缩放比例

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雷暴云背景下超高压输电线路近区电场分析模型研究
《高压电器》2025年第3期184-191,共8页毛近贤 王伟芳 张毅龙 肖慈恩 刘亚坤 
输电线路运行常遇到雷暴云活动影响电场环境,雷暴云几何直径可达数十公里且具有可移动特征,已有研究仍缺乏雷暴云背景下输电线路—近区房屋结构的电场分析方法,同时现有实验研究缺少雷暴云—输电线路—近区房屋整体模型的缩放比例选择...
关键词：输电线路 电场 雷暴云 建模 缩放比例 
重载足式机器人变缩放比例腿设计
《中国机械工程》2025年第2期191-196,共6页索喆 李想 刘建峰 王继新 
国家自然科学基金(52272434);吉林大学研究生创新基金(2024CX086)。
分析了二自由度比例缩放机构的运动特性,对比了多种变缩放比例设计方案及其优缺点,提出了一种变缩放比例腿,设计了非线性腿长调整机构,仅用一个驱动器即可实现大腿杆和小腿杆的长度按照非线性比例关系进行调整,进而在保证缩放特性的同...
关键词：重载足式机器人 腿足行走装置 变缩放比例腿 非线性长度调整机构 
本刊关于图、表的投稿格式要求
《长治医学院学报》2023年第3期212-212,共1页本刊编辑部 
作者在投稿时,请按我刊对图、表格式要求进行处理。图表以正文中出现的先后顺序连续编号,每幅图表应注明序号并冠以图或表题,图表序号应在正文中明确提及,且与正文主体文字对应,图表注释资料宜排在图表下方,长度以图表宽度为限。表:采...
关键词：缩放比例 软件绘制 有效位数 放大倍数 三线表 染色方法 明确提及 照片图 
本刊关于图、表的投稿格式要求
《长治医学院学报》2023年第1期80-80,共1页《长治医学院学报》编辑部 
作者在投稿时,请按我刊对图、表格式要求进行处理。图表以正文中出现的先后顺序连续编号,每幅图表应注明序号并冠以图或表题,图表序号应在正文中明确提及,且与正文主体文字对应,图表注释资料宜排在图表下方,长度以图表宽度为限。表:采...
关键词：缩放比例 软件绘制 有效位数 放大倍数 三线表 染色方法 明确提及 照片图 
本刊关于图、表的投稿格式要求
《长治医学院学报》2022年第6期427-427,共1页编辑部 
作者在投稿时,请按我刊对图、表格式要求进行处理。图表以正文中出现的先后顺序连续编号,每幅图表应注明序号并冠以图或表题,图表序号应在正文中明确提及,且与正文主体文字对应,图表注释资料宜排在图表下方,长度以图表宽度为限。表:采...
关键词：缩放比例 软件绘制 有效位数 放大倍数 三线表 染色方法 明确提及 照片图 
本刊关于图、表的投稿格式要求
《长治医学院学报》2022年第4期316-316,共1页编辑部 
作者在投稿时,请按我刊对图、表格式要求进行处理。图表以正文中出现的先后顺序连续编号,每幅图表应注明序号并冠以图或表题,图表序号应在正文中明确提及,且与正文主体文字对应,图表注释资料宜排在图表下方,长度以图表宽度为限。表:采...
关键词：缩放比例 软件绘制 有效位数 放大倍数 三线表 染色方法 明确提及 照片图 
本刊关于图、表的投稿格式要求
《长治医学院学报》2022年第2期160-160,共1页编辑部 
作者在投稿时,请按我刊对图、表格式要求进行处理。图表以正文中出现的先后顺序连续编号,每幅图表应注明序号并冠以图或表题,图表序号应在正文中明确提及,且与正文主体文字对应,图表注释资料宜排在图表下方,长度以图表宽度为限。表:采...
关键词：缩放比例 软件绘制 有效位数 放大倍数 三线表 染色方法 明确提及 照片图 
借助虚拟工艺加速工艺优化
《中国电子商情》2020年第8期57-62,共6页Joseph Ervin 
我们不断向先进的CMOS微缩和新存储技术的转型导致半导体器件结构的日益复杂化,例如,在3D NAND内存中,容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现,在保持平面缩放比例恒定的情况下,这带来了更高深宽比图形刻蚀工艺上的挑战,同时将更多的...
关键词：半导体器件 设计规则检查 刻蚀工艺 高深宽比 缩放比例 规范设计 良率 存储技术 
借助虚拟工艺加速工艺优化
《电子工业专用设备》2020年第4期58-62,共5页Joseph Ervin 
我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型,导致半导体器件结构的日益复杂化。例如,在3D NAND内存中,容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现,在保持平面缩放比例恒定的情况下,这带来了更高深宽比图形刻蚀工艺上的挑战,同时将更...
关键词：半导体器件 设计规则检查 高深宽比 刻蚀工艺 缩放比例 规范设计 存储技术 虚拟工艺 
借助虚拟工艺加速工艺优化
《软件和集成电路》2020年第8期12-17,共6页Joseph Ervin 
我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型,导致半导体器件结构日益复杂化。例如,在3D NAND内存中,容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现,在保持平面缩放比例恒定的情况下,这带来了更高深宽比图形刻蚀工艺上的挑战,同时将更多...
关键词：缩放比例 存储技术 半导体器件 NAND 堆栈 刻蚀工艺 高深宽比 设计规则 
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