低噪声

作品数：4054被引量：5343H指数：20
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一种低噪声和快速响应的低压差线性稳压器
《半导体技术》2025年第3期282-288,共7页李飞宇 陈君涛 周爵 朱安康 
设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器(LDO)。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点,采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声,并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了...
关键词：低噪声 低压差线性稳压器(LDO) 超低通滤波器 负载电流 启动时间 
CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
《半导体技术》2025年第3期296-303,共8页徐雷钧 马宇杰 黄磊 白雪 陈建锋 
国家自然科学基金(61874050)。
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱...
关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声 
一种低噪声高电源抑制比的带隙基准源被引量：1
《半导体技术》2023年第7期591-599,共9页徐敏航 张振伟 郎莉莉 刘海静 单毅 董业民 
基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声、高电源电压抑制比(PSRR)的新型带隙基准源(BGR)。使用低噪声的垂直双极结型晶体管取代MOS晶体管作为运算放大器输入,削减了低频闪烁噪声;通过引入三输入的运算放大器将电源扰动传递到电流管的栅...
关键词：带隙基准源(BGR) 低噪声 高电源电压抑制比(PSRR) CMOS工艺 低功耗 
一种宽带CMOS低噪声放大器被引量：1
《半导体技术》2023年第6期493-499,共7页黄未霖 蔡孟冶 姜岩峰 
江苏省自然科学基金资助项目(BK20210453)。
基于130 nm CMOS工艺设计了一款宽带低噪声放大器(LNA),适用于Ka波段的5G应用。通过降低输入阻抗与最佳源阻抗的偏差以抑制噪声,该LNA实现了宽带的最佳噪声系数匹配。一方面,该LNA采用由LC串联组合和LC并联组合构成的宽带前端网络,在取...
关键词：宽带输入匹配 低噪声放大器(LNA) KA波段 噪声抑制 输入反射系数带宽 
2~18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC被引量：1
《半导体技术》2023年第3期224-230,共7页李士卿 何庆国 戴剑 
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增...
关键词：砷化镓(GaAs) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) 共源共栅 超宽带 
一种针对小信号探测的低噪声放大器被引量：3
《半导体技术》2022年第9期712-718,共7页马伟 王宇 王美玉 肖知明 胡伟波 
深圳市科技创新委员会资助项目(JCYJ20180508161601937)。
针对放大器中的直流偏移和低频噪声干扰问题,设计了一种具有4种工作状态的低噪声放大器。该放大器综合利用了斩波技术和自归零技术,通过对噪声进行调制和采样,实现了对以1/f噪声为代表的低频噪声和以失调电压为代表的直流偏移的抑制。...
关键词：低频噪声 失调电压 斩波技术 自归零技术 乒乓结构 
具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计被引量：2
《半导体技术》2022年第6期493-497,共5页余巨臣 彭龙新 刘昊 凌志健 贾晨阳 闫俊达 刘飞 
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5~31 GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比...
关键词：滤波器 限幅器 低噪声放大器(LNA) 电流复用技术 单片微波集成电路(MMIC) 
一种用于北斗卫星导航的射频接收前端芯片被引量：6
《半导体技术》2022年第5期397-402,共6页刘晓玲 王文豪 刘玲 张智 熊智 姜丹丹 
四川省科技创新苗子工程资助项目(2021017);四川省科技计划项目(2019YFSY0017)。
基于65 nm CMOS工艺设计了应用于北斗卫星导航系统的射频接收前端芯片,该射频接收前端集成了低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、带隙基准源、偏置电路等模块。核心电路模块采用共源共栅结构低噪声放大器及双平衡吉尔伯特下变频混...
关键词：北斗卫星导航 65nm CMOS 射频接收前端 低功耗 低噪声 
一种硅微谐振式加速度计频率读出方法与ASIC实现被引量：2
《半导体技术》2022年第4期307-312,331,共7页赵广胜 夏国明 裘安萍 施芹 赵阳 
国家自然科学基金资助项目(62074078)。
针对硅微谐振式加速度计(SRA),提出了一种低噪声、低功耗、可集成的频率读出电路。频率读出电路主要基于Σ-Δ原理,实现了对量化噪声的调制与抑制,在0.1 Hz频率下实现了0.1Mhz/√Hz的频率测量水平。同时,专用集成电路(ASIC)实现了对加...
关键词：硅微谐振式加速度计(SRA) 频率读出 专用集成电路(ASIC) 低噪声 零均值 
基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC
《半导体技术》2022年第3期237-242,共6页许春良 李明 王雨桐 魏洪涛 
介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制。该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优化噪声,后4级着重设计了级间匹配,实现高增益。用电子设计...
关键词：GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) W波段 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 
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