国家自然科学基金(60820106001)

作品数：5被引量：3H指数：1
导出分析报告
相关作者：刘道广许军周伟松万欣郑君更多>>
相关机构：清华大学北京工业大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《Journal of Semiconductors》《微电子学》更多>>
相关主题：VDMOS大功率JFET击穿电压导通电阻更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
A PNPN tunnel field-effect transistor with high-k gate and Iow-k fringe dielectrics
《Journal of Semiconductors》2012年第8期54-59,共6页崔宁 梁仁荣 王敬 周卫 许军 
Project supported by the State Key Development Program for Basic Research of China(No.2011CBA00602);the National Natural Science Foundation of China(Nos.60876076,60976013,60820106001)
A PNPN tunnel field effect transistor（TFET） with a high-k gate dielectric and a low-k fringe dielectric is introduced.The effects of the gate and fringe electric fields on the TFET＇s performance were investigated t...
关键词：TFET subthreshold swing high-k dielectric low-k dielectric fringe electric field 
JFET区注入对大功率VDMOS击穿电压和导通电阻的影响被引量：2
《微电子学》2011年第6期918-922,共5页万欣 周伟松 刘道广 许军 
国家自然科学基金资助项目(60820106001)
研究了JFET区注入对大功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻的影响,分析讨论了JFET区注入影响击穿电压的机理,并定量给出JFET区注入对导通电阻的影响。通过器件数值模拟优化JFET区注入剂量,并根据仿真结果改进器件设计,在满足击穿电压要求...
关键词：JFET VDMOS 击穿电压 导通电阻 
p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究被引量：1
《半导体技术》2011年第12期905-909,928,共6页郑君 周伟松 胡冬青 刘道广 何仕均 许军 
国家自然科学基金资助项目(60820106001)
借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器(Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4 V的p沟VDMOS器件。经实际流片测试,器件的导通电阻小于200 m!,跨导为5 S,栅-源泄漏电流...
关键词：p沟VDMOS 单粒子烧毁 单粒子栅击穿 辐照 线性能量转移 
Impacts of additive uniaxial strain on hole mobility in bulk Si and strained-Si p-MOSFETs
《Journal of Semiconductors》2009年第10期27-32,共6页赵硕 郭磊 王敬 许军 刘志弘 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.60636010,60820106001)
Hole mobility changes under uniaxial and combinational stress in different directions are characterized and analyzed by applying additive mechanical uniaxial stress to bulk Si and SiGe-virtual-substrate-induced strain...
关键词：hole mobility enhancement additive uniaxial strain biaxial strain combinational strain channeldirection 
Fabrication of strained Ge film using a thin SiGe virtual substrate
《Journal of Semiconductors》2009年第9期16-20,共5页郭磊 赵硕 王敬 刘志弘 许军 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.60636010,60820106001)
This paper describes a method using both reduced pressure chemical vapor deposition （RPCVD） and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition （UHVCVD） to grow a thin compressively strained Ge film. As the first step,...
关键词：strained Ge SiGe virtual substrate RPCVD UHVCVD 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部