去除速率

作品数：209被引量：786H指数：14
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复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响被引量：1
《半导体技术》2024年第4期323-329,共7页陈志博 王辰伟 罗翀 杨啸 孙纪元 王雪洁 杨云点 
国家自然科学基金(62074049)。
以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(...
关键词：复合磨料 核壳结构 层间介质 化学机械抛光(CMP) 去除速率 
PVP与TAZ复配对Cu CMP的吸附缓蚀被引量：2
《半导体技术》2023年第4期308-317,共10页马忠臣 孙鸣 李梦琦 杨雪妍 齐美玲 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金资助项目(61504037)。
采用电化学方法、表面表征和量子化学计算研究了在碱性抛光液中聚乙烯吡咯烷酮(PVP)与1,2,4-三氮唑(TAZ)复配对Cu表面的缓蚀性能,探讨了原子尺度的吸附缓蚀机理。研究表明,PVP与TAZ复配较单独使用具有更好的缓蚀性能,且吸附方式均服从La...
关键词：复配缓蚀剂 粗糙度 去除速率 吸附 化学机械抛光(CMP) 密度泛函理论 
抛光液中各组分对Co CMP性能的影响被引量：1
《半导体技术》2022年第1期37-41,76,共6页冯子璇 崔浩祥 杨程辉 孙晓琴 牛新环 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(F2021202009)。
钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面。采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H_(2)O_(2))、1,2,4-三氮唑(TAZ)、异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE))对Co CMP性能的影响。结果表明,抛光液中H...
关键词：化学机械抛光(CMP) 钴(Co) 去除速率 表面粗糙度 抛光液 
新型缓蚀剂对阻挡层为Ru/TaN的Cu图形片CMP的影响被引量：5
《半导体技术》2020年第11期892-898,共7页张雪 周建伟 王辰伟 王超 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)。
研究了新型缓蚀剂2,2′-{[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)和抛光液pH值对铜图形片(以Ru/TaN为阻挡层)化学机械平坦化(CMP)性能的影响。实验结果表明,Cu的去除速率及静态腐蚀速率随着抛光液pH值的增高而增大,随着TT体积...
关键词：Ru/TaN阻挡层 Cu图形片 化学机械平坦化(CMP) 去除速率 静态腐蚀 
不同络合剂与pH值对钴CMP去除速率的影响被引量：5
《半导体技术》2020年第7期543-549,共7页杨云点 王胜利 王辰伟 程远深 雷双双 李森 
国家科技重大专项资助项目(2019ZX02308,2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(E2019202367)。
研究不同络合剂(如甘氨酸(Gly)、柠檬酸(CA)、酒石酸(TA))在不同pH值的抛光液中对钴(Co)化学机械抛光(CMP)去除速率的影响。研究结果表明,采用不同络合剂时,随着pH值的升高,Co的去除速率均逐渐降低。当采用甘氨酸作为络合剂时,Co的去除...
关键词：钴(Co) 络合剂 化学机械抛光(CMP) 去除速率 PH值 
不同种类表面活性剂对a面蓝宝石衬底CMP的影响被引量：3
《半导体技术》2019年第11期883-887,898,共6页崔雅琪 牛新环 王治 周佳凯 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);天津市企业科技特派员基金资助项目(18JCTPJC57000)
研究了在抛光液中分别添加非离子表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE)、阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸(LAS)和阳离子表面活性剂十二烷基三甲基氯化铵(DTAC)对a面蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)去除速率和表面状态的影响。通过对抛光液中...
关键词：a面蓝宝石衬底 化学机械抛光(CMP) 表面活性剂 去除速率 表面粗糙度 
复合络合剂在阻挡层抛光液中的应用被引量：4
《半导体技术》2019年第11期870-875,共6页张辉辉 刘玉岭 王辰伟 曾能源 王聪 徐奕 马腾达 刘国瑞 
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02308,2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
分别选用FA/OⅡ型螯合剂和柠檬酸钾(CAK)单独配置及复合配置多层铜布线阻挡层抛光液,对Cu和正硅酸乙酯(TEOS)介质层进行化学机械抛光(CMP),研究复合络合剂对材料去除速率、碟形坑和蚀坑的影响。结果表明,单独使用FA/OⅡ型螯合剂配置抛...
关键词：化学机械抛光(CMP) 复合络合剂 去除速率 碟形坑 蚀坑 
钴与钛的去除速率选择比控制及电偶腐蚀被引量：3
《半导体技术》2019年第11期876-882,共7页梁婷伟 王胜利 王辰伟 刘凤霞 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(E2019202367);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
研究了抛光液pH值、酒石酸钾(PTH)、双氧水(H2O2)和硅溶胶对钴插塞和钛阻挡层的去除速率及选择比的影响,并讨论了前3种因素与钴和钛电偶腐蚀的变化关系。采用正交抛光实验探讨了各因素对钴和钛抛光速率的主导度,利用塔菲尔曲线研究了各...
关键词：钴 钛 去除速率 选择比 主导度 腐蚀电位差 
单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光被引量：2
《半导体技术》2019年第8期628-634,共7页考政晓 张保国 于璇 杨盛华 王万堂 刘旭阳 韦伟 马腾达 
河北省高层次人才资助项目百人计划项目(E2013100006)
通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC(4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP)。结果表明,采用H2O2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速...
关键词：单晶SiC 电化学腐蚀 化学机械抛光(CMP) 氧化剂 去除速率 
GLSI多层铜互连阻挡层CMP中铜沟槽剩余厚度的控制被引量：5
《半导体技术》2018年第11期847-851,共5页马腾达 刘玉岭 杨盛华 徐奕 考政晓 
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02308,2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
GLSI铜布线阻挡层化学机械抛光（CMP）中铜沟槽剩余厚度（HCu）关系着集成电路的电性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一。使用不同配比的新型弱碱性抛光液对多层铜布线的阻挡层进行CMP,研究了抛光液中不同体积分数的螯合剂FA/OⅡ...
关键词：铜互连 阻挡层 化学机械抛光(CMP) 铜线条剩余厚度 铜去除速率 
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