深能级瞬态谱

作品数：60被引量：50H指数：4
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相关作者：李兴冀杨剑群吕钢卢励吾冯良桓更多>>
相关机构：中国科学院哈尔滨工业大学复旦大学四川大学更多>>
相关期刊：《计算机应用》《原子能科学技术》《电子测量技术》《辽宁大学学报（自然科学版）》更多>>
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Si中离子注入S杂质引起的深能级研究
《人工晶体学报》2012年第S1期372-375,共4页高利朋 韩培德 毛雪 范玉杰 胡少旭 
国家自然科学基金(60976046;60837001;61021003);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2012CB934200);中科院博士培养项目资助(Y072051002)
本文在n型硅中通过离子注入方法用500 keV的能量注入剂量为1×1014cm-2的过量S以引入杂质,并通过深能级瞬态谱方法(DLTS)对离子注入引入的深能级进行研究,得到多个S的深能级峰,计算了各深能级的位置和其俘获截面等参数。同时也发现,采...
关键词：深能级 离子注入 深能级瞬态谱 
GaN基光发射二极管中深能级研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2002年第4期371-374,共4页毕朝霞 张荣 邓娜 顾书林 沈波 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究规划项目 (G2 0 0 0 0 683 );国家杰出青年研究基金 (60 0 2 5 411);国家自然科学基金 (699760 14 ;6963 60 10 ;6980 60 0 6;699870 0 1);国家高技术研究计划资助
利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 ...
关键词：深能级瞬态谱 光发射二级管 铟镓氮 
分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别被引量：1
《物理学报》2002年第2期372-376,共5页卢励吾 张砚华 J.Wang WeikunGe 
国家重点基础研究发展项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 6 83);香港科技大学资助项目 (批准号 :HKUST6 135 97P)资助的课题~~
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 .样品的DLTS谱表明 ,在HEMT和P HEMT结构的n AlGaAs层里存...
关键词：分子束外延生长 高电子迁移率 超高速微结构 功能材料 深中心识别 深能级瞬态谱 光电器件 
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