云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(61036003)

国家自然科学基金(61036003): 作品数：22被引量：33H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：李成赖虹凯陈松岩成步文王启明更多>>; 相关机构：厦门大学中国科学院华侨大学韩山师范学院更多>>; 相关期刊：《光电子．激光》《Chinese Physics B》《物理学报》更多>>; 相关主题：SNSI基分子束外延生长分子束外延光致发光谱更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

Room temperature direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge ridge waveguide on Si: 《Chinese Physics B》2016年第12期357-360,共4页何超刘智成步文; Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2013CB632103);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61176013 and 61036003);the Science Fund from Beijing Science and Technology Commission,China(Grant No.Z151100003315019); We report a lateral Ge-on-Si ridge waveguide light emitting diode （LED） grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition （UHV-CVD）. Direct-bandgap electroluminescence （EL） of Ge waveguide under continuous cur...; 关键词：GE/SI WAVEGUIDE ELECTROLUMINESCENCE thermal radiation

Si基Ⅳ族异质结构发光器件的研究进展被引量：2: 《物理学报》2015年第20期27-36,共10页何超张旭刘智成步文; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2013CB632103);国家自然基金(批准号:61176013,61036003)资助的课题~~; Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题.在Si基光互连的关键器件中,除了Si基光源尚未得到解决,其他器件都已经实现,因此Si基可集成高效光源具有十分重要的研究意义...; 关键词：SI基 Ge GeSn 发光器件

Non-homogeneous SiGe-on-insulator formed by germanium condensation process: 《Chinese Physics B》2014年第4期655-658,共4页黄诗浩李成卢卫芳王尘林光杨赖虹凯陈松岩; Project supported by the National Key Basic Research Program of China(Grant Nos.2012CB933503 and 2013CB632103);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61176092,61036003,and 60837001);the Ph.D.Programs Foundation of Ministry of Education of China(Grant No.20110121110025);the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China(Grant No.2010121056); Ge condensation process of a sandwiched structure of Si/SiGe/Si on silicon-on-insulator （SOI） to form SiGe-on- insulator （SGOI） substrate is investigated. The non-homogeneity of SiGe on insulator is observed after...; 关键词：SGOI Ge condensation non-homogeneity

Analysis of tensile strain enhancement in Ge nano-belts on an insulator surrounded by dielectrics: 《Chinese Physics B》2013年第10期539-543,共5页卢卫芳李成黄诗浩林光杨王尘严光明黄巍赖虹凯陈松岩; Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant Nos.2012CB933503 and 2013CB632103);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.61176092,61036003,and 60837001);the Ph.D.Program Foundation of the Ministry of Education of China (Grant No.20110121110025);the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China (Grant No.2010121056); Ge nano-belts with large tensile strain are considered as one of the promising materials for high carrier mobility metal- oxide-semiconductor transistors and efficient photonic devices. In this paper, we design the Ge...; 关键词：Ge nano-belts FDTD Si3N4 or SiO2 uniaxially strain

硅基硒纳米颗粒的发光特性研究: 《物理学报》2013年第17期469-474,共6页潘书万陈松岩周笔黄巍李成赖虹凯王加贤; 华侨大学科研基金(批准号:12BS226);福建省自然科学基金(批准号:2012J01277,2012J01284);国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB933503);国家自然科学基金(批准号:61036003,61176050,61176092,60837001);福建省教育厅基金项目(A类)(批准号:JA12270)资助的课题~~; 由于尺寸缩小引起的量子效应,硒(Se)材料的低维纳米结构具有更高的光响应和低的阈值激射等特性,因此成为纳米电子与纳米光电子器件领域一个重要的研究方向.本文通过对非晶硒薄膜的快速热退火来制备硒纳米颗粒,退火温度在100—180 C之间...; 关键词：硅基硒纳米颗粒光致发光施主-受主对

金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析被引量：2: 《物理学报》2013年第16期344-348,共5页严光明李成汤梦饶黄诗浩王尘卢卫芳黄巍赖虹凯陈松岩; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB933503;2013CB632103);国家自然科学基金(批准号:61036003;61176092);中央高校基本科研业务费(批准号:2010121056)资助的课题~~; 金属与Ge材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型Ge形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约Si基Ge器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬底上外延生长的p型Ge和n型Ge材料的接触特性.发现在相同的较...; 关键词：金属与Ge接触性质 NiGe 比接触电阻率

基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计被引量：3: 《物理学报》2013年第11期288-292,共5页李亚明刘智薛春来李传波成步文王启明; 国家自然科学基金(批准号:61036003;61176013;60906035;61177038);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA010302)资助的课题~~; 本文设计了一种基于Franz-Keldysh(FK)效应的GeSi电吸收调制器.调制器集成了脊形硅单模波导.光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层.在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%,从而使得器件...; 关键词：锗硅调制器电光集成

掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响: 《物理学报》2013年第7期335-338,共4页刘智李亚明薛春来成步文王启明; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2013CB632103);国家自然科学基金(批准号:61036003;61176013和61177038)资助的课题~~; 利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了多个四层Ge/Si量子点样品.通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了未掺杂、磷掺杂和硼掺杂.相比未掺杂的样品,磷掺杂不影响Ge/Si量子点的表面形貌,但可以有效...; 关键词：Ge Si量子点磷掺杂光致发光

Ge(001)衬底上分子束外延生长高质量的Ge_(1-x)Sn_x合金被引量：1: 《物理学报》2013年第5期457-461,共5页苏少坚张东亮张广泽薛春来成步文王启明; 国家自然科学基金(批准号:61036003;61176013;60906035;61177038);华侨大学科研基金(批准号:12BS221)资助的课题~~; Ge1-xSnx是一种新型IV族合金材料,在光子学和微电子学器件研制中具有重要应用前景.本文使用低温分子束外延(MBE)法,在Ge(001)衬底上生长高质量的Ge1-xSnx合金,组分x分别为1.5%,2.4%,2.8%,5.3%和14%,采用高分辨X射线衍射(HR-XRD)、卢瑟...; 关键词：锗锡合金锗分子束外延

Wet thermal annealing effect on TaN/HfO_2/Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with and without a GeO_2 passivation layer被引量：3: 《Chinese Physics B》2012年第11期467-473,共7页刘冠洲李成路长宝唐锐钒汤梦饶吴政杨旭黄巍赖虹凯陈松岩; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61176092,61036003,and 60837001);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2012CB933503);the Ph.D. Program Foundation of Ministry of Education of China (Grant No. 20110121110025);the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China (Grant No. 2010121056); Wet thermal annealing effects on the properties of TaN/HfO2/Ge metal-oxide-semiconductor （MOS） structures with and without a GeO2 passivation layer are investigated. The physical and the electrical properties are ch...; 关键词：HfO2 dielectric on germanium X-ray photoemission spectroscopy wet thermal anneal-ing metal-oxide semiconductor capacitor

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