于大全

作品数：22被引量：219H指数：10
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：通孔金属无铅钎料金属间化合物硅更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《大连理工大学学报》《半导体技术》《材料科学与工艺》《科学技术与工程》更多>>
所获基金：国家科技重大专项大连市科技局资助项目国家自然科学基金辽宁省自然科学基金更多>>
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低功耗DDR高速信号的封装布线方案设计及信号完整性分析
《现代电子技术》2015年第19期135-139,共5页秦征 尚文亚 于大全 
国家科技重大专项资助项目:极大规模集成电路制造装备及成套工艺(2014ZX02501)
不同于印制电路板的制作工艺,芯片封装基板的走线更细,线间距更窄。狭小的布线空间使传输线效应更为明显,而且封装设计的好坏直接影响芯片是否可以正常工作,同时芯片成本的控制要求布线层尽量要最少。这些问题使得高速信号布线面临严峻...
关键词：DDR 高速信号 封装布线 信号串扰影响 电路设计 
用于射频集成的高Q硅基电感的优化设计被引量：4
《现代电子技术》2015年第18期106-109,共4页王惠娟 潘杰 任晓黎 曹立强 于大全 万里兮 
重大科学技术专项(2013ZX02502-004);高效集成扇出型封装及任意互连高频封装基板(2014ZX02501003)
采用理论分析与电磁仿真结合的方法,对硅上多层金属构成的螺旋电感进行电性能研究,优化并获得一种适用于射频电路集成的硅基射频高Q电感。对于影响电感Q值的多种损耗机制,重点研究了趋肤效应对电感的影响。并通过结构参数及金属层叠优化...
关键词：硅上电感 趋肤效应 射频系统集成 电磁仿真 
PCB布线中的过孔和电容效应分析和结构优化被引量：11
《现代电子技术》2015年第16期110-114,共5页尚文亚 刘丰满 王海东 何慧敏 万菲 于大全 上官东恺 
国家自然科学基金资助项目(61306136)
在多层PCB布线中,过孔和电容是常见的不连续结构。信号线在不同平面间转换传输路径时,过孔与回流层之间的寄生电容与寄生电感将引起信号完整性的相关问题;而常用的传输线上的AC耦合电容等,引入了阻抗突变的结构,由此带来了反射等相关问...
关键词：PCB传输线 过孔效应 阻抗突变 信号完整性 
硅通孔(TSV)转接板微组装技术研究进展被引量：10
《电子与封装》2015年第8期1-8,共8页刘晓阳 刘海燕 于大全 吴小龙 陈文录 
国家科技重大专项(2011ZX02709-2);国家自然科学基金(61176098)
以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三...
关键词：硅通孔(TSV) 转接板 微组装技术 基板 2.5D/3D集成 
粗线条的2.5D硅转接板高速信号布线设计与仿真分析被引量：2
《科学技术与工程》2014年第23期61-65,共5页平野 王海东 王志 尚文亚 秦征 武晓萌 刘晓阳 于大全 
国家科技重大专项(2011ZX02709-2)资助
硅转接板作为2.5D集成的核心结构,通过TSV(through silicon via)提供垂直互联大大缩短了连线长度;同时其热膨胀系数与芯片较好匹配,并兼容圆片级工艺,因此硅转接板拥有着广阔的应用与发展空间。然而由于现有的封装工艺条件的限制,以及...
关键词：2 5D封装 硅通孔(through SILICON VIA TSV) 转接板 RDL电仿真 电设计 
基于柔性基板的异构多芯片三维封装散热仿真与优化设计被引量：3
《科学技术与工程》2014年第19期238-242,共5页武晓萌 刘丰满 马鹤 庞诚 何毅 吴鹏 张童龙 虞国良 李晨 于大全 
国家科技重大专项(2013ZX02501;2011ZX02601-002-02)资助
随着移动终端的广泛应用,射频多芯片系统封装结构的小型化、系统的集成化将导致功率密度的直线上升,同时,芯片各异性的特点将产生温度分布不均的现象,从而催生亟需解决的热管理问题。针对包含5款芯片的典型的射频前端系统,在POP封装基础...
关键词：多芯片 POP封装 柔性基板 热设计 三维仿真 
高深宽比硅通孔的SAPS兆声波清洗技术被引量：1
《半导体技术》2014年第5期377-382,共6页薛恺 陈福平 张晓燕 张明川 王晖 于大全 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02709-2)
硅通孔(TSV)是三维系统集成的关键技术和发展趋势,目前已经可以实现深宽比为10∶1的TSV结构,且向着更高深宽比方向发展。在TSV制造工艺中,硅通孔刻蚀后的清洗是目前的关键技术难点之一。针对TSV刻蚀的工艺特点和TSV结构的特点,基于气体...
关键词：硅通孔(TSV) SAPS兆声波清洗 3D IC 盲孔清洗 清洗技术 
TSV转接板硅通孔的热应力分析被引量：9
《工程力学》2013年第7期262-269,共8页安彤 秦飞 武伟 于大全 万里兮 王珺 
国家自然科学基金项目(11272018);中国TSV技术攻关联合体一期课题项目
硅通孔(TSV)技术作为实现三维(3D)封装的关键而被广泛关注。该文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,给出了通孔为完全填充铜和部分填充铜两种情况下的应力解析解,并讨论了孔距对转接板应力的影响。建立了TSV转接板的...
关键词：硅通孔(TSV) 转接板 解析解 有限元 热应力 
粗糙侧壁对硅通孔互连结构高频性能的影响(英文)被引量：4
《科学技术与工程》2013年第18期5339-5344,共6页王志 庞诚 平野 任晓黎 于大全 
02国家重大科技专项(2011ZX02709-2)资助
详细分析了由Bosch刻蚀形成的侧壁形貌的粗糙度(Sidewall Roughness)对硅通孔(TSV)互连结构高频性能的影响,并通过全波电磁场仿真软件HFSS将粗糙侧壁TSV互连结构与平滑侧壁TSV互连结构的传输特性进行了详尽的对比。仿真结果显示,在相同...
关键词：三维集成 硅通孔 全波电磁场仿真 插入损耗 Bosch刻蚀 
铜含量对Sn-Cu钎料与Cu、Ni基板钎焊界面IMC的影响被引量：20
《中国有色金属学报》2006年第4期701-708,共8页何大鹏 于大全 王来 C M L Wu 
辽宁省自然科学基金(20041078);大连理工大学青年教师基金
研究了不同铜含量的Sn—xCu钎料（x=0，0．1％，0．3％，0．7％，0．9％，1．5％）与Cu板和Ni板在260、280和290℃钎焊后界面金属间化合物（IMC）的成分和形貌。研究结果表明：钎料与Cu板钎焊时，钎焊温度越高，界面处形成的Cu6Sn5 IMC...
关键词：Sn—Cu钎料 金属间化合物(IMC) 钎焊 界面反应 
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