国家高技术研究发展计划(2005AA311010)

作品数：5被引量：37H指数：4
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Si衬底功率型GaN基绿光LED性能被引量：10
《光学学报》2009年第4期1066-1069,共4页苏丽伟 游达 程海英 江风益 
国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助
对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7.3 mW,90 mA下达到28.2 mW,发光功率效率为7.5%...
关键词：光学材料 Ag反射镜 加速老化 SI衬底 绿光LED 
光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率被引量：12
《光学学报》2009年第1期252-255,共4页周印华 汤英文 饶建平 江风益 
国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助课题
以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有...
关键词：光学材料 出光效率 光增强湿法刻蚀 垂直结构GaN基LED SI衬底 
硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究被引量：1
《物理学报》2008年第12期7860-7864,共5页熊传兵 江风益 王立 方文卿 莫春兰 
国家高技术研究发展计划(批准号:2005AA311010;2003AA302160);信息产业部电子发展基金(批准号:2004125;2004479)资助的课题~~
测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧...
关键词：InGaAlN 发光二极管 垂直结构 电致发光 
SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响被引量：5
《发光学报》2008年第5期840-844,共5页邱冲 刘军林 郑畅达 姜乐 江风益 
国家“863”计划纳米专项(2003AA302160);国家“863”计划光电子课题(2005AA311010)资助项目
利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现...
关键词：蓝光LED GaN 硅衬底 SIN 钝化 光衰 
转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响被引量：15
《光学学报》2008年第1期143-145,共3页邝海 刘军林 程海英 江风益 
国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助课题
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在...
关键词：光学材料 SI衬底 加速老化 铜基板 硅基板 
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