国家自然科学基金(50372057)

作品数:12被引量:37H指数:3
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相关机构:浙江大学武汉军械士官学校更多>>
相关期刊:《真空科学与技术学报》《硅酸盐学报》《压电与声光》《物理学报》更多>>
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预极化对PST薄膜介电可调性的影响
《稀有金属材料与工程》2008年第A02期188-191,共4页郑赞 杜丕一 赵冉 翁文剑 韩高荣 
国家自然科学基金(50372057);国家自然科学基金重点项目(50332030)
采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜。利用XRD测定了薄膜的相结构,精密阻抗分析仪研究了薄膜的介电性能。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可...
关键词:Zn掺杂PST薄膜 预极化 介电可调 
湿化学法制备β-PVDF/NiZn铁氧体复合膜的微结构和介电性能被引量:2
《稀有金属材料与工程》2008年第A02期139-142,共4页陈倩 杜丕一 金璐 翁文剑 韩高荣 
国家自然科学基金(50372057);国家自然科学基金重点项目(50332030)
采用溶液浸渍提拉法制备了β-PVDF/NiZn铁氧体复合膜。PVDF在60℃下恒温结晶时主要形成了极性的正交相β晶型,呈典型的球晶结构晶体,以较疏松颗粒堆积形式存在,膜的致密度较低,电容达到30~45pF,比未加NiZn铁氧体的单相PVDF膜提高了3~5...
关键词:β-PVDF NIZN铁氧体 复合膜 晶相形成 介电性能 
取向PT薄膜的溶胶-凝胶法制备及其对PST薄膜的取向诱导
《稀有金属材料与工程》2008年第A02期120-123,共4页陈敬峰 杜丕一 覃莹 韩高荣 翁文剑 
国家自然科学基金(50372057);国家自然科学基金重点项目(50332030)
采用溶胶-凝胶工艺,以TbCl3作为掺杂剂,在无规取向的ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了高度择优取向的PbTiO3(PT)铁电薄膜。通过对不同前驱溶液浓度、热处理工艺、热处理时间和温度制备的PT薄膜样品的XRD图谱进行分析,得出了较为优化...
关键词:钛酸铅 薄膜 取向生长 诱导层 
磁控溅射法制备具有同质缓冲层的PST薄膜被引量:1
《压电与声光》2008年第3期337-339,共3页李敏睿 杜丕一 袁东升 王问斯 
国家自然科学基金资助项目(50372057和50332030);教育部高等学校博士专项科研基金资助项目(20020335017)
采用射频磁控溅射法制备了以低功率溅射得到的PbxSr1-xTiO3(PST)薄膜为缓冲层(同质缓冲层)的PST双层薄膜。通过X-射线衍射、扫描电镜、阻抗分析仪和铁电分析仪对薄膜相结构、表面形貌、介电损耗和铁电性能进行了测试分析。结果表明,以...
关键词:铁电薄膜 PbxSr1-xTiO3(PST) 磁控溅射 同质缓冲层 
Mg掺杂Pb_(0.3)Sr_(0.7)(Ti_(1-x)Mg_xO)_(3-x)陶瓷薄膜的制备及介电性能研究被引量:1
《稀有金属材料与工程》2008年第A01期86-89,共4页陈敬峰 杜丕一 覃莹 翁文剑 韩高荣 
国家自然科学基金(50372057);国家自然科学基金重点项(50332030);国家重大基础研究项目("973"计划)(2002CB613302)资助
利用固相烧结法制备的Mg掺杂Pb_(0.3)Sr_(0.7)(Ti_(1-x)Mg_x)O_(3-x)(PST)陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基板上成功制备了Mg掺杂PST薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分别测定PST薄膜的物相结构、表面形貌及...
关键词:PST薄膜 射频磁控溅射 Mg掺杂 介电性能 
Zn掺杂制备介电可调PST薄膜
《稀有金属材料与工程》2008年第A01期763-766,共4页郑赞 杜丕一 赵冉 翁文剑 韩高荣 
国家自然科学基金(50372057);国家自然科学基金重点项目(50332030)
采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3(PST)铁电薄膜。XRD结果表明:550℃和600℃不同热处理条件下烧结的薄膜均呈单一的钙钛矿相结构。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能...
关键词:介电可调 PST薄膜 溶胶凝胶 Zn掺杂 制备方法 
Fe-Ni-BaTiO_3复合材料的介电行为及其机理研究被引量:12
《物理学报》2006年第7期3664-3669,共6页黄集权 洪兰秀 韩高荣 翁文剑 杜丕一 
国家自然科学基金(批准号:50372057和50332030);国家重点基础研究专项基金(批准号:2002CB613302)资助的课题.~~
利用金属铁、镍(Fe与Ni保持mol比为22∶78不变)与钛酸钡复合,在保护气氛下成功烧结制备了高介电常数Fe-Ni-BaTiO3复合陶瓷材料,并研究了该复合材料的电导和介电性能及其物理机理.分析结果表明,由于渗流效应,随着陶瓷中金属含量的增加,...
关键词:Fe-Ni-BaTiO3 渗流理论 介电性能 Maxwell-Wagner效应 
Ni,Fe离子掺杂对Ge-Sb-Se薄膜的结构与性能影响研究被引量:3
《物理学报》2005年第11期5329-5334,共6页张海芳 杜丕一 翁文剑 韩高荣 
国家自然科学基金(批准号:50372057和50332030);教育部高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20020335017).~~
采用低温烧结靶材,以电子束蒸发方法制备了掺Fe和掺Ni的Ge-Sb-Se薄膜,所制备的薄膜均为p型半导体.用AFM,UV-VIS,Hall和阻抗分析仪研究了薄膜的形貌、结构和性能.研究表明薄膜形成时的成膜离子活性大、掺杂元素与系统本征元素电负性间差...
关键词:离子掺杂 Ge-Sb-Se薄膜 低温烧结靶材 电子束蒸发 阻抗分析 热处理 网络结构 
Mg掺杂PST薄膜的溶胶-凝胶法制备及晶相形成研究被引量:3
《物理学报》2005年第11期5411-5416,共6页杜丕一 隋帅 翁文剑 韩高荣 汪建勋 
国家自然科学基金(批准号:50372057和50332030);国家重点基础研究专项基金(批准号:2002CB613302)资助的课题.~~
利用溶胶-凝胶法成功制备了Mg掺杂Pb0.4Sr0.6MgxTi1-xO3-x薄膜,利用x射线衍射仪对薄膜的物相和结构进行了分析,用扫描电子显微镜对薄膜的形貌和断面等进行了观察.研究结果表明,薄膜以立方钙钛矿为晶相,薄膜中晶相以团聚状颗粒存在,晶相...
关键词:溶胶-凝胶法 PST薄膜 Mg掺杂 晶相形成 溶胶-凝胶法 Mg掺杂 晶相形成 薄膜 制备 PST 钙钛矿结构 扫描电子显微镜 热处理过程 
PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的结构及光学性能研究被引量:2
《真空科学与技术学报》2005年第3期192-195,203,共5页张翼英 杜丕一 韩高荣 翁文剑 汪建勋 
国家自然科学基金(50372057和50332030);教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20020335017)
aSi1xCx∶H的禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变。深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响尤为重要。本文采用PECVD法,以硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)为反应气源,通过选用不同的沉积功率及不同的组成制备出aSi1xCx...
关键词:a-Si1-xCx:H薄膜 Si-C键 光学带隙 
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