云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家高技术研究发展计划(2006AA03Z348)

国家高技术研究发展计划(2006AA03Z348): 作品数：50被引量：154H指数：8; 导出分析报告; 相关作者：李毅方宝英王晓华佟国香朱慧群更多>>; 相关机构：上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室上海电力学院五邑大学更多>>; 相关期刊：《红外与毫米波学报》《软件导刊》《半导体技术》《上海理工大学学报》更多>>; 相关主题：VOVO2二氧化钒热致变色光学特性更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

溶胶凝胶法制备V_(2)O_(5)薄膜及其热致相变光电特性被引量：3: 《电子元件与材料》2021年第4期316-322,共7页李军显李毅周建忠赵文晴范丽娜; 国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA03Z348);教育部科学技术研究重点项目(207033);上海市科学技术委员会科技攻关计划(06DZ11415);上海市教育委员会科研创新计划重点项目(10ZZ94);上海市领军人才培养计划(2011-026)。; 基于溶胶凝胶旋涂法和后退火工艺在石英玻璃基底上制备了高质量的V2 O5薄膜,研究其相变光学特性和电学特性。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了V2 O5薄膜的晶体结构和形貌,利用XPS图谱分析了V2 O5薄膜的组分。在不同偏压...; 关键词：V_(2)O_(5)薄膜溶胶凝胶热致相变光学透过率电阻

VO_(2)/GaAs异质结的制备及其光电特性研究: 《光学仪器》2021年第2期48-54,共7页李军显李毅周建忠田蓉刘进; 国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA03Z348);教育部科学技术研究重点项目(207033);上海市科学技术委员会科技攻关计划(06DZ11415);上海市教育委员会科技创新重点项目(10ZZ94);上海领军人才培养计划资助项目(2011-026)。; 采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_(2)/p-GaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_(2)/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和...; 关键词：VO_(2) GAAS 半导体−金属相变异质结整流特性

Broadband NIR absorber based on square lattice arrangement in metallic and dielectric state VO2被引量：1: 《Chinese Optics Letters》2020年第5期73-77,共5页Rong Tian Yi Li Zhimin Liu Jianzhong Zhou Jin Liu Lina Fan Wenqing Zhao Junxian Li Xin Zhang Chuang Peng Yuda Wu Xiaohua Wang Baoying Fang; the National High Technology Research and Development Program of China(No. 2006AA03Z348);the Foundation for Key Program of Ministry of Education,China (No. 207033);the Key Science and Technology Research Project of Shanghai Committee,China (No. 10ZZ94);the Shanghai Talent Leading Plan,China (No. 2011-026)。; In this Letter, we propose a broadband near-infrared(NIR) absorber based on the phase transition material VO2.By designing different arrangements of the VO2 square lattice at high and low temperatures on fused silica ...; 关键词：metamaterial absorber BROADBAND polarization-independence thermal analysis

基于VO2热致相变的量热式生物传感器设计被引量：2: 《电子元件与材料》2019年第12期62-68,共7页刘进李毅周建忠田蓉王晓华; 国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA03Z348);教育部科学技术研究重点项目(207033);上海市科学技术委员会科技攻关计划(06DZ11415);上海市教育委员会科研创新计划重点项目(10ZZ94);上海市领军人才培养计划(2011-026); 本文基于VO2的热致相变特性,设计出由石墨烯、VO2、Si3N4等组成的微桥结构量热式生物传感器,优化了传感器的结构参数,研究了传感器的热学、力学和电学性能。通过理论计算和仿真分析得出量热式生物传感器的热导为5.4×10^-7 W/K,热时间...; 关键词：量热式生物传感器微桥二氧化钒温度电压响应

W/VO_2方形纳米柱阵列可调中红外宽频吸收器被引量：8: 《光学学报》2019年第3期301-307,共7页黄雅琴李毅李政鹏裴江恒田蓉刘进周建忠方宝英王晓华肖寒; 国家"863"计划(2006AA03Z348);教育部科学技术研究重点项目(207033);上海市科学技术委员会科技攻关计划(06DZ11415);上海市教育委员会科研创新计划重点项目(10ZZ94);上海市领军人才培养计划(2011-026); 基于VO_2的热致相变特性,仿真设计出了一种W/VO_2方形纳米柱阵列可调中红外宽频吸收器,通过时域有限差分法分析了结构参数对吸收性能和结构内电磁场强度分布的影响,以及吸收器在不同偏振态和入射角度下的吸收特性。结果表明:在最佳的结...; 关键词：光学器件可调控吸收器时域有限差分宽波段 VO2

W/VO_2周期性纳米盘阵列可调中红外宽频吸收器被引量：1: 《光子学报》2019年第1期176-184,共9页李政鹏李毅黄雅琴裴江恒田蓉刘进周建忠方宝英王晓华肖寒; 国家高技术研究发展计划(No.2006AA03Z348);教育部科学技术研究重点项目(No.207033);上海市科学技术委员会科技攻关计划(No.06DZ11415);上海市教育委员会科研创新计划重点项目(No.10ZZ94);上海市领军人才培养计划资助项目(No.2011-026)~~; 为了实现对3～5μm中红外光的完美吸收,仿真设计了一种基于W/VO2周期性纳米盘阵列的可调中红外宽频吸收器,利用时域有限差分法模拟计算了结构参数对吸收器性能的影响.在最佳结构参数条件下,吸收器表现出偏振无关和广角吸收的特性,在3.1...; 关键词：超材料宽频吸收器中红外表面等离子体共振时域有限差分偏振无关广角吸收

一种基于CNN-AE特征提取的目标跟踪方法被引量：3: 《软件导刊》2018年第6期22-26,31,228,共7页殷鹤楠佟国香; 国家高技术研究发展计划项目(2006AA03Z348);教育部科学技术研究重点项目(207033);上海市教委科学技术研究重点项目(10ZZ94);上海市教委科研创新项目(12YZ094);上海市重点学科项目(S30502); 针对视觉跟踪中运动目标的鲁棒性问题,提出一种基于卷积神经网络结合稀疏自动编码器的特征提取方法进行图像目标跟踪。该方法首先将大量有标注数据集输入到卷积神经网络进行预训练,然后使用这些卷积特征无监督的训练稀疏自编码器得到稀...; 关键词：目标跟踪卷积神经网络稀疏自编码器特征提取

掺钨VO_2薄膜的电致相变特性被引量：7: 《物理学报》2017年第23期277-285,共9页张娇李毅刘志敏李政鹏黄雅琴裴江恒方宝英王晓华肖寒; 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z348);教育部科学技术研究重点项目(批准号:207033);上海市科学技术委员会科技攻关计划(批准号:06DZ11415);上海市教育委员会科技创新重点项目(批准号:10ZZ94);上海领军人才培养计划(批准号:2011-026)资助的课题~~; 采用直流磁控溅射与后退火工艺相结合的方法,在掺氟SnO_2(FTO)导电玻璃基底上制备了高质量的掺钨VO_2薄膜,对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行测试,分析了钨掺杂对其相变性能的影响.结果表明,室温下掺钨VO_2薄膜的阈值电压为4.2 V,...; 关键词：掺钨VO2薄膜电致相变阈值电压光透过率

基于VO_2/TiO_2/FTO微结构的电压诱导相变存储器特性被引量：1: 《半导体技术》2017年第5期387-393,共7页陈培祖李毅蒋蔚徐婷婷伍征义张娇刘志敏; 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03Z348);教育部科学技术研究重点项目(207033);上海市科学技术委员会科技攻关计划资助项目(06DZ11415);上海市教育委员会科技创新重点项目(10ZZ94);上海领军人才培养计划资助项目(2011-026); 相变存储器作为下一代具有竞争力的新型存储器,其基础和核心是相变存储介质。为了制备基于VO_2薄膜的非易失性相变存储器,首先采用等离子体增强化学气相沉积法在氟掺杂二氧化锡(FTO)导电玻璃衬底上沉积一层厚度为100 nm的TiO_2薄膜,再...; 关键词：VO2/TiO2/FTO 直流磁控溅射相变存储器阈值电压电致相变

基于VO_2相变的热致型智能辐射器设计被引量：4: 《光学学报》2017年第1期329-336,共8页蒋蔚李毅陈培祖伍征义徐婷婷刘志敏张娇方宝英王晓华肖寒; 国家863计划(2006AA03Z348);教育部科学技术研究重点项目(207033);上海市科学技术委员会科技攻关计划(06DZ11415);上海市教育委员会科技创新重点项目(10ZZ94); 基于VO_2/Si_3N_4/Al结构设计了一种发射率可调控的智能辐射器(SRD)。通过薄膜特征矩阵理论SRD的光学特性进行分析,结果表明VO_2的厚度决定了SRD的辐射能力,其调控光谱范围与介质层Si_3N_4的厚度密切相关,优化后的SRD发射率调控范围为0...; 关键词：薄膜智能辐射器发射率二氧化钒减反膜

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