探测器芯片

作品数：28被引量：31H指数：3
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大面阵锑化铟探测器芯片背减薄工艺技术开发被引量：3
《红外》2023年第2期8-12,共5页李海燕 曹凌霞 陈籽先 黄婷 程雨 
陆军装备军内科研项目(20212C031781);河北省军民科技协同创新专项(20355601D)。
为实现大尺寸锑化铟混成芯片的高质量、高成品率背减薄,介绍了一种单点金刚石车削与磨抛相结合的背减薄工艺。该工艺采用单点金刚石车削技术实现锑化铟芯片大量厚度去除,然后通过旋转磨削工艺进一步去除车削损伤,最终实现了1280×10^(24...
关键词：锑化铟 单点金刚石车削 背减薄 
红外焦平面探测器芯片应力降低方法研究被引量：1
《红外》2022年第3期16-21,共6页张洪瑀 刘森 
以1280×1024红外焦平面探测器为例,利用三维可视化实体模拟软件建立了包含冷指部件、陶瓷框架、探测器芯片的三维模型,并利用ANSYS仿真软件对模型(仅球形冷台结构与常规冷台不同,其余零件均相同)进行了仿真对比。研究结果表明,球形冷...
关键词：红外探测器 有限元仿真 可靠性 
Ⅱ类超晶格探测器芯片背增技术研究
《红外》2021年第12期15-20,共6页任秀娟 崔戈 李春领 冯晓宇 李海燕 宁提 祁娇娇 刘铭 
国家科技型中小企业技术创新基金项目(13C26215305429);云南省产业技术领军人才支持项目(YNWR-CYJS-2018-050)。
主要介绍了Ⅱ类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺。该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波段(3~5μm及7~9μm)对红外光的反射率,增强芯片的光响应率,从而提高芯片性能。研究并解决了背增膜在设计...
关键词：双色红外探测器 Ⅱ类超晶格 锑化镓 背增膜 
杜瓦激活对探测器芯片温度影响的理论与试验研究被引量：1
《红外》2021年第1期11-15,共5页洪晓麦 王立保 沈星 刘道进 张杨文 张丽芳 程海玲 黄立 
杜瓦激活过程会引起探测器芯片温度过冲,导致芯片失效。通过仿真计算分析了吸气剂激活过程中产生的温度分布,研究了探测器芯片在杜瓦激活时温度升高过冲的主要传热途径,并提出了一种吸气剂挡板方案。试验结果表明,该方案可将激活过程中...
关键词：红外探测器 吸气剂 杜瓦 激活 
用于InSb探测器芯片的激光划片工艺方案简析被引量：2
《红外》2018年第12期16-19,共4页李家发 曹立雅 张紫辰 侯煜 
针对InSb探测器芯片,基于紫外皮秒激光器搭建了定制化的光学平台和振镜系统。通过固定激光脉冲的重复频率,探讨了低能量多刀数以及高能量少刀数等工艺条件,获得了适合InSb探测器芯片激光划片的工艺条件。结果表明,热影响与崩边情况均可...
关键词：InSb材料 激光划片 热影响 崩边 
Sofradir公司与法国国家航空航天研究院联合研制采用集成光学元件的红外探测器芯片被引量：1
《红外》2010年第10期16-16,共1页岳桢干 
据www.semiconductor-today.com网站报道,作为用于军事、空间和工业方面的致冷型碲镉汞红外探测器的制造商,法国Sofradir公司已经与法国国家航空航天研究院（ONERA）共同设计出一款采用集成光学元件的新型红外探测器。Sofradir公司表示,
关键词：集成光学元件 红外探测器 ir公司 航空航天 研究院 法国 芯片 制造商 
用蒙特卡罗方法和MATLAB计算冷屏内壁表面辐射光线落入探测器芯片的比例被引量：1
《红外》2010年第8期38-43,共6页王忆锋 范乃华 毛京湘 
介绍了用蒙特卡罗方法和MATLAB计算圆形冷屏内壁表面辐射落入探测器芯片比例的一种解决方案。该方案基于三维空间中的方向数概念,首先利用MATLAB命令生成冷屏内壁表面上的随机点,再赋予该点一组随机方向数,获得一条随机直线方程,以判断...
关键词：冷屏 表面辐射 红外成像系统 蒙特卡罗方法 MATLAB 
把探测器芯片变成成象系统
《红外》1995年第2期8-9,共2页Heather W.Messenger 顾聚兴 
在能够把探测器制成有用的成象系统之前,必须仔细地控制半导体的生产和管理以及电子线路和软件的设计。
关键词：红外探测器 芯片 成象系统 电子线路 热成象 
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