硼掺杂

作品数:277被引量:541H指数:9
导出分析报告
相关领域:理学电子电信更多>>
相关作者:周明杰荣峻峰成会明许力白朔更多>>
相关机构:中国科学院吉林大学浙江大学中国石油化工股份有限公司更多>>
相关期刊:更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划博士科研启动基金国家高技术研究发展计划更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 基金=国家高技术研究发展计划x
条 记 录,以下是1-6
视图:
排序:
Li_(1.3)(Al_(1-x)B_x)_(0.3)Ti_(1.7)(PO_4)_3锂离子电池的合成研究
《铸造技术》2017年第4期777-779,787,共4页邓仕英 陈红萍 耿家源 
国家高新技术863计划资助项目(2003AA302330);长江大学工程技术学院科研基金资助项目(13j0601)
以H_3BO_3和Al_2O_3为掺杂源,采用固相烧结法,合成了锂离子电池材料Li_(1.3)(Al_(1-x)B_x)_(0.3)Ti_(1.7)(PO_4)_3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)。通过XRD、SEM和电化学性能测试,结果表明:Li_(1.3)(Al_(1-x)B_x)_(0.3)Ti_(1.7)(PO_4)_3主晶相为...
关键词:锂离子电池 硼掺杂 LI Ti2(PO4)3 电导率 
硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响被引量:2
《人工晶体学报》2015年第4期933-938,共6页乔治 解新建 刘辉 梁李敏 郝秋艳 刘彩池 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA050301);河北省教育厅科研计划(Z2010304)
采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明:由于"硼掺杂效应",随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[22...
关键词:RF-PECVD nc-Si∶H薄膜 硼掺杂 SHJ太阳能电池 
硼掺杂对热丝CVD法制备纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响
《真空科学与技术学报》2012年第6期509-513,共5页潘园园 沈鸿烈 吴天如 张磊 刘斌 
国家高技术研究发展计划(863)资助项目(2006AA03Z219);江苏高校优势学科建设工程资助项目
采用热丝化学气相沉积法制备了不同B2H6掺杂比例(B2H6/SiH4为2%-15%)的p型纳米晶硅薄膜,通过探索B2H6掺杂比例、晶化率、光学带隙和电学性能(电导率、载流子浓度、霍尔迁移率)之间的关系以及薄膜掺杂机理来研究B2H6掺杂比例对薄膜...
关键词:掺杂比例 硼掺杂 纳米晶硅 热丝化学气相沉积 电导率 
硼掺杂对K_2La_2Ti_3O_(10)光催化分解水制氢活性的影响被引量:2
《催化学报》2009年第2期147-153,共7页杨亚辉 陈启元 李洁 
国家高技术研究发展计划(863计划;2002AA327140);湖南省自然科学基金(08JJ3022);湖南省科技计划(08FJ4105)
通过溶胶-凝胶法制备了层状钙钛矿复合氧化物K2La2Ti3O10及B掺杂的K2La2Ti3O10,并采用X射线衍射和紫外-可见漫反射光谱等对制得样品进行了表征.以I-为电子给体,分别在紫外和可见光辐射下研究了所制得样品光催化分解水的产氢活性;采用第...
关键词:钙钛矿复合氧化物  光催化活性  氢气 第一性原理 
硼掺杂对a-Si薄膜电导率及太阳电池效率的影响被引量:2
《光电子.激光》2003年第11期1146-1148,共3页林列 蔡宏琨 张德贤 孙云 郝延明 
国家"863"计划资助项目(2002AA715081);国家"973"计划资助项目(ZM200202A01)
对等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)低温制备的非晶硅(a Si)薄膜的电导率随B掺杂浓度的变化规律进行了研究。结果表明:当B2H6/SiH4由0.6%增加到0.8%时,a Si薄膜的暗电导率由10-5(Ω·cm)-1急剧增加到10-1(Ω·cm)-1;进一步增加B2H6/S...
关键词:硼掺杂 非晶硅薄膜 电导率 太阳电池 光电转换效率 
金刚石的同质外延掺硼和Schottky特性
《材料研究学报》1995年第2期163-166,共4页沈荷生 张志明 何贤昶 李胜华 
国家自然科学基金;国家高技术项目
在<100>取向的金刚石衬底上,用微波PCVD法进行同质外延、掺杂和Schottky特性的实验研究,总结了反应气体、碳源浓度等因素对外延展形貌、结构的影响,B/C比对掺硼外延层结构、形貌和电学性能的影响,以及接触金属...
关键词:金刚石 薄膜 同质外延 硼掺杂 肖特基特性 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部