国家自然科学基金(60076001)

作品数：4被引量：3H指数：1
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相关作者：刘彩池乔治孙世龙郝秋艳赵丽伟更多>>
相关机构：河北工业大学石家庄铁道学院北京有色金属研究总院更多>>
相关期刊：《中国材料科技与设备》《Journal of Semiconductors》《半导体技术》更多>>
相关主题：FPDSCZ-SI流动图形缺陷本性CZSI更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
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CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究被引量：2
《半导体技术》2006年第4期257-259,共3页乔治 刘彩池 张彦立 史严 
国家自然科学基金资助项目(60076001);河北省自然科学基金(50032101)
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其...
关键词：CZ-SI 流动图形缺陷(FPDs) 空洞型缺陷 
快速热处理在直拉硅内吸杂技术中的应用
《中国材料科技与设备》2006年第1期62-64,共3页孙世龙 赵丽伟 赵彦桥 石义情 郝秋艳 刘彩池 
国家自然科学基金项目（60076001）;河北省自然科学基金项目（E2005000057）;河北省教育厅科技项目（2004311）
硅片直径的不断增大，特征线宽的不断减小，吸除器件有源区域内的金属杂质至关重要。传统的内吸杂已经不能完全满足器件工艺的要求，因此快速热处理技术被引入到直拉硅片的内吸杂工艺中。快速热处理可以使空住在硅中按深度分布，在后续...
关键词：直拉硅 快速热处理 氧沉淀 清洁区 
快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第1期73-77,共5页张建强 刘彩池 周旗钢 王敬 郝秋艳 孙世龙 赵丽伟 滕晓云 
国家自然科学基金(批准号:60076001;50032010);天津市自然科学基金;河北省自然科学基金资助项目~~
研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2...
关键词：CZSI 空洞型微缺陷 流动图形缺陷 快速热处理 MDZ 
ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制
《半导体技术》2005年第4期16-19,共4页乔治 候哲哲 刘彩池 
国家自然科学资助项目(60076001);河北省自然科学基金(50032101)
详细阐述了COP、 LSTD 和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法。研究表明,利用快速退火消除空洞型原生缺陷, 是一种简单而有效的方法。
关键词：超大规模集成电路 直拉硅单晶 空洞型原生缺陷 快速退火 
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