低压化学气相淀积

作品数：26被引量：46H指数：4
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相关作者：李仁锋谭刚吴嘉丽周再发徐大为更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国工程物理研究院电子工程研究所东南大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《中国工程物理研究院科技年报》《赣南师范大学学报》《集成电路通讯》更多>>
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LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究
《半导体光电》2015年第1期63-65,70,共4页廖乃镘 赵志国 阙蔺兰 向华兵 李贝 李仁豪 
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属...
关键词：铁离子沾污 氮化硅 低压化学气相淀积 表面光电压 
采用不同反应气源制备的Si_3N_4薄膜的特性比较被引量：1
《半导体光电》2009年第3期408-410,共3页张故万 宋爱民 雷仁方 高燕 罗春林 伍明娟 
采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜特性优于另一种气源。讨论了使用硅烷和二氯二氢硅源分别制备S...
关键词：低压化学气相淀积 Si3N4薄膜 硅烷 二氯二氢硅 
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