深槽刻蚀

作品数:21被引量:54H指数:5
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相关领域:电子电信更多>>
相关作者:李志栓张正元江洪敏郭涛刘俊更多>>
相关机构:电子科技大学北京大学杭州士兰集成电路有限公司兰州大学更多>>
相关期刊:《中国集成电路》《电子技术应用》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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多层圆片级堆叠THz硅微波导结构的制作被引量:5
《微纳电子技术》2020年第4期328-332,共5页杨志 董春晖 柏航 姚仕森 程钰间 
基于微电子机械系统(MEMS)工艺,提出一种多层圆片堆叠的THz硅微波导结构及其制作方法。为了验证该结构在制作THz无源器件中的优势,基于6层圆片堆叠的硅微波导结构,设计了一种中心频率365 GHz、带宽80 GHz的功率分配/合成结构,并对其进...
关键词:微电子机械系统(MEMS) 太赫兹(THz) 波导 硅深槽刻蚀 热压键合 
ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究被引量:7
《微纳电子技术》2003年第7期104-107,共4页王成伟 闫桂珍 朱泳 
在高密度反应离子刻蚀技术中 ,存在明显的线宽损失 ,对小尺寸MEMS结构影响很大 ,将使MEMS器件灵敏度下降 ,稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术 ,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4 F8,同时适当减小...
关键词:ICP 硅深槽刻蚀 线宽控制 离子刻蚀 MEMS结构 微机电系统 
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