北京市人才强教计划项目(05002015200504)

作品数:35被引量:86H指数:6
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量子阱激光器的阈值电流与腔长关系
《固体电子学研究与进展》2010年第2期165-168,共4页段天利 崔碧峰 王智群 沈光地 
国家973计划项目(2006CB604902);国家863计划项目(SQ2007AA03Z431230);北京市人才强教计划项目(05002015200504);国家重点基础研究发展规划项目(2008ZX1001-014)
一般激光器的阈值电流会随着腔长增加而增大,但是最近发现单量子阱激光器的阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。造成这样现象的原因是由于激光器有源区不掺杂和采用了线形渐变折射率导引机制的量子阱激光器结构,这样可以有效的减少载...
关键词:阈值电流 内损耗 阈值增益 
高分子自组装掩膜的制备被引量:1
《高分子材料科学与工程》2010年第1期151-154,共4页邓琛 徐晨 徐丽华 邹德恕 蒋文静 戴天明 李晓波 沈光地 
国家863计划项目资助(SQ007AA03Z431230);北京市人才强教计划项目资助(05002015200504)
利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,采用溶液共混和旋转涂膜的方法制得聚苯乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯(PS/PMMA)高分子共混物薄膜,对薄膜经过再加工得到具有纳米微孔的PMMA薄膜,研究了对溶液进行超声处理的时间、PS/PMMA共混物溶液浓...
关键词:高分子 自组装 微结构 发光二极管 
Ⅴ/Ⅲ对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响
《光电子.激光》2009年第7期867-869,共3页丁亮 李建军 康玉柱 于晓东 邓军 韩军 沈光地 
国家自然科学基金资助项目(60506012);北京市科委重点资助项目(D0404003040221);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504);北京工业大学第六届研究生科技基金资助项目
利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD),对红光发光二极管(LED)的窗口层掺杂进行研究。分别在Ⅴ/Ⅲ比为13、26和52的情况下生长GaP材料,结果发现,Ⅴ/Ⅲ比影响Mg的掺杂浓度和载流子迁移率。在上述Ⅴ/Ⅲ比下生长的GaP,外延生长出红光...
关键词:红光发光二极管(LED) 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAP Ⅴ/Ⅲ比 
条形列阵激光器侧向隔离研究
《固体电子学研究与进展》2009年第3期395-398,共4页段天利 崔碧峰 张蕾 邹德恕 王智群 沈光地 
国家973计划(2006CB604902);国家863计划(2006AA03A121);北京市人才强教计划项目(05002015200504)
对条形激光器漏电流进行了理论分析,结果表明,漏电流占注入电流的比例随着激光器条形台面宽度的增大而降低,因此实验中采用宽条形台面激光器。同时根据理论分析做对比实验得出,在不增加非辐射复合情况下,隔离槽与台面越近越能充分发挥...
关键词:列阵激光器 漏电流 隔离槽 
提高发光二极管出光效率的新方法被引量:6
《光电子.激光》2009年第5期580-582,共3页邓琛 徐晨 徐丽华 邹德恕 蒋文静 戴天明 李晓波 沈光地 
国家"863"计划资助项目(SQ2007AA03Z431230);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504)
利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,制备出具有纳米微孔的PMMA薄膜,以此为掩膜对发光二极管(LED)表面进行湿法腐蚀,得到表面微结构,并研究了腐蚀时间对表面形貌的影响。测试结果表明,当微孔直径在500nm左右、腐蚀深度约140nm时,...
关键词:表面微结构 自组装 发光二极管(LED) 出光效率 
功率LED热特性分析被引量:6
《照明工程学报》2009年第2期30-34,共5页毛德丰 郭伟玲 高国 沈光地 
国家863计划项目资助(SQ2007AA03Z431230);北京市人才强教计划项目资助(05002015200504)
随着LED功率的升高,热应力对LED的影响越来越显著,过高的结温不但会使器件寿命急剧衰减,还会严重影响LED的峰值波长,光功率,光通量等诸多性能参数。因此精确掌握LED器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在...
关键词:光电子 热阻 正向电压法 功率发光二极管 
快速热退火对电子束蒸镀的ITO膜光电特性影响
《光电子.激光》2009年第3期346-349,共4页张国伟 朱彦旭 李天 沈光地 
国家"973"计划资助项目(2006CB604902);国家"863"计划资助项目(2006AA03A121);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504)
用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED所用的ITO膜,然后在N2气环境中进行快速热退火(RTA)处理,对ITO膜的各项特性进行测试分析。结果表明,ITO的电阻率并不随RTA温度上升单调下降,而是在达到一个峰值后下降,在不超过240s时间内...
关键词:电子束蒸镀 ITO 快速热退火(RTA) 电阻率 折射率 
超薄膜腐蚀自停止技术的缺陷分析被引量:1
《红外与激光工程》2009年第3期410-413,432,共5页李晓波 徐晨 戴天明 邓琛 沈光地 
国家863计划资助项目(SQ2007AA03Z431230);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504)
作为气动红外探测器密封微电容检测腔的核心部件,要求敏感薄膜必须无孔,平整。浓硼硅腐蚀自停止技术制备超薄膜时,扩散前待扩硼区经常会存在各种表面微缺陷,导致扩硼后,再进行反向腐蚀形成的超薄膜会出现微腐蚀孔。利用小孔扩散模型和...
关键词:浓硼重掺杂硅薄膜 气动红外探测器 钻蚀缺陷 小孔扩散模型 微腐蚀孔 
发光二极管表面结构对出光特性的影响被引量:4
《光电子.激光》2009年第2期174-177,共4页张玉敏 邹德恕 韩金茹 沈光地 
北京市科委资助项目(D04003040221);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504);北京工业大学研究生科技基金资助项目(YKJ-2007-3005)
用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备出具有不同表面层结构的LED。通过实验结果对比表明,表面生长λ...
关键词:ALGAINP发光二极管 增透膜 传输矩阵法 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 掺铟氧化锡(ITO) 
具有纳米级结构出光面的AlGaInP基发光二极管被引量:7
《光电子.激光》2008年第10期1301-1303,共3页徐丽华 邹德恕 邢艳辉 宋欣原 徐晨 沈光地 
国家“973”计划资助项目(2006CB604902);国家“863”计划资助项目(2006AA03A121);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504)
研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管(LED)表面进行粗化的技术,使光输出得到了提高。粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED,光强提高了27%,光功率提高了12.6%,实验结果具有可重复性。可以进一步优化A...
关键词:表面粗化 金属纳米掩膜 干法刻蚀 
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