微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(51491050105DZ0201)

作品数：7被引量：12H指数：2
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相关作者：叶玉堂焦世龙陈堂胜李拂晓蒋幼泉更多>>
相关机构：电子科技大学南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室更多>>
相关期刊：《电子学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关主题：GAAS_PHEMT眼图分布放大器光接收机前端前置放大器更多>>
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单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端工艺研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第4期540-544,共5页冯忠 焦世龙 冯欧 杨立杰 蒋幼泉 陈堂胜 陈辰 叶玉堂 
国家自然科学基金(No.60277088);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No.51491050105DZ0201)
利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结...
关键词：单片集成 光探测器 分布放大器 光接收机 眼图 
A 10Gb/s GaAs PHEMT High Gain Preamplifier for Optical Receivers
《Journal of Semiconductors》2007年第12期1902-1911,共10页焦世龙 杨先明 赵亮 李辉 陈镇龙 陈堂胜 邵凯 叶玉堂 
国家自然科学基金(批准号:60277008);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(批准号:51491050105DZ0201)资助项目~~
A high gain cascade connected preamplifier for optical receivers is developed with 0.5μm GaAs PHEMT technology from the Nanjing Electronic Devices Institute. To begin with, the transimpedance amplifier has a -3dB ban...
关键词：GaAs PHEMT optical receiver PREAMPLIFIER eye diagram CASCADE 
一种850nm单片集成光接收机前端
《固体电子学研究与进展》2007年第3期350-355,共6页冯欧 冯忠 杨立杰 焦世龙 蒋幼泉 陈堂胜 李拂晓 叶玉堂 
国家自然科学基金(No60277008);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No51491050105DZ0201)
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近...
关键词：金属-半导体-金属光探测器 跨阻前置放大器 光电集成电路 台面 眼图 
20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器被引量：7
《电子学报》2007年第5期955-958,共4页焦世龙 陈堂胜 蒋幼泉 钱峰 李拂晓 邵凯 叶玉堂 
国家自然科学基金(No.60277008);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No.51491050105DZ0201);教育部重点科技项目(No.03147)
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14....
关键词：GaAsPHEMT 分布放大器 带宽 噪声系数 眼图 
5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第4期587-591,共5页焦世龙 陈堂胜 钱峰 冯欧 蒋幼泉 李拂晓 邵凯 叶玉堂 
国家自然科学基金(批准号:60277008);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(批准号:51491050105DZ0201)资助项目~~
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约4...
关键词：金属-半导体-金属光探测器 分布放大器 光接收机 眼图 
10Gb/s GaAs PHEMT Current Mode Transimpedance Preamplifier for Optical Receiver
《Journal of Semiconductors》2007年第1期24-30,共7页焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 冯欧 蒋幼泉 范超 李拂晓 
国家自然科学基金(批准号:60277008);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(批准号:51491050105DZ0201)资助项目~~
A single power supply common-gate （CG） current mode transimpedance preamplifier （TIA） is developed with a 0.5μm GaAs PHEMT process. The amplifier has a measured - 3dB bandwidth of 7. 5GHz and a transimpedance gai...
关键词：GaAs PHEMT current mode PREAMPLIFIER noise figure eye diagram 
12 Gb/s GaAs PHEMT跨阻抗前置放大器被引量：2
《电子学报》2006年第6期1156-1158,共3页焦世龙 冯暐 陈堂胜 范超 李拂晓 叶玉堂 
国家自然科学基金(No.60277008);教育部重点科技项目(No.03147);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No.51491050105DZ0201)
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz^7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB^6.5dB之间,由此得到的最小等效输...
关键词：PHEMT 跨阻抗 前置放大器 
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