云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 低压化学气相淀积

低压化学气相淀积: 作品数：26被引量：46H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：李仁锋谭刚吴嘉丽周再发徐大为更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所中国工程物理研究院电子工程研究所东南大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《中国工程物理研究院科技年报》《赣南师范大学学报》《集成电路通讯》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金更多>>

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Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长: 《高技术通讯》2002年第11期65-66,11,共3页严飞郑有炓陈平孙澜顾书林朱顺明李雪飞韩平; 973规划 (G2 0 0 0 0 683 );国家自然科学基金 (60 13 60 2 0 )资助项目; 研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (X...; 关键词：SI(111)衬底 3C-SIC 超低压低温外延生长碳化硅异质外延生长低压化学气相淀积半导体材料