铁电电容

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PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究
《压电与声光》2011年第3期464-466,471,共4页束平 王姝娅 张国俊 戴丽萍 翟亚红 王刚 钟志亲 曹江田 
国家"八六三"计划基金资助项目(2002AA404500);国家"九七三"计划基金资助项目(G1999033105)
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量...
关键词：PZT薄膜 光刻胶 深反应离子刻蚀 刻蚀速率 铁电电容 
应用于FRAM的集成铁电电容的研究
《压电与声光》2008年第1期42-44,共3页蔡道林 李平 张树人 翟亚红 阮爱武 刘劲松 陈彦宇 欧阳帆 
国家重点基础研究发展计划("九七三"计划)基金资助项目(51310z)
集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频(RF)磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si制备Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,上下电极Pt采用剥离技术工艺制备,刻蚀PZT薄膜,形成Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si集成电容结构,最后高温快速退火。结果表...
关键词：铁电电容 Pb(Zr Ti)O3(PZT)薄膜 铁电存储器 
铁电电容工艺与标准CMOS工艺兼容性研究
《压电与声光》2007年第5期609-611,614,共4页翟亚红 李平 张树人 杨成韬 阮爱武 蔡道林 欧阳帆 陈彦宇 
国家重点基础研究发展计划("九七三"计划)基金资助项目(51310z)
在铁电存储器制备过程中,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交叉污染。对PZT薄膜中的铅在不同温度下的挥发量进行了测定,在温度为400℃时有0.15×10-6铅挥发。同时...
关键词：PZT薄膜 铁电电容 热处理 铅挥发 跨导 
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