PMOSFET

作品数：101被引量：107H指数：4
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应变Si PMOSFET电流特性研究被引量：1
《电子器件》2010年第4期438-441,共4页胡辉勇 崔晓英 张鹤鸣 宋建军 戴显英 宣荣喜 
国家部委资助项目(51308040203,6139801,72104089)
生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变SiPMOSTET可以得到非常好的性能。在讨论分析了应变SiPMOSFET的结构特性和器件物理的基础上,推导泊松方程求出解析的阈值电压模型,以及电流电压特性,和跨导等电学...
关键词：应变SI PMOSFET 阈值电压 I-V特性 
边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响(英文)
《电子器件》2006年第4期996-999,1003,共5页吴峻峰 李多力 毕津顺 薛丽君 海潮和 
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管,并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流。分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘...
关键词：亚阈值泄漏电流 H型栅 PMOSFET 
应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟被引量：2
《电子器件》2005年第3期516-519,523,共5页屠荆 杨荣 罗晋生 张瑞智 
通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及SiPMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGePMOSFET垂直结构参数的变化关系。模拟结果同理论分析符合一致,表明应变...
关键词：应变锗硅 P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 亚阈值特性 模型 模拟 
深亚微米槽栅PMOSFET特性研究
《电子器件》2003年第3期233-239,共7页任红霞 张晓菊 郝跃 
基于流体动力学能量输运理论,对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究,包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等。仿真结果表明,与平面器件相比,槽栅结构很好地抑制了短沟道效应和漏感应势垒降低效应,并具有较好的抗热载流子...
关键词：槽栅 PMOSFET 栅极特性 漏极特性 热载流子效应 
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