国家自然科学基金(11272018)

作品数:7被引量:49H指数:4
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相关作者:秦飞武伟安彤王珺陈思更多>>
相关机构:北京工业大学复旦大学天水华天科技股份有限公司昆山西钛微电子科技有限公司更多>>
相关期刊:《金属学报》《半导体技术》《红外与激光工程》《北京工业大学学报》更多>>
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热像仪对QFN封装表面发射率环境透射率的标定被引量:3
《红外与激光工程》2017年第9期208-212,共5页元月 宇慧平 秦飞 安彤 陈沛 
国家自然科学基金(11272018)
使用红外热像仪对未切割分离的QFN封装在40~200℃进行了塑封料面、铜面和"缝"表面发射率的标定,并分别利用上述三面对实验环境的空气透射率进行了标定。结果表明:直接计算法和直接调节法可以很好地应用于塑封料发射率标定,直接计算法可...
关键词:表面发射率 空气透射率 QFN封装 
硅通孔电镀填充铜的蠕变性能被引量:1
《北京工业大学学报》2016年第6期837-842,共6页武伟 秦飞 安彤 陈沛 宇慧平 
国家自然科学基金资助项目(11272018)
为了研究TSV-Cu的蠕变性能,首先利用典型的TSV工艺制作了电镀Cu的TSV试样,然后利用纳米压痕法对TSV-Cu进行了压痕蠕变测试.采用恒加载速率/载荷与恒载荷法相结合的方式,对TSV-Cu的蠕变行为进行了研究,测量了TSV-Cu在不同压入应变速率和...
关键词:硅通孔 TSV-Cu 纳米压痕 蠕变速率敏感指数 
硅通孔转接板封装结构多尺度问题的有限元模型被引量:10
《工程力学》2015年第10期191-197,共7页秦飞 沈莹 陈思 
国家自然科学基金项目(11272018);国家科技重大专项项目(2014ZX02502-004)
三维硅通孔转接板封装结构中,存在大量的微凸点与微焊球,尺寸相差3个数量级,这种结构多尺度给有限元分析模型的建立带来困难。以板级封装焊锡接点热疲劳寿命的有限元计算为目标,采用均匀化方法将芯片与转接板间的微凸点/下填料层以及转...
关键词:硅通孔转接板 结构多尺度 均匀化方法 有限元模型 热疲劳寿命 
TSV转接板组装工艺对微凸点可靠性的影响被引量:3
《工程力学》2015年第6期251-256,共6页陈思 秦飞 夏国峰 
国家自然科学基金项目(11272018)
TSV转接板组装工艺过程引起的封装结构翘曲和应力对微凸点可靠性有重要影响。该文采用有限元方法,分析了TSV转接板封装自上至下和自下至上两种组装工艺流程,通过比较工艺应力/应变和翘曲得到较优工艺流程;针对优选工艺流程,分析了不同...
关键词:TSV转接板 数值模拟 工艺流程 微凸点 可靠性 
纳米压痕法确定TSV-Cu的应力-应变关系被引量:4
《金属学报》2014年第6期722-726,共5页秦飞 项敏 武伟 
国家自然科学基金资助项目11272018;Supported by National Natural Science Foundation of China(No.11272018)
为得到硅通孔电镀填充铜(TSV-Cu)的力学性能,对TSV-Cu进行了Berkovich纳米压痕实验.基于Oliver-Pharr算法和连续刚度法确定TSV-Cu的弹性模量和硬度分别为155.47 GPa和2.47 GPa;采用有限元数值模拟对纳米压痕加载过程进行反演分析,通过...
关键词:硅通孔电镀填充铜 纳米压痕 弹性模量 屈服强度 应变强化指数 
TSV转接板硅通孔的热应力分析被引量:9
《工程力学》2013年第7期262-269,共8页安彤 秦飞 武伟 于大全 万里兮 王珺 
国家自然科学基金项目(11272018);中国TSV技术攻关联合体一期课题项目
硅通孔(TSV)技术作为实现三维(3D)封装的关键而被广泛关注。该文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,给出了通孔为完全填充铜和部分填充铜两种情况下的应力解析解,并讨论了孔距对转接板应力的影响。建立了TSV转接板的...
关键词:硅通孔(TSV) 转接板 解析解 有限元 热应力 
TSV结构热机械可靠性研究综述被引量:23
《半导体技术》2012年第11期825-831,共7页秦飞 王珺 万里兮 于大全 曹立强 朱文辉 
国家自然科学基金项目(11272018);中国TSV技术攻关联合体第1期课题;北京市教委科技创新平台项目(PXM2012_014204_00_000169)
硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元。TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度。TSV结构中,由于Cu和Si的热膨胀系数相差6倍,致使TSV器件热应力水平较高...
关键词:硅通孔 可靠性 热失配 应力 界面完整性 
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