西安―应用材料创新基金(XA-AM-201012)

作品数：3被引量：1H指数：1
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nMOSFET中衬底偏压对衬底电流的影响研究
《微电子学》2013年第1期103-106,共4页陈海峰 过立新 
陕西省教育厅专项科研基金资助项目(11JK0902);西安市应用材料创新基金资助项目(XA-AM-201012)
研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V
关键词：衬底电流 亚阈值电流 NMOSFET 衬底偏压 
应力下LDD nMOSFET栅控产生电流退化特性研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第2期115-119,共5页陈海峰 过立新 杜慧敏 
陕西省教育厅专项科研基金项目(11JK0902);西安市应用材料创新基金项目(XA-AM-201012);西安邮电学院青年教师科研基金项目(ZL2010-19)
研究了LDD nMOSFET栅控产生电流在电子和空穴交替应力下的退化特性。电子应力后栅控产生电流减小,相继的空穴注人中和之前的陷落电子而使得产生电流曲线基本恢复到初始状态。进一步发现产生电流峰值在空穴应力对电子应力引发的退化的恢...
关键词：轻掺杂漏区 产生电流 应力 阈值电压 饱和漏电流 
pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究
《固体电子学研究与进展》2012年第1期10-13,共4页陈海峰 过立新 杜慧敏 
陕西省教育厅专项科研基金项目(11JK0902);西安市应用材料创新基金项目(XA-AM-201012);西安邮电学院青年教师科研基金项目(ZL2010-19)
研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的...
关键词：产生电流 衬底偏压 平带电压 p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 
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