付凯 史学舜 陈坤峰 李立功 张宝顺 
基金项目：国家自然科学基金（10990102）、“十二五”计量技术基础科研项目（J312013A001）
制备了金属-半导体-金属（MSM）结构的A1GaN／GaN异质结紫外探测器，探测器采用Ni／Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I-V特性。此探测器具有两个光谱响应范围，光谱响应的峰值响应率分别为288nm处0．717A／W和366nm处0...
关键词：探测器 紫外 A1GaN GAN 金属-半导体-金属 光电探测器 
Growth of N-polar GaN on vicinal sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition
《Rare Metals》2014年第6期709-713,共5页Can-Tao Zhong Guo-Yi Zhang 
financially supported by the National Basic Research Program of China (Nos. 2012CB619303 and 2012CB619304);the National Natural Science Foundation of China (Nos. 11023003, 10990102, 11174008 and 61076012);the National High Technology Research & Development Project of China (No. 2011AA03A103)
The growth and properties of N-polar Ga N layers by metal organic chemical vapor deposition（MOCVD） were reported. It is found that N-polar Ga N grown on normal sapphire substrate shows hexagonal hillock surface morp...
关键词：GAN N-polarity Metal organic chemical vapor deposition 
InAlN材料表面态性质研究被引量：2
《物理学报》2013年第17期439-445,共7页杨彦楠 王新强 卢励吾 黄呈橙 许福军 沈波 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2012CB619303,2012CB619304);国家自然科学基金(批准号:61225019,11023003,10990102);国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2011AA050514,2011AA03A103,2011AA03A111);教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目资助的课题~~
运用电流-电压(I-V),变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C-V方法测量得到的实验...
关键词：不同In组分的InAlN材料 表面态 电流 电压特性 变频电容 电压特性 
ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制被引量：5
《固体电子学研究与进展》2012年第3期219-224,共6页王玮 蔡勇 张宝顺 黄伟 李海鸥 
国家自然科学基金资助项目(10990102);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011173)
深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件...
关键词：电感耦合等离子体 刻蚀 氮化镓 侧壁倾角 射频功率 
透射式金属光栅耦合SPR传感器被引量：5
《半导体技术》2012年第6期452-455,共4页刘帆 苑进社 李海军 
国家自然科学基金(10990102)
用磁控溅射技术在双面抛光的蓝宝石衬底上沉积了20 nm Ti和100 nm Au的金属薄膜,通过标准光刻工艺制备出1.6和2.0μm两种周期结构的一维光栅表面等离子体共振(SPR)传感器。用时域有限差分算法(FDTD)模拟仿真并结合实验测试的透射光谱,...
关键词：SPR传感器 表面等离子体激元 金属光栅 透射 共振峰 
GaAs衬底制备40nmT型栅工艺被引量：1
《重庆理工大学学报（自然科学）》2012年第6期95-97,共3页刘帆 苑进社 时文华 
国家自然科学基金资助项目(10990102)
采用双层胶工艺电子束光刻在GaAs衬底上制备40 nm栅长T型栅。制备过程仅需1次曝光1次显影,使得工艺制备过程得到简化;优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条。实验结果表明,该方法能制备40 nm栅长的T型栅,基本满足器件制作要求。
关键词：T型栅 双层胶 1次曝光1次显影 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部