李玉国

作品数：58被引量：73H指数：5
导出分析报告
供职机构：山东师范大学更多>>
发文主题：磁控溅射光致发光纳米线退火电化学腐蚀更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体杂志》《山东科学》《山东师范大学学报（自然科学版）》《首都师范大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金山东省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
催化剂及时间对氧化镓表面形貌及结构的影响
《山东师范大学学报（自然科学版）》2018年第1期76-81,共6页孟津 李玉国 王路 
通过热蒸发法,使用Ga_2O_3粉末作为前驱材料分别在无催化剂Si(111)基底和镀金Si(111)基底上制备出Ga_2O_3纳米结构.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)以及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品的表面形貌...
关键词：β—Ga2O3 纳米线 催化剂 热蒸发法 反应时间 
核壳结构的Ga_2O_3-SiO_2纳米同轴电缆的制备及其结构表征
《首都师范大学学报（自然科学版）》2017年第4期24-28,共5页耿树吉 李玉国 孟津 
实验利用热蒸发法,以Au覆盖的Si(111)片作为基底,在1 300℃对单质镓加热不同的时间,制备出了一种特殊的纳米同轴电缆结构,并通过SEM(scanning electron microscopy)、XRD(X-ray diffraction)、TEM(transmission electron microscopy)、E...
关键词：热蒸发 纳米同轴电缆 单晶 生长机理 
氧化镓纳米棒的制备及其结构表征
《山东师范大学学报（自然科学版）》2017年第2期51-54,共4页耿树吉 李玉国 孟津 
实验利用碳热还原法,以氧化镓粉末为原料,镀金Si(111)片为基底,在1 300℃高温下恒温加热60 min,制备出了氧化镓纳米棒状结构,并通过SEM,TEM,XRD等对样品进行了表征.SEM检测表明实验合成了大量的直径在400-600 nm的纳米棒,并遵循VLS生长...
关键词：碳热还原 纳米棒 生长机制 单斜晶系 
温度对氧化镓纳米材料形貌及结构性质的影响被引量：2
《微纳电子技术》2016年第1期64-68,共5页王玉萍 李玉国 耿树吉 
利用热蒸发法制备一维β-Ga_2O_3纳米材料。不同反应温度下,利用该方法对Ga单质和Au覆盖的Si(111)基片在通氮气的石英管中加热不同时间,制备了β-Ga_2O_3纳米材料,并通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、高分辨率透射电子显微镜...
关键词：β-Ga2O3 纳米线 柱状纳米结构 热蒸发法 反应时间 
蒲公英状氧化镓纳米线的制备与表征
《山东科学》2014年第6期108-112,共5页刘永峰 李玉国 王玉萍 
教育部留学回国人员科研启动基金
在1 200℃对Ga2O3粉末和Au覆盖的Si（111）基片加热不同时间,利用热蒸发法制备Ga2O3纳米线.实验中我们发现了一个新的成核过程,用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）技术对样品进行了结构、形貌的表征.SE...
关键词：蒲公英状纳米线 表征 新的成核过程 生长机制 
二氧化硅纳米花的制备及发光特性研究
《半导体光电》2014年第4期614-616,共3页李玉国 刘永峰 王玉萍 王宇 方香 
教育部回国人员科研启动基金项目
采用磁控溅射和化学气相沉积技术制备出二氧化硅纳米花。利用扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对上述纳米结构进行结构表征。用荧光光谱仪(PL)对其光致发光特性进行了研究。结果表明在激发波长为325nm...
关键词：SIO2 纳米结构 溅射 光致发光 
SnO_2纳米线的制备及结构表征
《山东科学》2013年第6期14-18,共5页方香 李玉国 王宇 刘永峰 
以SnO2粉末和碳粉的混合物为源,高纯氮气为载气,利用化学气相沉积法在1 000℃下,在溅有Au的单晶Si衬底上制备了SnO2纳米线。用SEM、XRD测试技术对样品进行了结构、形貌的表征,利用PL技术分析了样品的发光特性。由分析可知,样品均为四方...
关键词：化学气相沉积 SnO2纳米线 生长机制 
SnO_2纳米结构的制备及发光特性
《微纳电子技术》2013年第11期705-709,共5页王宇 李玉国 方香 刘永峰 
以Sn为源,在恒温1 000℃条件下,利用碳热蒸发方式,选取不同的退火时间,在溅射Au膜的Si衬底上生长出不同形貌的SnO2纳米结构。采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)对纳米结构进行表征,结果表明,Si衬底上生长的是具有金红...
关键词：碳热蒸发 SnO2纳米结构 发光特性 气-液-固(VLS)生长机制 可控生长 
In_2O_3基透明导电薄膜的生长技术
《价值工程》2013年第30期36-38,共3页徐莉 修显武 李玉国 
透明导电氧化物(TCO)同时具有良好的金属导电性和较高的可见光透过率,近年来在光电器件领域,特别是平板显示和薄膜太阳能电池上得到广泛的应用。其中In2O3基薄膜应用技术最为成熟。本文主要报道In2O3基薄膜的制备与退火处理的研究现状。
关键词：真空蒸镀 溅射 脉冲激光沉积 溶胶-凝胶 退火 
热蒸发制备SnO2纳米棒及结构表征
《山东师范大学学报（自然科学版）》2013年第2期49-52,共4页翟冠楠 李玉国 张晓森 
以SnO粉末为原料，在镀有金的硅衬底上通过热蒸发的方法获得了SnO2纳米短棒，且通过改变退火时间再现了纳米材料的生长过程．用SEM，XRD，EDS，红外吸收和拉曼光谱对产物的形态和结构进行了分析．结果表明，所合成的产物为具有四方金红...
关键词：SNO2纳米棒 热蒸发 磁控溅射 生长机制 
全选清除导出
共6页<123456>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部