云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 等离子体刻蚀

等离子体刻蚀: 作品数：172被引量：335H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李俊峰顾长志刘明匡同春张大明更多>>; 相关机构：中微半导体设备(上海)有限公司中国科学院中微半导体设备(上海)股份有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>

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CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究被引量：5: 《集成电路应用》2019年第7期40-43,共4页魏育才; 福建省科技型企业技术创新课题项目; 探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜...; 关键词：CF4和O2等离子刻蚀 ICP刻蚀氮化硅刻蚀掩膜退缩 PA工艺

华虹半导体功率器件平台累计出货量突破500万片晶圆: 《集成电路应用》2017年第4期90-90,共1页; 华虹半导体有限公司宣布,功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。其中,得益于市场对超级结MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的强劲需求,华虹半导体独特且具竞争力的垂直沟槽型Super Junction MOSFET（SJNFE...; 关键词：半导体功率器件等离子体刻蚀离子刻蚀半导体设备导通电阻开关速度光刻胶去胶开关损耗等离子体蚀刻

中微Primo SSC AD-RIE已用于16纳米关键闪存芯片加工: 《集成电路应用》2014年第2期9-9,共1页; 中微半导体设备有限公司宣布获得韩国先进存储芯片生产厂商购买Primo SSC AD-RIE(中微单反应台等离子体刻蚀设备)的重复订单。该设备被客户认可为用于16纳米关键闪存芯片加工的首选设备(PTOR),将用于大批量芯片生产。此前,中微的Primo S...; 关键词：闪存芯片半导体设备等离子体刻蚀芯片生产存储芯片首选设备刻蚀工艺刻蚀技术生产厂商副总

用于实时刻蚀深度控制的光干涉测量法: 《集成电路应用》2007年第4期59-59,共1页宋一平; 对等离子体刻蚀工艺过程中进行刻蚀的终点检测主要应用在以下两个方面：一是刻蚀穿透一种材料并在另一种材料的表面刻蚀过程终止．二是在一种材料内刻蚀到所需的深度后终止。在第一种应用中．由于刻蚀过程中不同材料的光发射谱是不一样...; 关键词：表面刻蚀干涉测量法深度控制实时等离子体刻蚀终点检测光发射谱工艺过程

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