云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家高技术研究发展计划(2006AA03Z415)

国家高技术研究发展计划(2006AA03Z415): 作品数：10被引量：19H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：王启明成步文薛春来白安琪左玉华更多>>; 相关机构：中国科学院更多>>; 相关期刊：《物理学报》《微细加工技术》《中国集成电路》《Chinese Physics B》更多>>; 相关主题：硅基光电探测器SISIGE材料超薄更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

Formation of rippled surface morphology during Si/Si(100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition: 《Chinese Physics B》2011年第12期328-334,共7页胡炜玄成步文薛春来苏少坚王启明; supported by the Major State Basic Research Program of China (Grant No. 2007CB613404);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2006AA03Z415);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos. 60676005,61036003,and 60906035);the Knowledge Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences(Grant No. ISCAS2009T01); The Si epitaxial films are grown on Si （100） substrates using pure Si2H6 as a gas source using ultrahigh vacuum chemical vapour deposition technology. The values of growth temperature Tg are 650 ℃, 700 ℃, 730 ℃, ...; 关键词：step-bunching Ehrlich-Chwoebel barrier elastic repulsion fluctuation

Strained and strain-relaxed epitaxial Ge_(1-x)Sn_x alloys on Si(100) substrates: 《Chinese Physics B》2011年第6期485-489,共5页汪巍苏少坚郑军张广泽左玉华成步文王启明; Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2006AA03Z415);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2007CB613404);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60906035 and 61036003);the Knowledge Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences (Grant No. ISCAS2009T01); Epitaxial Ge1-xSnx alloys are grown separately on a Ge-buffer/Si（100） substrate and directly on a Si（100） substrate by molecular beam epitaxy （MBE） at low temperature. In the case of the Ge buffer/Si（100） subs...; 关键词：GeSn alloys STRAINED strain-relaxed molecular beam epitaxy

硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管: 《激光与光电子学进展》2010年第3期14-14,共1页胡炜玄成步文薛春来薛海韵苏少坚白安琪罗丽萍俞育德王启明; 国家973计划(2007CB613404);国家863计划(2006AA03Z415);国家自炙科学基金(60676005)资助课题; 目前，硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破，并且与现有的微电子工艺完全兼容：硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输；通过外延高质量的锗薄膜，实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光...; 关键词：发光二极管硅基电流注入异质结近红外波段 Si Ge 室温

硅基锗材料的外延生长及其应用: 《中国集成电路》2010年第1期71-78,共8页聂辉文成步文; "973"课题(2007CB613404);国家自然科学基金项目(60676005);"863计划"项目(2006AA03Z415)的资助; 硅是最重要的半导体材料,在信息产业中起着不可替代的作用。但是硅材料也有一些物理局限性,比如它是间接带隙半导体材料,它的载流子迁移率低,所以硅材料的发光效率很低,器件速度比较慢。在硅衬底上外延生长其它半导体材料,可以充分发挥...; 关键词：硅基锗外延光电探测器

光通信C波段硅基导模共振窄带滤波器的模拟被引量：3: 《半导体光电》2009年第5期663-668,共6页郭剑川左玉华张岭梓张云丁武昌成步文余金中王启明; 国家重点基础研究计划项目(2006CB302802;2007CB613404);国家高技术研究发展计划项目(2006AA03Z415); 结合严格耦合波理论和遗传算法对C波段硅基导模共振滤波器进行了模拟分析。从模拟结果出发详细讨论了光栅周期、填充因子、光栅深度和入射角度对滤波器反射特性的影响。导模共振对光栅周期、填充因子、光栅深度和入射角度都有很高的敏感...; 关键词：导模共振滤波器介质光栅硅基严格耦合波理论

用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构被引量：2: 《物理学报》2009年第7期4997-5001,共5页白安琪胡迪丁武昌苏少坚胡炜玄薛春来樊中朝成步文俞育德王启明; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z415);国家自然科学基金(批准号:60676005)资助的课题~~; 用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500—1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径...; 关键词：多孔阳极氧化铝模板硅基纳米孔阵列结构图形转移

Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长被引量：3: 《材料科学与工程学报》2009年第1期118-120,共3页成步文薛春来罗丽萍韩根全曾玉刚薛海韵王启明; "973"基金资助项目(2007CB613404);国家自然科学基金资助项目(60676005);"863计划"基金资助项目(2006AA03Z415); 采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105cm-2。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si...; 关键词：硅基 Ge 外延

超薄阳极氧化铝模版的制备被引量：4: 《微细加工技术》2008年第5期12-15,共4页胡迪白安琪成步文王启明; 国家973计划资助项目(2007CB613404);国家863计划资助项目(2006AA03Z415);国家自然科学基金资助项目(60676005); 采用二次阳极氧化铝的方法制备出厚度仅为509 nm超薄多孔阳极氧化铝模版,氧化铝模版上孔洞大小均匀,呈完美的六角分布,孔径为35 nm左右,孔间距约为100 nm。成功地将多孔阳极氧化铝模版转移到硅衬底上,并在磷酸溶液中通孔,使薄膜上小孔...; 关键词：阳极氧化铝超薄纳米结构

高速、大饱和输出光电流1.55μm波段光电探测器的研究进展及其在光控相控阵雷达中的应用被引量：3: 《中国集成电路》2008年第9期18-26,共9页郭剑川左玉华王启明; 国家重点基础研究计划(2006CB302802;2007CB613404);国家高技术研究发展计划(2006AA03Z415)项目的资助。; 光控相控阵雷达相对于传统机械式雷达和相控阵雷达,具有更加优异的性能,可适应未来国际形势和军事上的发展需求。光电探测器作为光控相控阵雷达上的关键组件,在整个雷达系统中起着非常重要的作用,直接决定了输出微波信号的质量和雷达探...; 关键词：光控相控阵雷达光电探测器高速大饱和输出光电流微波光子学 ROF

重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响被引量：4: 《物理学报》2007年第11期6654-6659,共6页姚飞薛春来成步文王启明; 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z415);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302802和2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:60336010;60676005)资助的课题.~~; 硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应...; 关键词：SIGE材料应变带隙收缩(BGN) Jain-Roulston模型

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家高技术研究发展计划(2006AA03Z415)

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家高技术研究发展计划(2006AA03Z415)

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索