储汉奇

作品数:6被引量:11H指数:2
导出分析报告
供职机构:合肥工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题:SIC薄膜AL2O3薄膜SIC奥氏体不锈钢功能梯度更多>>
发文领域:一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
发文期刊:《材料热处理学报》《真空与低温》《真空》《理化检验(物理分册)》更多>>
所获基金:国家重点基础研究发展计划安徽省自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-6
视图:
排序:
奥氏体不锈钢上功能梯度SiC薄膜的制备和性能被引量:4
《材料热处理学报》2012年第1期150-154,共5页李合琴 都智 储汉奇 聂竹华 
国家"973"计划项目(2008CB717802);安徽省自然科学基金(11040606M63);安徽省高校自然科学基金(KJ2009A091)
用磁控溅射法在奥氏体不锈钢基片上制备了SiC单层膜和Ti/TiN双层膜以及Ti/TiN/SiC功能梯度薄膜。采用XRD和显微硬度计对薄膜的结晶质量和硬度进行表征;用AFM和SEM对薄膜的表面和截面形貌进行了表征。结果表明:Ti/TiN双层膜在氩氮流量比...
关键词:功能梯度薄膜 SIC薄膜 奥氏体不锈钢 制备 Ti/TiN 显微硬度计 不锈钢基片 结晶质量 
直流/射频反应磁控溅射法制备W掺杂VO_X薄膜的工艺和性能被引量:1
《真空》2011年第4期65-68,共4页聂竹华 李合琴 都智 储汉奇 宋泽润 
国家"973"项目(2008CB717802);安徽省自然科学基金(090414182);安徽省高校自然科学基金(KJ2009A091)
用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射...
关键词:直流 射频磁控共溅射 VOx薄膜 W掺杂 相变温度 基底 
CLAM钢表面硬质薄膜的制备与性能研究
《真空》2011年第3期67-71,共5页储汉奇 李合琴 都智 聂竹华 
国家"973"项目(2008CB717802);安徽省自然科学基金(090414182);安徽省高校自然科学基金(KJ2009A091)
采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制备的薄膜进行了XRD结构分析、AFM表面形貌测试和显微硬度测试。结果表明:单层SiC薄膜表面出现了部分脱落,...
关键词:射频反应磁控溅射 CLAM钢 A12O3薄膜 SIC薄膜 W薄膜 SiC/A12O3双层膜 W/A12O3双层膜 显微硬度 
退火温度对磁控溅射SiC薄膜结构和光学性能的影响被引量:3
《理化检验(物理分册)》2010年第12期753-756,共4页都智 李合琴 聂竹华 储汉奇 朱景超 
国家"973"计划资助项目(2008CB717802);安徽省自然科学基金资助项目(090414182);安徽省高校自然科学基金资助项目(KJ2009A091)
首先采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄膜的结构随退火温度的变化,采用荧光分光分度计研究了薄膜...
关键词:SIC薄膜 射频磁控溅射 退火温度 结构 光致发光 
磁控溅射工艺对VO_x薄膜结构和性能的影响被引量:2
《红外》2010年第9期9-13,共5页聂竹华 李合琴 储汉奇 都智 宋泽润 
国家"973"项目(2008CB717802);安徽省自然科学基金(090414182);安徽省高校自然科学基金(KJ2009A091)
以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VO_x薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VO_x薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明,当溅射气压为1.5Pa...
关键词:直流磁控溅射 退火 VO_x薄膜 工艺 电阻温度系数 
Al_2O_3薄膜的发光性能及其结构研究被引量:1
《真空与低温》2010年第2期90-94,共5页储汉奇 李合琴 聂竹华 都智 朱景超 
国家基础研究计划(2008CB717802);安徽省自然科学基金(090414182);安徽省高校自然科学基金(KJ2009A091)
以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱(PL),是由于氧空位充当的色心所致,且随着氧氩比例的增加,峰的位置基本不变...
关键词:AL2O3薄膜 直流反应磁控溅射 氧氩比例 光致发光光谱 氧空位 XRD 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部