缺陷密度

作品数：125被引量：120H指数：5
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2023年粉体行业大盘点●第三代半导体
《中国粉体工业》2023年第6期15-17,21,共4页
产业政策河北省科技厅:将碳化硅衬底等列入重点研发项目!2023年,10月,河北省科学科技厅对2023年新一代电子信息和新能源领域拟立项重点研发计划项目予以公示。其中“低缺陷密度8英寸碳化硅单晶衬底制备技术及应用示范”和“碳化硅功率...
关键词：碳化硅功率器件 陶瓷封装 电子信息 缺陷密度 河北省科技厅 研发计划 产业政策 碳化硅衬底 
降低蓝宝石上外延GaN的缺陷密度
《半导体信息》2013年第1期25-26,共2页吴琪乐 
最近开展的一项国际合作项目研究小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就可以实现。来自加州大学洛杉矶分校的谢tahong说:"我们希望这项关键技术可以运用到那些需要高性能材料的...
关键词：缺陷密度 外延层 GAN 器件结构 蓝宝石衬底 高性能材料 掩膜 电致发光 光电探测器 国际合作项目 
SiC“基础”有助于A1N生长
《现代材料动态》2010年第1期10-11,共2页邓志杰（摘译） 
A1N是生长紫外（UV）LED的良好衬底，但它很难生长。用快速升华法可以在SiC衬底上沉积A1N，已获得了一些有希望的结果，包括其缺陷密度出人意料的低。
关键词：SIC 生长 基础 缺陷密度 升华法 衬底 
Cree公司获得1210万美元SiC项目
《半导体信息》2005年第6期34-34,共1页孙再吉 
Cree公司近日获得美国海军实验室1210万美元SiC项目的合同。开发基于SiC的高电压开关和二极管,该公司将从现在到2006年11月期间开发出器件的原型。 Cree公司先进器件部门的执行副总裁John Palmour称,"合同的第一阶段是展示10 kV、50 A的...
关键词：CREE SIC 供电管理 海军实验室 副总裁 缺陷密度 外延技术 衬底材料 
Ⅲ-Ⅴ族三元体衬底生长工艺
《现代材料动态》2005年第10期3-5,共3页邓志杰（摘译） 
对三元合金衬底的研究已有40年的历史，但至今没有商品化材料，而利用具有“可变”晶格常数和带隙的三元衬底有利于提高器件性能、简化制造工序、降低制造成本。开发出直径≥50mm Ⅲ-Ⅴ族三元衬底生长工艺并达到：1，晶片上组分均匀性好...
关键词：生长工艺 Ⅲ-Ⅴ族 金衬底 三元 器件性能 晶格常数 制造工序 制造成本 缺陷密度 
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