国家自然科学基金(50237040)

作品数：116被引量：714H指数：15
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相关作者：刘尚合魏光辉谭志良杨洁周璧华更多>>
相关机构：中国人民解放军军械工程学院解放军理工大学北京邮电大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关期刊：《电机与控制学报》《兵工自动化》《高压电器》《强激光与粒子束》更多>>
相关主题：静电放电ESD电磁脉冲辐照效应微电子器件更多>>
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电磁脉冲实验数据共享平台的研究被引量：1
《黑龙江科技信息》2012年第8期99-99,共1页刘晓怡 国明 
国家自然科学基金重点资助项目"电磁脉冲对微电子器件及设备的作用机理与防护基础研究"(课题编号:50237040)的子课题
文中探讨了基于MVC模式的Struts架构模型,详细讲述平台的体系结构、工作流程、功能和数据库的开发以及核心程序的具体实现。
关键词：电磁脉冲实验数据 共享平台 J2EE架构 MVC STRUTS XML 
静电放电电磁脉冲对微电子器件的双重作用被引量：1
《河北师范大学学报（自然科学版）》2011年第6期579-581,共3页祁树锋 张晓倩 曾泰 刘红兵 杨洁 
国家自然科学基金(50237040);面上项目(60671044)
研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效,采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加不同电压的ESD应力.结果表明:高电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤主要是不可恢复的损伤,而低电压的ESD注入对2SC3356器...
关键词：ESD 微电子器件 潜在性失效 
2SC3356晶体管ESD潜在性失效判别的参数研究
《青岛科技大学学报（自然科学版）》2011年第5期538-542,共5页祁树锋 曾泰 张晓倩 刘红兵 杨洁 
国家自然科学基金重点项目(50237040);国家自然科学基金面上项目(60671044)
针对2SC3356晶体管进行了ESD潜在性失效判别的参数研究,研究的参数包括结电容和噪声系数、结反向击穿电压和结反向漏电流,以及高温反偏的方法来检验器件是否受到潜在性损伤。提出了检验双极型硅器件受到ESD潜在性损伤的最有效方法,即精...
关键词：2SC3356晶体管 ESD 微电子器件 潜在性失效 
三极管2SC3402方波电磁脉冲效应实验研究
《电源技术》2009年第9期806-809,共4页王瑞军 康洪波 
国家自然科学基金资助项目(50237040)
针对硅微波低噪声三极管2SC3402进行方波电磁脉冲效应实验,主要研究三极管在方波电磁脉冲作用下哪些部位对电磁脉冲最为敏感,哪些电参数最容易发生变化。实验采用方波电磁脉冲发生器对三极管进行方波电磁脉冲注入,观察三极管电参数的变...
关键词：半导体三极管 方波电磁脉冲 敏感部位 灵敏参数 
半导体三极管静电放电敏感端对实验研究
《电源技术》2009年第8期712-714,共3页王瑞军 康洪波 
国家自然科学基金资助项目(50237040)
针对典型的硅微波低噪声三极管进行静电放电电磁脉冲效应实验,主要研究静电放电沿着三极管的哪个管脚组合(端对)注入时最容易造成三极管的损伤,三极管的那个部位对静电放电最为敏感。实验采用静电放电模拟器对三极管的所有管脚组合(端对...
关键词：半导体 三极管 静电放电 电磁脉冲 敏感端对 
半导体三极管电磁脉冲损伤功率实验研究被引量：2
《电源技术》2009年第7期611-614,共4页杨建光 武占成 
国家自然科学基金资助项目(50237040)
针对硅微波低噪声三极管2SC3399进行方波电磁脉冲效应实验,主要研究三极管在方波电磁脉冲作用下造成损伤的损伤功率表达式,通过对损伤功率进行统计分布,发现三极管损伤能量值基本符合正态分布。
关键词：半导体三极管 方波电磁脉冲 损伤功率 损伤能量 
三极管2SC3312方波电磁脉冲效应实验研究被引量：1
《河北北方学院学报（自然科学版）》2009年第2期15-19,24,共6页杨建光 武占成 
国家自然科学基金资助项目(50237040)
目的研究硅微波低噪声三极管2SC3312对方波电磁脉冲的敏感部位和灵敏参数.方法利用方波电磁脉冲发生器对三极管进行方波电磁脉冲注入,观察三极管电参数的变化.结果沿CB注入方波脉冲时最小损伤电压为30V-50V,最小损伤能量为2.80J-3.10J;...
关键词：三极管 方波电磁脉冲 敏感部位 灵敏参数 
静电放电参数对电极速度的相关性与机理分析被引量：16
《电波科学学报》2008年第5期977-981,共5页阮方鸣 高攸纲 石丹 汪柳平 周峰 
国家自然科学基金(50237040);贵州省科技基金([2007]2211)
同步测量了带电人体手握金属小棒电极放电电流的参数和电极运动速度。金属小棒电极与靶电极相撞时的速度对放电电流参数(放电电流峰值、放电电流时间变化率的峰值、火花放电的弧长)的影响,用统计软件SPSS进行了考察,获得了在不同人体电...
关键词：静电放电 金属小棒 放电电流 碰撞速度 统计相关 
电磁脉冲对GaAs LNA损伤及其分析被引量：5
《半导体技术》2008年第10期899-901,共3页李用兵 王海龙 
国家自然科学基金重点项目(50237040)
介绍了电磁脉冲对GaAs低噪声放大器(LNA)损伤机理和损伤模式。利用特定电磁脉冲信号对其进行损伤,通过开帽内部目检、扫描电镜等失效手段和方法,针对该低噪声放大器在电磁脉冲实验中损伤机理及损伤模式进行了分析与讨论。实验表明,GaAs...
关键词：低噪声放大器 电磁脉冲 损伤试验 软损伤机理 
微电子器件静电损伤实验被引量：4
《半导体技术》2008年第9期801-802,809,共3页杨士亮 张欣卉 姬国庆 唐卫红 李汉军 
国家自然科学基金资助项目(50237040)
在不同的静电放电模型下,通过实验研究了几种典型的半导体器件的静电敏感端对的静电放电情况和灵敏参数,由于外部环境、材料、结构和加工工艺不同,器件的静电损伤模式不同,其最大未损伤阈值和最小损伤阈值也不尽相同。实验结果表明,对...
关键词：微电子器件 静电损伤 放电模型 
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