射频磁控共溅射

作品数：6被引量：11H指数：3
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相关期刊：《微细加工技术》《物理学报》《真空科学与技术学报》《真空》更多>>
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直流/射频反应磁控溅射法制备W掺杂VO_X薄膜的工艺和性能被引量：1
《真空》2011年第4期65-68,共4页聂竹华 李合琴 都智 储汉奇 宋泽润 
国家"973"项目(2008CB717802);安徽省自然科学基金(090414182);安徽省高校自然科学基金(KJ2009A091)
用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射...
关键词：直流 射频磁控共溅射 VOx薄膜 W掺杂 相变温度 基底 
射频磁控共溅射高温NH_3退火制备CuO/SiO_2复合薄膜的微观结构
《微细加工技术》2008年第6期12-13,18,共3页石锋 李玉国 孙钦军 
采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,形成CuO结构,对其微观结构进行分析。随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高。样品于900℃和1...
关键词：射频磁控共溅射法 CuO/SiO2复合薄膜 微观结构 
多靶射频磁控共溅射SmCo/Cr薄膜的制备和磁性能被引量：1
《咸宁学院学报》2006年第6期47-49,共3页章平 黄致新 张玉龙 王辉 张峰 
采用多靶射频磁控共溅射方法制备了SmCo/Cr薄膜,用XRD和VSM测量了各样品的微结构和矫顽力.结果表明,SmCo膜具有较强的垂直各向异性,当Cr底层溅射时间为5min、SmCo磁性层溅射时间为14min、Co靶溅射功率为220W时,所得到的薄膜垂直矫顽力最大.
关键词：多靶共溅射 SmCo/Cr薄膜 矫顽力 
射频磁控共溅射制备光催化Ag-TiO_2薄膜被引量：3
《真空科学与技术学报》2005年第1期33-36,共4页沈杰 蔡臻炜 沃松涛 崔晓莉 任达森 杨锡良 章壮健 
国家自然科学基金 (2 0 0 73 0 11和 2 0 2 73 0 18);上海市分子催化和功能材料重点实验室资助项目
采用射频磁控共溅射法制备Ag TiO2 复合薄膜 ,通过控制Ag靶的溅射时间可调节Ag与TiO2 的比例。所制备的Ag TiO2 薄膜为锐钛矿结构。通过紫外光照降解亚甲基蓝溶液和循环伏安法研究Ag TiO2 薄膜光催化及光电化学特性。实验结果表明 :掺 1...
关键词：TIO2薄膜 光催化 共溅射法 亚甲基蓝 循环伏安法 光电化学 锐钛矿结构 射频 增强 电子 
射频磁控共溅射制备超亲水TiO_2/SiO_2复合薄膜被引量：3
《真空科学与技术学报》2004年第6期415-419,共5页沈杰 沃松涛 蔡臻炜 崔晓莉 杨锡良 章壮健 
采用射频磁控共溅射法制备了SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,通过控制SiO2 靶与TiO2 靶的溅射时间可调节SiO2 与TiO2 的比例。所制备的SiO2 /TiO2 薄膜为锐钛矿结构。实验结果表明 :SiO2 的掺入降低了SiO2 /TiO2 复合薄膜的光催化能力 ,但却提高...
关键词：SIO2 共溅射法 TIO2薄膜 复合薄膜 接触角 内接 锐钛矿结构 射频 实验结果 照射 
射频磁控共溅射GaAs/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性质被引量：4
《物理学报》2002年第4期882-888,共7页丁瑞钦 王浩 于英敏 王宁娟 佘卫龙 李润华 丘志仁 罗莉 蔡志岗 W Y Cheung S P Wong 
国家自然科学基金 (批准号 :6 980 6 0 0 8);广东省自然科学基金 (批准号 :970 716 );中山大学超快速激光光谱国家重点实验室开放课题(批准号 :1999)资助的课题~~
应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAs SiO2 纳米颗粒镶嵌薄膜 .X射线衍射实验结果表明 ,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒 ,晶粒平均直径为 1.5— 3.2nm .吸收光谱展示了由于强量子限域引起的 1.5...
关键词：射频磁控共溅射 GaAs/SiO2 纳米颗粒镶嵌薄膜 光谱 激光Z扫描 光学性质 砷化镓 二氧化硅 半导体纳米材料 
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