国家自然科学基金(50837005)

作品数：9被引量：26H指数：3
导出分析报告
相关作者：施卫王馨梅薛红马湘蓉马德明更多>>
相关机构：西安理工大学中国工程物理研究院西安交通大学渭南师范学院更多>>
相关期刊：《物理学报》《高电压技术》《西安理工大学学报》《原子与分子物理学报》更多>>
相关主题：光电导开关GAAS大电流击穿瞬态热效应更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-9
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
富镓Ga_nAs团簇稳定性及缺陷特性的密度泛函理论研究被引量：1
《原子与分子物理学报》2014年第2期223-228,共6页马德明 乔红波 李恩玲 施卫 马优恒 
国家自然科学基金(50837005);陕西省教育厅自然科学基金(2010JK743);教育部博士学科点专项科研基金(20116118110014);陕西省国际合作与交流科技计划项目(2012KW-04)
采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理对富镓中性GanAs（n=1～9）团簇的稳定性及缺陷特性进行了研究.结果表明,随着总原子数的增大,各基态团簇结合能的二阶差分值和团簇能隙差均呈奇偶交替变化规律,总原子数为奇数的团簇比总原子数...
关键词：密度泛函理论 GanAs团簇 结构稳定性 VAsVGa缺陷 
Experimental Study of Surface Flashover Field of SI-GaAs Photoconductive Semiconductor Switch
《高电压技术》2013年第8期1919-1924,共6页JI Weili SHI Wei 
Project supported by National Natural Science Foundation of China （50837005, 5110 7099）, Foundation of the State Key Laboratory of Electrical Insulation for Power Equip- ment （EIPE09203）.
With its unique features, photoconductive semiconductor switch (PCSS) is generally recognized today as a promising power electronic device. However, a major limitation of PCSS is its surprisingly low voltage threshold...
关键词：光导半导体开关 SI-GAAS 沿面闪络 实验 光电 电力电子装置 光导开关 半绝缘砷化镓 
Experimental Research on Inhibition of Surface Flashover Based on High Power Gallium Arsenide Photoconductive Switches Triggered by Laser
《Plasma Science and Technology》2011年第6期672-675,共4页徐鸣 施卫 姜增公 王少强 符张龙 
supported by the Key Project of National Natural Science Foundation of China(No.50837005);the National Science Foundation of China(Nos.10876026,51107099);the Foundation of the State Key Laboratory of Electrical Insulation for Power Equipment (No.EIPE09203);the Natural Science Foundation of Shaanxi Province(No.2010JM7003);the Scientific Research Program Funded by Shaanxi Provincial Education Department(No.11JK0540);the Foundation for Outstanding Doctoral Dissertation of Xi'an University of Technology(105-210904)
Semi-insulating gallium arsenide （GaAs） photoconductive semiconductor switches （PCSS） have great potential for high voltage switching application, however, the utility is restricted by surface flashover which wouI...
关键词：GAAS photoconductive switches photo-activated charge domain LONGEVITY 
Fiber-Optically Triggered Four Parallel GaAs Photoconductive Semiconductor Switches被引量：1
《Plasma Science and Technology》2011年第6期747-750,共4页施卫 薜红 李宁 陈素果 代瑞娟 
supported by the Key Project of National Natural Science Foundation of China(No.50837005);the National Science Foundation of China(No.10876026);the Foundation of the State Key Laboratory of Electrical Insulation for Power Equipment(No.EIPE09203)
Four parallel GaAs photoconductive semiconductor switches （PCSSs） were triggered simultaneously by four 1064 nm laser beams. The transient characteristics of four linear electrical pulses were investigated. When the...
关键词：GAAS PCSS FIBER linear mode electrical pulse SYNCHRONIZATION 
半绝缘GaAs光电导开关的瞬态热效应被引量：8
《物理学报》2010年第8期5700-5705,共6页施卫 马湘蓉 薛红 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310406);国家自然科学基金(批准号:50837005和10876026);电力设备电气绝缘国家重点实验室(批准号:EIPE09203)资助的课题~~
实验用波长1064nm,触发光能为1.0mJ的激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘GaAs光电导开关,当光电导开关的偏置电压达到3800V时,开关进入非线性(lock-on)工作模式,在偏置电场和触发光能不变的条件下,开关输出稳定的非线性电脉冲,1500次触...
关键词：半绝缘GaAs光电导开关 热弛豫效应 光激发电荷畴-声子曳引效应 丝状电流 
半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的光电导振荡特性被引量：7
《物理学报》2009年第12期8554-8559,共6页施卫 薛红 马湘蓉 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310406);国家自然科学基金(批准号:50837005;10876026);陕西省教育厅专项科研基金(批准号:09JK431);渭南师范学院科研基金(批准号:08YKF022;09YKZ021)资助的课题~~
用波长为532nm、脉冲宽度为5ns的超短激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘GaAs光电导开关,开关偏置电压从500V开始以步长50V逐渐增加,直到开关出现非线性电脉冲输出.研究表明,线性和非线性电脉冲波形均呈现出在经历一个主脉冲之后,其后...
关键词：光电导开关 热电子 弛豫 光电导振荡 
半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究被引量：3
《物理学报》2009年第1期477-481,共5页施卫 屈光辉 王馨梅 
国家自然科学基金(批准号:50837005;10876026);国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2007CB310406);西安理工大学优秀博士论文基金资助的课题~~
利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要原因.对光激发电荷畴的形成和吸收过程的进一步研究表明:1)形成过程中的光激发电荷畴增强了电子的浓度梯度...
关键词：光电导开关 非线性模式 光激发电荷畴 上升时间 
高压超大电流光电导开关及其击穿特性研究被引量：6
《物理学报》2009年第2期1219-1223,共5页施卫 田立强 王馨梅 徐鸣 马德明 周良骥 刘宏伟 谢卫平 
国家自然科学基金(批准号:50837005,10876026);国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310406);西安理工大学优秀博士研究基金(批准号:207-210006)资助的课题~~
研制了耐压达32kV,通态峰值电流达3.7kA的高压超大电流半绝缘GaAs光电导开关.分析了光电导开关在强场下的击穿机理,指出对于间接能带间隙光导材料(如Si)制作的光电导开关,开关的击穿电压主要由陷阱填充限制电导模型决定.而对于直接能带...
关键词：光电导开关 击穿 转移电子效应 陷阱填充 
影响超快光电导开关关断特性的主次因素被引量：2
《西安理工大学学报》2008年第4期407-410,共4页王馨梅 施卫 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB310406);国家自然科学基金资助项目(50837005)
超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用...
关键词：光电半导体开关 关断特性 影响因素 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部