云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2006CB604904)

国家重点基础研究发展计划(2006CB604904): 作品数：18被引量：20H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：王占国金鹏杨新荣王佐才吕雪芹更多>>; 相关机构：中国科学院邯郸学院浙江工业大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《Journal of Semiconductors》《中国科学：物理学、力学、天文学》《低温物理学报》《Chinese Physics B》更多>>; 相关主题：量子点INAS/GAAS超辐射发光管QUANTUM-DOT量子线更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

InP基InAs量子线异常的变温光致发光谱研究被引量：1: 《低温物理学报》2017年第3期31-34,共4页杨新荣王海飞赵晶周晓静徐波王占国; 国家自然科学基金项目(批准号:60990315);国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2006CB604904);邯郸市科学技术研究与发展计划项目(批准号:1621202043-1)资助的课题; 制备了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子线结构,利用变温光致发光谱(PL)研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰位呈异常的S型变化,即:在15K^35K时峰位红移;在35K^55K温度范围内峰位发生了蓝移;随后随温度进一步增加,...; 关键词：量子线光致发光谱 S型峰位变化

As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响: 《西南大学学报（自然科学版）》2017年第3期115-119,共5页谷云高杨新荣周晓静徐波王俊忠; 国家自然科学基金(60990315);国家重点基础研究发展规划项目(2006CB604904);河北省科学技术研究与发展指导项目(Z2010112);河北省科技支撑计划项目(10213936;10213938);邯郸学院博士科研启动经费项目(2009002); 利用固源分子束外延(MBE)设备生长出InAs/InAlAs/InP(001)纳米结构材料,探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响.结果表明,As压调制的InAlAs超晶格能有效地调整InAs纳米结构的形貌特性、发光峰位,改善发光线宽,提高...; 关键词：InAlAs超晶格 InAs纳米结构光学特性

Self-assembly of InAs quantum dots on GaAs（O01） by molecular beam epitaxy: 《Frontiers of physics》2015年第1期7-58,共52页Ju Wu Peng Jin; The work was supported by the National Basic Research Program of China （Grant No. 2006CB604904） and the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 61274072, 60976057, 60876086 and 60776037）.; Currently, the nature of self-assembly of three-dimensional epitaxial islands or quantum dots （QDs） in a lattice-mismatched heteroepitaxial growth system, such as InAs/GaAs（001） and Ge/Si（001） as fabricated by m...; 关键词：molecular beam epitaxy InAs quantum dots

InAs/GaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes with active multimode interferometer configuration被引量：2: 《Chinese Physics B》2013年第4期523-526,共4页李新坤金鹏梁德春吴巨王占国; Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB604904);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60976057, 61274072, and 60876086); With a chirped InAs/GaAs SML-QD （quantum dot） structure serving as the active region, the superluminescent diodes emitting at wavelength of around 970nm are fabricated. By using an active multimode interferometer co...; 关键词：quantum dot SUBMONOLAYER self-assembled superluminescent diode

InP基近红外波段量子线激光器的温度特性研究被引量：1: 《物理学报》2012年第21期365-368,共4页杨新荣徐波赵国晴申晓志史淑惠李洁王占国; 国家自然科学基金(批准号:60990315);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604904);河北省科学技术研究与发展指导项目(批准号:Z2010112);河北省科技支撑计划项目(批准号:10213936)资助的课题~~; 制备了InP基近红外波段量子线激光器,在激光器温度特性分析中,观察到了反常的特征温度分布曲线.随着热沉温度增加,在120—180 K时,激光器阈值电流随温度升高出现下降趋势,即出现了负的特征温度.分析认为负特征温度的出现是由于随温度变...; 关键词：量子线激光器特征温度

Broadband light emitting from multilayer-stacked InAs/GaAs quantum dots: 《Chinese Physics B》2012年第11期408-411,共4页刘宁金鹏王占国; Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB604904);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60976057,61274072,and 60776037); We report the effect of the GaAs spacer layer thickness on the photoluminescence （PL） spectral bandwidth of InAs/GaAs self-assembled quantum dots （QDs）. A PL spectral bandwidth of 158 nm is achieved with a five-la...; 关键词：quantum dots broudband spectrum superluminescent diode

应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第3期237-241,共5页杨新荣徐波赵国晴周晓静王占国; 国家自然科学基金(批准号:60990315);国家重点基础研究发展规划(编号:2006CB604904)资助项目; 利用固源分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)设备生长出InAs/InAlGaAs/InP(001)纳米结构材料,探讨了应变补偿技术和生长停顿对InAs纳米结构形貌的影响.应变补偿技术的引入导致量子点和量子线混合结构的形成,有望成为超宽带半导体...; 关键词：量子线量子点应变补偿生长停顿

InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm: 《Chinese Physics B》2012年第2期548-551,共4页Li Xin-Kun Liang De-Chun Jin Peng An Qi Wei Heng Wu Jian Wang Zhan-Guo; supported by the National Basic Research Program of China (Grant No.2006CB604904);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.60876086,60976057,and 60776037); According to the InAs/GaAs submonolayer quantum dot active region, we demonstrate a bent-waveguide superluminescent diode emitting at a wavelength of around 970 nm. At a pulsed injection current of 0.5 A, the device e...; 关键词：quantum dot SUBMONOLAYER SELF-ASSEMBLED superluminescent diode

Short-wavelength InAlGaAs/AlGaAs quantum dot superluminescent diodes被引量：1: 《Chinese Physics B》2011年第10期486-490,共5页梁德春安琪金鹏李新坤魏恒吴巨王占国; supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB604904);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60876086, 60976057, and 60776037); This paper reports the fabrication of J-shaped bent-waveguide superluminescent diodes utilizing an InAl- GaAs/AlGaAs quantum dot active region. The emission spectrum of the device is centred at 884 nm with a full widt...; 关键词：InAiGaAs quantum dot superluminescent diode optical coherence tomography shortwavelength

Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device被引量：1: 《Chinese Physics B》2011年第6期247-251,共5页吴剑吕雪芹金鹏孟宪权王占国; Project supported by the National Key Basic Research and Development Program of China (Grant No. 2006CB604904);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60976057, 60876086, 60776037, and 10775106); A broadband tunable grating-coupled external cavity laser is realized by employing a self-assembled InAs/GaAs quantum-dot （QD） superluminescent diode （SLD） as the gain device. The SLD device is processed with a be...; 关键词：quantum dot external cavity laser broadband tuning

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