PMOSFET

作品数：101被引量：107H指数：4
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应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究
《物理学报》2013年第12期430-436,共7页王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 宋建军 周春宇 李妤晨 
模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:P140c090303110c0904);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本科研业务费(批准号:K5051225014;K5051225004)~~
由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的影响严重.本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V特性中台阶形成机理的基础上,通过求解...
关键词：应变 SIGE PMOSFET 栅电容特性 台阶效应 沟道掺杂 
适于PMOSFET的局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)的生长
《材料导报》2010年第16期1-4,共4页卢盛辉 杨洪东 李竞春 谭开州 张静 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010204DZ0219)
通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45n...
关键词：局部双轴应变 应变锗硅 特别几何结构 材料生长 
Strained-Si pMOSFETs on Very Thin Virtual SiGe Substrates被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第5期881-885,共5页李竞春 谭静 杨谟华 张静 徐婉静 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(批准号:51439010303DZ0221)~~
Strained-Si pMOSFETs on very thin relaxed virtua l SiGe substrates are presented.The 240nm relaxed virtual Si 0.8 Ge 0.2 layer on 100nm low-temperature Si(LT-Si) is grown on Si(100) substrates by molecular be...
关键词：STRAINED-SI virtual SiGe substrates PMOSFET 
Strained Si Channel Heterojunction pMOSFET Using 400℃ LT-Si Technology
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1221-1226,共6页梅丁蕾 杨谟华 李竞春 于奇 张静 徐婉静 谭开洲 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 (合同号 :2 0 0 0 JS0 9.3 .1.DZ0 2 )~~
A novel MBE-grown method using low-temperature (L T) Si technology is introduced into the fabrication of strained Si channel heter ojunction pMOSFETs.By sandwiching a low-temperature Si layer between Si buffer and S...
关键词：SIGE low-temperature Si strain relaxation threadi ng dislocation 
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