射频CMOS

作品数：11被引量：11H指数：2
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一种紧凑的射频CMOS放大器LC输出匹配电路被引量：1
《电讯技术》2024年第4期637-642,共6页赵晓冬 
提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小芯片面积的条件...
关键词：紧凑匹配电路 射频CMOS放大器 宽带阻抗匹配 LC谐振网络 
射频CMOS技术为POCT行业发展带来新动能
《科学技术创新》2018年第35期47-48,共2页耿金文 
作为生命科学和微电子学的交叉方向,CMOS生物芯片由于具有检测精度高、动态检测范围大、高通量、微型化、便携化、低成本等优势,使得其在POCT检测领域得到了越来越多的应用。本文通过对不同生物芯片技术进行对比研究发现,射频CMOS技术...
关键词：POCT 生物芯片 射频CMOS 
尺寸可变的65nm多叉指射频CMOS器件模型提取与优化
《电子器件》2011年第5期489-493,共5页任铮 李曦 彭兴伟 胡少坚 石艳玲 赵宇航 
上海科技人才培养计划;启明星项目(09QB1402000)
通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法。与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方...
关键词：RFMOSFET PSP模型 射频 65nm 
自动幅度控制电路在射频CMOS电感电容振荡器中的应用及原理分析
《南开大学学报（自然科学版）》2010年第6期99-103,共5页刘慧敏 张小兴 戴宇杰 吕英杰 
天津市教委基金资助项目(SB20080048)
分析推导了互补金属氧化物半导体(CMOS)电感电容振荡器的电压振荡幅度与相位噪声的关系.采用自动幅度控制电路控制射频CMOS电感电容振荡器,在0.18μm CMOS工艺下进行Candence SpectreRF仿真,在3.4 GHZ时,1 MHz频偏处相位噪声最差值采用...
关键词：自动幅度控制 CMOS电感电容振荡器 相位噪声 品质因数 
射频CMOS低噪声放大器输入匹配网络的研究与设计
《中国新通信》2010年第13期51-54,共4页尹玉军 李震涛 
本文对低功耗射频CMOS低噪声放大器的输入匹配网络进行了研究。采用台积电TSMC0.18μmCMOS工艺模型,通过ADS电路仿真软件对设计的低噪声放大器电路进行了优化设计和仿真,仿真结果表明在2.4GHz中心工作频率下,该低噪声放大器满足射频接...
关键词：射频 低噪声放大器 输入匹配 
片上差分螺旋电感模型及参数提取被引量：1
《清华大学学报（自然科学版）》2010年第5期768-771,776,共5页张莉 唐杨 刘博 王燕 余志平 
国家"九七三"重点基础研究项目(2006CB932404)
为了完善现有的射频CMOS电路中片上差分螺旋电感的模型,提出了一种从测量得到的S参数采用改进差分进化算法提取有中心抽头的片上差分螺旋电感参数的方法。等效电路采用考虑了趋肤效应的2-π模型,基于改进差分进化算法的自动参数提取过...
关键词：射频CMOS 差分螺旋电感 2-π模型 参数提取 
2.1GHz射频CMOS混频器设计(英文)被引量：2
《电子器件》2009年第2期338-342,346,共6页李恩玲 苑永霞 褚蒙 王雪 
陕西省教育厅专项科研计划项目资助(04JK265)
设计了一个用于第三代移动通信的2.1 GHz CMOS下变频混频器,采用TSMC 0.25μm CMOS工艺。在设计中,用LC振荡回路作电流源实现低电压;并用增大电流和降低跨导的方法提高线性度。在Cadence RF仿真器中对电路进行了模拟,在1.8 V电源电压下...
关键词：射频集成电路 CMOS混频器 阻抗匹配 线性度 
适用频率达到20GHz的射频CMOS衬底电阻的精确提取
《Journal of Semiconductors》2008年第4期737-740,共4页赵宇航 胡少坚 任铮 
通过对CMOS的PSP模型中四衬底电阻网络的等效电路进行Y参数分析,得到衬底电阻参数的完整提取方法.应用该方法提取了90nm CMOS工艺中射频nMOS器件的衬底电阻参数,实验数据和仿真比较表明该衬底电阻网络和相应的参数提取方法能精确预测器...
关键词：RF MOSFET 射频 PSP模型 衬底电阻 
纳米射频CMOS混频器的研究
《纳米科技》2007年第6期24-27,共4页夏华灿 张流强 王国波 
介绍了混频器的工作原理、性能指标及几种重要的混频器结构。设计了以Gilbert型为核心的双端差分对混频器，使用TSMC的0．18μm CMOS工艺库，本振信号为2．25GHz，射频信号为2．5GHz；借用安捷伦公司的ADS软件模拟，模拟结果变频增益为-...
关键词：RFIC 混频器 集成电路 CMOS 
射频CMOS混频器的设计被引量：3
《微电子学》2005年第2期189-191,共3页李恩玲 褚蒙 周如培 
　混频器是射频系统中的一个关键部分,其性能的好坏直接影响到整个系统的性能。文章对CMOS混频器的设计及其特性进行了深入的分析和研究,并对各种不同特点的混频器进行了比较和总结。
关键词：射频系统 CMOS集成电路 混频器 
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