《人工晶体学报》

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《人工晶体学报》
主办单位：中材人工晶体研究院有限公司
最新期次：2025年4期更多>>
发文主题：晶体生长晶体水热法性能研究晶体结构更多>>
发文领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
发文作者：徐军王继扬朱世富赵北君仲维卓更多>>
发文机构：中国科学院山东大学中国科学院福建物质结构研究所中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
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《人工晶体学报》第八届编委会
《人工晶体学报》2025年第4期I0001-I0001,共1页
原位诊断铌酸锂晶体生长界面的翻转现象
《人工晶体学报》2025年第4期533-542,共10页蒋先龙 郑玮涛 朱允中 
国家自然科学基金(52372018)。
在提拉法晶体生长过程中,界面翻转是一种频发且隐蔽的破坏性现象,会导致界面失稳和缺陷富集,损害晶体品质。现有的探测技术难以实时获取生长界面状态,界面翻转现象的观测和解析更无从入手。如何在极端高温且敏感的晶体生长环境中捕捉界...
关键词：铌酸锂 晶体生长 界面相本征电动势 原位诊断 界面翻转 
Ca^(2+)/Mg^(2+)/Zr^(4+)不同化学计量比掺杂钆镓石榴石的性能
《人工晶体学报》2025年第4期543-552,共10页邵梅方 冯晋阳 侯田江 马晓 
湖北省先进材料领域重点研发计划(2020BAB061)。
掺杂钆镓石榴石(SGGG)晶体是一种用于磁光单晶薄膜液相外延生长的重要衬底材料,结构均一、物性稳定的SGGG晶体是实现磁光单晶薄膜制备的基础。本文采用提拉法生长出4个不同Ca^(2+)/Mg^(2+)/Zr^(4+)化学计量比掺杂的钆镓石榴石晶体。X射...
关键词：钆镓石榴石 钙镁锆掺杂 磁光晶体 衬底材料 提拉法 
大尺寸Cs_(2)LiYCl_(6)∶Ce晶体的制备与性能研究
《人工晶体学报》2025年第4期553-559,共7页赵美丽 孙涛峰 高璠 宫红影 臧晓微 桂强 张春生 
国家重点研发计划(2022YFB3503603)。
本文采用垂直坩埚下降法,生长出一系列直径3英寸(1英寸=2.54 cm)的掺铈氯铯锂钇(Cs_(2)LiYCl_(6):Ce,简称CLYC:Ce)晶体,LiCl摩尔配比为55%~60%。对晶体毛坯的顶端不透明部分进行X射线衍射测试,结果表明,富Li的组分配比能有效抑制Cs_(3)Y...
关键词：Cs_(2)LiYCl_(6):Ce晶体 坩埚下降法 能量分辨率 脉冲波形甄别 品质因子 
残余应力及电场对4H-SiC表面压痕硬度的影响
《人工晶体学报》2025年第4期560-568,共9页朱兴杰 章平 左敦稳 
国家自然科学基金(U20A20293)。
本文利用研磨加工得到不同表面残余应力状态的4H-SiC样品,采用激光拉曼光谱仪测量样品表面的残余应力,通过显微硬度计测量无电场和有电场时的样品表面压痕硬度。结果发现:与无残余应力相比,在-1.6~0 GPa的残余压应力状态下,样品表面压...
关键词：残余应力 电场 压痕硬度 4H-SIC 有限元模拟 拉曼光谱 
垂直热壁CVD反应器中C/Si比对SiC高速同质外延生长的影响研究
《人工晶体学报》2025年第4期569-580,共12页陈丹莹 闫龙 罗稼昊 郑振宇 姜勇 张凯 周宁 廖宸梓 郭世平 
上海市浦江人才计划(22PJ1423600)。
本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与...
关键词：碳化硅 同质外延 化学气相沉积 C/Si比 CFD模拟仿真 
Ni-MoTiNO用于电化学N_(2)还原反应的理论研究
《人工晶体学报》2025年第4期708-716,共9页曹琦 崔璐瑶 
国家自然科学基金(21978187);山西省自然科学基金(202203021221058)。
电化学氮气还原反应(ENRR)是替代Haber-Bosch工艺合成氨的可持续发展技术之一,其核心问题是寻找高催化活性和高选择性的稳定电催化剂。过渡金属氮氧化物(TMNO)表面遵循Mars-van Krevelen(MvK)机理路径进行合成氨反应,表现出比传统缔合...
关键词：合成氨 MvK机理 电催化 氮空位 MoTiNO 负载 
4英寸高质量GaN单晶衬底制备
《人工晶体学报》2025年第4期717-720,共4页齐占国 王守志 李秋波 王忠新 邵慧慧 刘磊 王国栋 孙德福 于汇东 蒋铠泽 张爽 陈秀芳 徐现刚 张雷 
国家自然科学基金重点项目(62434010,52472010)。
本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自...
关键词：GaN单晶衬底 4英寸 氢化物气相外延 晶体生长 晶体加工 
晶体之美艺术照片——归墟
《人工晶体学报》2025年第4期F0004-F0004,共1页何佳庆 
此图片为蛋白晶体的扫描电子显微镜照片,丝丝缕缕,十分神秘,如归墟境界。其精细的纹路不仅揭示了科学研究中的微观世界,也赋予了图像独特的艺术魅力。
关键词：蛋白晶体 微观世界 扫描电子显微镜 
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《人工晶体学报》2025年第4期F0004-F0004,共1页
《人工晶体学报》创刊于1972年,月刊,是我国人工合成晶体领城唯一的专业性学术期刊。《人工晶体学报》特设综合评述、研究快报、研究论文、简讯等栏目,专业报道我国在人工合成晶体材料、低维晶态材料、人工微结构材料、生物医药结晶等...
关键词：研究快报 人工微结构材料 生物医药结晶 研究论文 
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