国家重点基础研究发展计划(2001GB309506)

作品数：7被引量：25H指数：3
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相关作者：桂永胜郭少令仇志军疏小舟褚君浩更多>>
相关机构：中国科学院兰州大学北京大学更多>>
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相关主题：二维电子气拍频HGTEHGCDTE半导体异质结更多>>
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窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究
《物理学报》2006年第6期2955-2960,共6页朱博 桂永胜 周文政 商丽燕 仇志军 郭少令 张福甲 褚君浩 
国家重点基础研究项目(批准号:2001GB309506);国家自然科学基金(批准号:60221502;10374094)资助的课题~~
通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0·82Cd0·16Mn0·02Te/Hg0·3Cd0·7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究,发现不仅温度的变化能够引起磁阻拍频节点位置的变化.而且改变磁场方向,可以分别调整塞曼分...
关键词：磁性二维电子气 自旋分裂 塞曼分裂 拍频 
Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应被引量：1
《物理学报》2006年第5期2498-2503,共6页朱博 桂永胜 周文政 商丽燕 郭少令 褚君浩 吕捷 唐宁 沈波 张福甲 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2001GB309506);国家自然科学基金(批准号:60221502;10374094;60444007;60136020);国家杰出青年基金(批准号:60325413);教育部博士点基金(批准号:20020284023)资助的课题~~
通过磁输运测量研究了Al0·22Ga0·78N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0·22Ga0·78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨道散射.同时讨论了...
关键词：二维电子气 弱局域 磁阻 
窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡被引量：1
《物理学报》2006年第2期786-790,共5页朱博 桂永胜 仇志军 周文政 姚炜 郭少令 褚君浩 张福甲 
国家重点基础研究项目(批准号:2001GB309506);国家自然科学基金(批准号:60221502;10374094)资助的课题.~~
通过对调制掺杂的n型Hg_(0.82)Cd_(0.16)Mn_(0.02)Te/Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研究,发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化.从对拍频的分析中,可以将依赖于栅压的Rashba自旋-轨道...
关键词：磁性二维电子气 自旋分裂 sp-d交换相互作用 拍频 
掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2004年第5期329-332,共4页仇志军 桂永胜 崔利杰 曾一平 黄志明 疏小舟 戴宁 郭少令 禇君浩 
国家重点基础研究项目 ( 2 0 0 1GB3 0 95 0 6);国家自然科学基金项目 ( 60 2 2 15 0 2 ;10 3 740 94)
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率...
关键词：单量子阱 二维电子气 输运 迁移率 载流子 拍频现象 掺杂 电子对 对称 能级 
HgMnTe磁性二维电子气自旋-轨道和交换相互作用研究被引量：8
《物理学报》2004年第6期1977-1980,共4页仇志军 桂永胜 疏小舟 戴宁 郭少令 禇君浩 
国家重大基础研究项目 (批准号 :2 0 0 1GB3 0 95 0 6) ;国家自然科学基金 (批准号 :60 2 2 15 0 2 ;10 3 740 94)资助的课题~~
通过分析不同温度下HgMnTe磁性二维电子气Shubnikov deHass(SdH)振荡的拍频现象 ,研究了量子阱中电子自旋 轨道相互作用和sp d交换相互作用 .结果表明 :(1 )在零磁场下 ,电子的自旋 轨道相互作用导致电子发生零场自旋分裂 ;(2 )在弱磁场...
关键词：磁性二维电子气 窄禁带稀磁半导体 Zeeman分裂 Rashba自旋分裂 拍频现象 电子自旋 轨道相互作用 
HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂被引量：15
《物理学报》2004年第4期1186-1190,共5页仇志军 桂永胜 疏小舟 戴宁 郭少令 禇君浩 
国家重点基础研究发展规划(批准号 :2 0 0 1GB30 950 6 );国家自然科学基金(批准号:6 0 2 2 1 50 2;1 0 374 0 94 )资助的课题~~
主要研究具有倒置能带结构的n HgTe HgCdTe第三类量子阱Shubnikov deHaas(SdH)振荡中的拍频现象 .发现在量子阱中电子存在强烈的Rashba自旋分裂 ,通过对SdH振荡进行三种不同方法的分析 :SdH振荡对 1 B关系的快速傅里叶变换、SdH振荡中...
关键词：量子阱 Rashba自旋分裂 能带结构 碲化汞 汞镉碲 半导体异质结 
变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究被引量：6
《物理学报》2003年第11期2879-2882,共4页仇志军 蒋春萍 桂永胜 疏小舟 郭少令 褚君浩 崔利杰 曾一平 朱战平 王保强 
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :2 0 0 1GB3 0 95 0 6)资助的课题~~
在变缓冲层高迁移率晶体管 (MM_HEMT)器件中 ,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用 .通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象 ,结合变温度的Hall测量 ,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度...
关键词：变缓冲层高迁移率晶体管 MM-HEMT材料 量子振荡 毫米波器件 横向磁阻振荡 Shubnikov-de Hass振荡 微波电子学 
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