南京大学扬州光电研究院

作品数：5被引量：2H指数：1
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发文领域：电子电信理学更多>>
发文主题：铟镓氮GAN基材料GAN四元合金肖特基接触更多>>
发文期刊：《南京大学学报（自然科学版）》《物理学报》《中国科学：物理学、力学、天文学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能被引量：1
《物理学报》2020年第2期234-240,共7页高承浩 徐峰 张丽 赵德胜 魏星 车玲娟 庄永漳 张宝顺 张晶 
吉林省重大科技招标专项(批准号:20170203014G);国家自然科学基金(批准号:U1830112,61774014);江苏省博士后科研资助计划(批准号:2018K008C);苏州市重点产业技术创新项目(批准号:SYG201928)资助的课题~~
基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 ke V单次注入器件, 50/100 ke V两次注入器件具有更好的光电...
关键词：微缩化发光二极管阵列 离子注入隔离 注入能量 发光孔径 
Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的电流输运机理被引量：1
《物理学报》2018年第21期344-349,共6页徐峰 于国浩 邓旭光 李军帅 张丽 宋亮 范亚明 张宝顺 
江苏省自然科学基金(批准号:BK20161324);江苏省博士后科研资助计划项目(批准号:2018K008C);国家自然科学基金(批准号:61704185);江苏省重点研发计划(批准号:BE2015111;BE2016084)资助的课题~~
基于热电子发射和热电子场发射模式,利用I-V方法研究了Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载流子浓度下, Pt/Au/n-InGaN肖特基势垒特性差异明显.研究发现,较低生长温度制备的InGaN中存在的高密度施...
关键词：铟镓氮 X射线衍射 肖特基势垒 热电子发射 
无电极光助化学腐蚀法制备GaN微/纳米结构及其物性研究
《中国科学：物理学、力学、天文学》2015年第8期89-102,共14页张士英 修向前 徐庆君 王恒远 华雪梅 谢自力 刘斌 陈鹏 韩平 陆海 顾书林 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(编号:2011CB301900,2012CB619304);国家高技术研究发展规划(编号:2014AA032605);国家自然科学基金(批准号:60990311,61274003,60936004,61176063,61334009);江苏省自然科学基金(编号:BK2011010,BY2013077,BE2011132,BK20141320);固态照明与节能电子学协同创新中心、教育部新世纪优秀人才支持计划(编号:NCET-11-0229);江苏高校优势学科建设工程资助;扬州市“绿扬金凤计划”;南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目
利用K2S2O8作为氧化剂,通过无电极光助化学腐蚀GaN外延层制备多种形貌的GaN微米/纳米结构.采用扫描电子显微镜(SEM)、阴极射线发光图(CL mapping)、高分辨X射线衍射(HRXRD)、拉曼光谱(Raman spectra)和光致发光谱(PL)等先进的表征手段...
关键词：GaN微米/纳米结构 无电极光助化学腐蚀法 阴极射线发光图 
GaN纳米柱的量子效率研究
《南京大学学报（自然科学版）》2014年第3期320-324,共5页李扬扬 陈鹏 蒋府龙 杨国锋 刘斌 谢自立 修向前 韩平 赵红 华雪梅 施毅 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(2011CB301900);国家高技术研究发展规划(2009AA03A198);国家自然科学基金(61176063;60990311;60936004);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2010385;BK2009255;BK2010178)
主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和...
关键词：GaN纳米柱 光致发光(PL) 量子效率 
生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响
《物理学报》2009年第10期7194-7198,共5页刘启佳 邵勇 吴真龙 徐洲 徐峰 刘斌 谢自力 陈鹏 
南京大学扬州光电研究院研发基金(批准号:2008002);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60776001;60820106003);江苏省自然科学基金(批准号:BK2008019)资助的课题~~
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长了铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900℃,对获得的样品进行对比分析发现:随着生长温度的升高,合金中的In组分单调降低,而A...
关键词：AlGaInN 金属有机物化学气相沉积 生长温度 
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