天津市高等学校科技发展基金计划项目(JW20051201)

作品数：4被引量：11H指数：2
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相关作者：王光伟张建民曹继华郑宏兴李炳宗更多>>
相关机构：天津职业技术师范大学天津工程师范大学复旦大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关主题：半导体半导体材料集成电路光伏发电光伏产业更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理更多>>
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半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术被引量：3
《半导体技术》2006年第12期881-886,891,共7页王光伟 
天津市高校科技发展基金资助项目(JW20051201)
综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路上的应用。
关键词：锗硅 薄膜材料 固相结晶 固相反应 集成电路 
激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用综述被引量：1
《天津工程师范学院学报》2006年第3期19-23,共5页王光伟 宋延民 张建民 郑宏兴 
天津市高校科技发展基金(JW20051201)
综述了近年来激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用。指出了现有的广泛用于集成电路结形成的离子注入加快热退火技术,不能适应纳米超浅源、漏结的制备及其原因,分析了激光的独特优点以及用于超浅结形成的可行性。纳米超浅结要求结深和...
关键词：激光退火 激光掺杂 集成电路 纳米尺度 超浅结 
溅射SiGe薄膜及其等时等温退火效应被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第5期846-851,共6页王光伟 茹国平 张建民 曹继华 李炳宗 
天津市高校科技发展基金资助项目(批准号:JW20051201)~~
分别在n-Si（100）和SiO2衬底上用离子束溅射法淀积SiGe薄膜，用俄歇电子谱测定薄膜Ge含量为15％～16％，对样品进行常规炉退火以考察退火温度和时间对薄膜结晶度的影响，采用X射线衍射确定薄膜物相，发现在同样退火条件下，SiGe在n-Si...
关键词：SiGe薄膜 离子束溅射 炉退火 晶粒生长 半导体材料 
太阳能电池产业与半导体锗硅薄膜的应用综述被引量：6
《天津工程师范学院学报》2006年第1期14-17,共4页王光伟 
天津市高校科技发展基金资助项目(JW20051201)
综述了世界及我国太阳能电池产业的发展。指出提升现有多晶薄膜型太阳能电池的光电转换效率并降低其成本是当前光伏电能领域的主要课题。为了同单晶硅太阳能电池竞争,薄膜型光电池必须在性能方面与之相当,成本应该更低。要获得更低的成...
关键词：锗硅薄膜 太阳能电池 光伏发电 光伏产业 半导体材料 
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