《人工晶体学报》

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《人工晶体学报》
主办单位：中材人工晶体研究院有限公司
最新期次：2025年2期更多>>
发文主题：晶体生长晶体水热法性能研究晶体结构更多>>
发文领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
发文作者：徐军王继扬朱世富赵北君仲维卓更多>>
发文机构：中国科学院山东大学中国科学院福建物质结构研究所中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
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超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展
《人工晶体学报》2025年第2期263-275,共13页魏雨夕 马昕宇 江泽俊 魏杰 罗小蓉 
稳定专项(WDZC202446003);电子薄膜与集成器件全国重点实验室开放课题项目(KFJJ202306)。
氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带(E_(g)=4.5~4.9 eV)和高临界击穿场强(E_(br)=8 MV/cm),器件的Baliga优值理论上可达SiC和GaN基器件的4倍和10倍。然而,氧化镓功率器件的耐压仍远低于理论值,且大功率器件及其热稳定性的研究较少;材...
关键词：氧化镓 功率半导体器件 二极管 场效应晶体管 电热特性 可靠性 
氧化镓雪崩光电探测器的研究进展
《人工晶体学报》2025年第2期276-289,共14页邵双尧 杨烁 冯华钰 贾志泰 陶绪堂 
国家自然科学基金(62304118,51932004,11804191)。
微弱紫外光的探测在导弹跟踪、火焰警告、安全通信、环境监测和其他关键应用中备受关注。雪崩光电探测器(APD)具有轻便、低功耗、高量子效率和单片集成等优点,是紫外探测领域的重要研究方向。近年来,宽禁带和超宽禁带半导体材料因其禁...
关键词：雪崩光电探测器 紫外探测 宽禁带半导体 氧化镓 雪崩增益 
超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展
《人工晶体学报》2025年第2期290-311,共22页谢银飞 何阳 刘伟业 徐文慧 游天桂 欧欣 郭怀新 孙华锐 
集成电路材料全国重点实验室开放课题(SKLIC-K2024-04);广东省科技创新青年拔尖人才项目(2021TQ06C953);深圳市基础研究面上项目(JCYJ20190806142614541)。
氧化镓的低热导率是其功率器件发展的最大瓶颈,使其在高功率密度下产热时面临高效散热的巨大挑战。因此,开发全新的热管理和封装技术迫在眉睫。通过材料、器件和封装多层面的热管理来缓解自热引发的性能与可靠性问题成为关键。本文综述...
关键词：热管理 超宽带隙 氧化镓 材料-器件-封装 结侧散热 高导热率衬底集成 电热协同设计 
MOCVD生长的外延层掺杂氧化镓场效应晶体管
《人工晶体学报》2025年第2期312-318,共7页郁鑫鑫 沈睿 于含 张钊 赛青林 陈端阳 杨珍妮 谯兵 周立坤 李忠辉 董鑫 张洪良 齐红基 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB3605504)。
本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分别为2...
关键词：氧化镓 MOCVD外延 掺杂 比导通电阻 击穿电压 功率优值 
β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器高温电流输运机制的研究
《人工晶体学报》2025年第2期319-328,共10页杜桐 付俊杰 王紫石 狄静 陶春雷 张赫之 张琦 胡锡兵 梁红伟 
国家自然科学基金(62104024,11875097,12075045,11975257,11961141014,62074146);大连市科技创新基金(2023JJ12GX013,2023JJ12GX016)。
本文成功制备了β-Ga_(2)O_(3)基金属半导体金属(MSM)型日盲紫外光电探测器。在室温下偏压为5 V时,具有高质量外延的器件的响应度达到469.6 mA/W(对应外量子效率(EQE)为229.2%),光暗电流比为5.26×10^(3)。为了研究β-Ga_(2)O_(3)基MSM...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 金属半导体金属 日盲紫外光电探测器 热离子场发射 普尔-弗兰克发射 缺陷 
脉冲激光沉积α相氧化镓薄膜及其日盲光电探测器
《人工晶体学报》2025年第2期329-336,共8页丁子舰 颜世琪 徐希凡 辛倩 
本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga_(2)O_(3))薄膜,结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段,研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的...
关键词：脉冲激光沉积 α相氧化镓 生长温度 氧分压 金属-半导体-金属 日盲光电探测器 
Ga_(2)O_(3)/NiO_(x)肖特基势垒二极管器件的性能优化研究
《人工晶体学报》2025年第2期337-347,共11页王凯凯 杜嵩 徐豪 龙浩 
国家自然科学基金(62174140)。
由于缺乏p型氧化镓(Ga_(2)O_(3)),p型氧化镍(p-NiO_(x))通常被用于Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)中,这类二极管一般采用结终端延伸(JTE)或异质结势垒肖特基(HJBS)结构。然而,NiO_(x)对器件性能的影响尚未被充分研究。在本研究中,通...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) NiO_(x) SBD 击穿电压 PFOM JTE HJBS 
新型复合终端氧化镓肖特基二极管电学特性仿真研究
《人工晶体学报》2025年第2期348-357,共10页屈珉敏 余建刚 李子唯 李旺旺 雷程 李腾腾 李丰超 梁庭 贾仁需 
国家重点研发计划(2023YFB3208500);山西省重点研发计划(202302030201001);山西省科技重大专项“揭榜挂帅”项目(202301030201003);山西省基础研究计划青年项目(202203021212191);国家自然科学基金专项项目(62441110)。
作为新一代宽禁带半导体,氧化镓因具有更大的禁带宽度(4.4~4.8 eV)和更高的击穿场强(8 MV/cm),成为制备耐高压、高频、高功率电力电子器件的最佳候选材料。然而,氧化镓肖特基二极管具有终端电场边缘集中效应,导致器件因提前击穿而失效,...
关键词：氧化镓 肖特基二极管 反向漏电流 击穿电压 复合终端 
首量科技:Φ210 mm大尺寸Eu^(3+)∶CaF_(2)激光晶体生长
《人工晶体学报》2025年第2期358-359,共2页周丽娜 刘建强 牛晓伟 
采用一种基于布里奇曼晶体生长方法的晶体自动控制方法,生长了Eu^(3+)掺杂浓度分别为250×10^(-6)、1000×10^(-6)和2500×10^(-6)的Eu^(3+)∶CaF_(2)激光晶体,其毛坯尺寸均可达到Φ210 mm×80 mm,是目前该领域报道的尺寸最大的Eu^(3+)...
关键词：Eu^(3+)∶CaF_(2) 激光晶体 稀土掺杂 坩埚下降法 自动控制 
富加镓业“一键长晶”技术通过专家评估,全自动晶体生长装备助力氧化镓产业腾飞
《人工晶体学报》2025年第2期360-360,共1页齐红基 
近期,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)导模法“一键长晶”技术通过专家组现场评估,全自动晶体生长装备为未来氧化镓材料产业化打下坚实基础。氧化镓单晶材料因为存在高温挥发分解难题,单晶生长难度较大,限制了氧化镓领域...
关键词：产业化方向 晶体生长 氧化镓 现场评估 双轮驱动 量化控制 单晶材料 单晶生长 
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