低能离子束

作品数：102被引量：502H指数：13
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在线测量低能离子束电荷态和能量的新型探测器被引量：2
《原子核物理评论》2022年第4期490-496,共7页骆夏晖 程锐 王国东 周泽贤 王昭 杨杰 
国家重点基础研究发展计划(2017YFA0402300);国家自然科学基金资助项目(U1532263,11505248,11375034)。
基于加速器装置的离子与物质相互作用过程研究,在原子物理、材料、生物等诸多领域具有重要的科学意义和应用价值。本工作设计并研发了一种新型磁谱仪离子探测器,主要由高稳定性偏转磁铁、大面积位置灵敏探测器、空间匹配的散射腔室构成...
关键词：磁谱仪 离子探测器 低能高电荷态离子 能损 电荷态分布 
小麦品种偃展4110低能离子束突变体库的初步建立及籽粒硬度突变体筛选被引量：4
《麦类作物学报》2014年第7期904-911,共8页薛霏雯 董中东 崔党群 陈锋 
国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(2014CB138105);国家自然科学基金项目(31370031);教育部新世纪优秀人才项目(NCET-13-0776)
低能离子束注入技术是近年发展起来的一种物理性诱发突变技术,在作物诱变育种中应用越来越广泛。为进一步探讨低能离子束的诱变功效,构建小麦突变体库,采用两种不同剂量的低能氮离子束对软质小麦品种偃展4110进行了诱变处理,共获得了1 ...
关键词：小麦 低能离子束 籽粒硬度 PUROINDOLINE基因 
制备45°双外延超导结的新工艺
《低温物理学报》2005年第3期241-245,共5页李壮志 王福仁 孟树超 马平 聂瑞娟 戴远东 
国家重点基础研究计划项目(项目编号:G1999064609);国家高技术研究发展计划项目(项目编号:2002AA306412)资助.~~
我们使用脉冲激光沉积方法对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜在MgO基片上通过CeO2/YSZ双缓冲层的生长进行了系统的研究,发现MgO单晶基片的表面质量是决定能否得到理想外延薄膜质量的关键因素,通过使用低能离子束对MgO表面进行轰击,以增加其表面...
关键词：YBCO薄膜 双外延超导结 YBA2CU3O7-Δ JOSEPHSON结 工艺 临界电流密度 薄膜质量 表面质量 低能离子束 
低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1658-1661,共4页宋书林 陈诺夫 周剑平 尹志岗 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1);国家重大基础研究计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd...
关键词：GaAs:Gd X射线衍射 X光电子能谱 
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第8期967-971,共5页刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1和 60 3 90 0 72 ) ;国家重大基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子...
关键词：硅 铁 低能离子束 重掺杂 
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
《固体电子学研究与进展》2004年第2期258-261,共4页宋书林 陈诺夫 周剑平 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 60 1760 0 1;国家重大基础研究计划项目 G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5共同资助
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力...
关键词：镓、钆、砷薄膜 低能离子束系统 砷化镓衬底 
低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜被引量：2
《功能材料》2004年第4期429-431,共3页刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
　利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe Si合金薄膜。利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性。测试结果表明在室温下制备的Fe Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,...
关键词：低能离子束 硅 铁磁性 磁性半导体 
低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜被引量：2
《稀有金属》2004年第3期558-562,共5页刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 ( 60 1760 0 1;60 3 90 0 72 ) ;国家重大基础研究计划资助项目 (G2 0 0 0 0 3 65 ;G2 0 0 2CB3 1190 5 )
利用质量分离的低能离子束技术 ,获得了Fe组分渐变的Fe Si薄膜。利用俄歇电子能谱法 (AES)、X射线衍射法 (XRD)以及X射线光电子能谱法 (XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明 ,在室温下制备的Fe Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在 4...
关键词：低能离子束 硅 铁 薄膜 
离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物
《稀有金属》2001年第4期289-293,共5页杨君玲 陈诺夫 刘志凯 杨少延 柴春林 廖梅勇 何宏家 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (G2 0 0 0 0 683 );攀登项目PAN95 YU -3 4的资助项目
利用质量分离的低能双离子束外延技术 ,得到了 (Ga ,Mn ,As)化合物。衬底温度 5 2 3K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明 ,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为 3 0nm的外延层 ,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里 ,注入深度约为 ...
关键词：质量分析 低能离子束 离子束外延生长 半导体材料 磁性半导体 
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