孙钦军

作品数：8被引量：14H指数：2
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供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
发文主题：微观结构CUOSIO退火光致发光特性更多>>
发文领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《微细加工技术》《无机材料学报》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>
所获基金：山东省自然科学基金更多>>
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电泳沉积法制备CuO薄膜的微观结构分析被引量：1
《半导体光电》2010年第1期87-89,共3页石锋 李玉国 孙钦军 
在经清洗后的硅(111)衬底上,分别采用电泳过程中氧化制备CuO薄膜和电泳制备Cu膜后退火氧化制备CuO薄膜。用XRD和SEM对薄膜样品进行了组分、表面形貌等微观结构的分析,发现两种方法制备的CuO薄膜的组分基本一致,但形貌完全不同,前者是由...
关键词：电泳沉积法 CuO薄膜 微观结构 
CuO/SiO_2复合薄膜的微观结构和发光特性分析
《无机材料学报》2009年第2期234-238,共5页石锋 李玉国 孙钦军 
采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在N2保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出低维CuO纳米结构,并对其微观结构和光致发光进行研究.退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表...
关键词：射频磁控共溅射法 CuO/SiO2复合薄膜 微观结构 光致发光特性 
不同气氛保护下退火制备的CuO/SiO_2复合薄膜微观结构分析
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2381-2384,共4页石锋 李玉国 孙钦军 
采用射频磁控共溅射法在Si(111)衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在N2和NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出CuO结构,并对其微观结构进行分析.N2保护下退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表...
关键词：射频磁控共溅射法 CuO/SiO2复合薄膜 微观结构 退火 半导体材料 
射频磁控共溅射高温NH_3退火制备CuO/SiO_2复合薄膜的微观结构
《微细加工技术》2008年第6期12-13,18,共3页石锋 李玉国 孙钦军 
采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,形成CuO结构,对其微观结构进行分析。随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高。样品于900℃和1...
关键词：射频磁控共溅射法 CuO/SiO2复合薄膜 微观结构 
氧化镁纳米粉体的制备与表征被引量：8
《山东师范大学学报（自然科学版）》2007年第1期69-70,共2页曹玉萍 李玉国 孙钦军 
山东省自然科学基金资助项目(A1034)
以硝酸镁为反应原料,硬脂酸为分散剂,采用溶胶凝胶法制备了MgO纳米粉体,并对其进行了XRD、TEM、FTIR表征.结果表明,制得的MgO颗料为椭球形,面心立方结构,粒径18nm,粒子分散均匀.
关键词：MGO 纳米粉体 溶胶凝胶法 
电泳沉积法制备MgO薄膜被引量：4
《微纳电子技术》2007年第1期23-25,共3页曹玉萍 李玉国 孙钦军 
采用电泳沉积法(EPD)在Si(111)衬底上制备出了MgO薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)谱、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)对样品的结构和形貌进行了分析。结果显示所得样品为立方MgO多晶薄膜。
关键词：MgO薄膜 SI衬底 电泳沉积 
注碳外延硅的荧光特性研究
《半导体光电》2006年第5期560-562,共3页李玉国 孙钦军 曹玉萍 王强 王建波 张秋霞 
研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀...
关键词：离子注入 电化学腐蚀 蓝光发射 发光中心 
利用磁控溅射及热氧化制备ZnO纳米棒及其光致发光特性被引量：1
《半导体光电》2005年第5期425-427,共3页李玉国 薛成山 庄惠照 石礼伟 张洁珊 曹玉萍 孙钦军 
在Si(111)衬底上热氧化射频磁控溅射金属锌并经退火处理后,成功制备出ZnO纳米棒。用XRD,SEM和TEM对样品的晶体结构、表面形貌进行了研究。经PL谱分析表明,在波长为280 nm的光激发下,在372 nm处有强近带边紫外光发射和516 nm处的较微弱...
关键词：纳米棒 磁控溅射 热氧化 光致发光 
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