驱动电阻

作品数：21被引量：51H指数：4
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基于电流检测的SiC MOSFET并联均流控制策略
《电机与控制应用》2024年第12期1-12,共12页姚嘉唯 贾利民 
国家重点研发计划项目(2021YFB2601403)。
【目的】由第一代和第二代半导体材料构成的功率器件,各方面性能都已经达到自身极限,在更为复杂的电路拓扑中难以应用。第三代新型半导体材料碳化硅(SiC)逐步成为研究焦点,相应的碳化硅器件也成为研究前沿。相比于传统硅(Si)基器件,碳...
关键词：SiC MOSFET 并联 均流 电流检测 驱动电阻 
矿用变频器IGBT尖峰电压抑制的协调优化方法被引量：2
《工矿自动化》2022年第12期129-136,143,共9页王越 史晗 荣相 蒋德智 
天地科技股份有限公司科技创新创业资金专项产学研科技合作项目(2020-2-TD-CXY003);天地(常州)自动化股份有限公司研发项目(2021GY1003)。
目前常用优化母排结构参数、改变栅极驱动电阻、设计吸收电路等方法抑制因杂散电感引起的矿用变频器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)尖峰电压,但现有研究未揭示各方法之间的协调统一关系及协调优化准则。针对该问题,以BPJ5−630−1140型矿用...
关键词：矿用变频器 绝缘栅双极型晶体管 尖峰电压抑制 栅极驱动电阻 二极管钳位式吸收电路 BP神经网络−带精英策略的非支配排序遗传算法 
并联SiC-MOSFET可调节驱动电路设计被引量：1
《华北科技学院学报》2022年第5期62-70,共9页汪俊奇 邓永红 徐海超 张腾召 汤礼凤 
中央高校基本科研业务费资助项目(3142018049);卓越工程师教育培养计划项目(GXHZ2017-05)。
目前,在电动汽车、航空航天、煤矿、海洋油田等高电压等级、高频、高温、高功率密度环境中,碳化硅器件容易出现过流过压等短时过载情况而目前市场应用的多数驱动电路无法适应各种型号的SiC-MOSFET,本文设计了一种以IX4351为驱动芯片,可...
关键词：并联SiC-MOSFET IX4351 驱动电路 驱动电阻 
格力空调小方板故障维修标识图(五)
《家电维修》2021年第10期4-4,共1页李大磊 
H5故障检修点:1.相电流检测电路应为1.65V;2.模块硬件保护脚(CSC)正常电压低于0.5V;3.模块自身保护输出脚(FO)正常电压为3.3V;4.六路驱动电路;5.模块自举电路;6.模块相电流检测电阻;7.模块供电应为15V;S.模块自身故障检修:1.三组相电流...
关键词：运算放大器 自举电路 脚电压 驱动电阻 自身保护 硬件保护 驱动电路 正常电压 
矿用SiC-MOSFET充电器驱动电路的设计被引量：2
《华北科技学院学报》2020年第6期59-64,76,共7页张全柱 敬昌国 邓永红 
中央高校基本科研业务费资助项目(3142020040)。
针对矿用井下充电器存在规格多、体积大、质量大、效率低等问题,本文选择在主电路拓扑结构中采用碳化硅器件。依据碳化硅器特性,本文采用集成驱动核设计了一款驱动电路,分析了碳化硅驱动电路的技术特点,计算了驱动功率,给出了驱动电路...
关键词：SiC-MOSFET APD202 驱动电阻 驱动电路 
高压直流断路器组件内IGBT关断瞬态电压过冲的关键影响参数被引量：6
《高电压技术》2020年第8期2654-2662,共9页刘欣 王利桐 梁贵书 齐磊 
国家重点研发计划(2017YFB0902400).
基于绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的全控型混合式高压直流断路器是多端柔性高压直流输电工程的关键设备,其半导体组件内IGBT关断瞬态电压过冲是工程中需重点关注的问题,该文以典型的IGBT全桥拓扑结构的半...
关键词：高压直流断路器 半导体组件 杂散电感 驱动电阻 瞬态电压过冲 
SiC MOSFET驱动电路设计及特性分析被引量：11
《半导体技术》2020年第5期352-358,408,共8页徐建清 高勇 杨媛 孟昭亮 文阳 张乐 
国家自然科学基金资助项目(51477138)。
近年来基于SiC和GaN的宽禁带半导体器件开始逐渐替代传统的Si IGBT器件,而面对高的开关速度所带来的问题,宽禁带半导体器件的开关特性分析以及驱动电路的设计在系统可靠运行方面显得尤为重要。以SiC MOSFET模块C2M0280120D为例设计了一...
关键词：SiC MOSFET IGBT 驱动电路 栅极驱动电阻 双脉冲测试 
驱动电阻对SiC MOSFET开关行为的调控规律被引量：2
《电力电子技术》2020年第3期123-126,共4页刘博 刁利军 顾诚博 李伟杰 
北京市科委项目(Z181100004418005)。
针对碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动电阻的选择问题,建立开关瞬态电路模型。通过数学推导定性分析,确立了受驱动电阻影响的SiC MOSFET开关行为主要特征。在此基础上,搭建双脉冲测试实验平台,将驱动电阻与振荡、...
关键词：金属-氧化物半导体场效应晶体管 驱动电阻 开关行为 调控规律 
3300 V全SiC MOSFET功率器件开关特性研究被引量：3
《机车电传动》2020年第1期34-37,48,共5页孙康康 陈燕平 忻兰苑 王晓年 余开庆 胡长风 
国家重点研发计划项目(2017YFB1200902)。
为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,从驱动电阻、结温、回路杂散电感等方面探寻了开关特性变化的规...
关键词：3300 V全SiC MOSFET 开关特性 驱动电阻 结温 杂散电感 
巡检机器人无线充电系统高频逆变器设计被引量：2
《自动化仪表》2019年第8期55-59,64,共6页杨明花 
火力发电厂输煤系统粉尘及湿度大,环境恶劣。输煤系统轨道式巡检机器人无线充电系统可避免传统有线供电方式引起的触电及火灾等安全事故,具有很好的应用前景。高频逆变器作为巡检机器人无线充电系统的核心部件,要求具有抗强电磁干扰、...
关键词：无线充电 逆变器 软开关 输煤系统 巡检机器人 滞后角 驱动电阻 
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